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关键词： 导体电阻   静态   伏安特性曲线   例析   物理电学   欧姆定律   定义式   概念  

摘要： 一、静态电阻与动态电阻概念 电阻是中学物理电学中的一个重要概念，其定义式是R=U/I；即导体电阻等于导体两端的电压与通过导体的电流的比值．此定义式是由欧姆定律I=U/R转换而来的，其适用条件是纯电阻（金属导体、液体导体）且导体处在一定的温度下．导体的伏安特性曲线（I-U曲线）是一条过原点的直线，如图1所示．

关键词： 脉冲发生器   Maxim   通道数   高度集成   输出电流   MOSFET   脉冲信号   高压系统  

摘要： Maxim推出双通道、高压数字脉冲发生器MAX4810／MAX4811／MAX4812＊。器件具有1．3A（最小值）输出电流，能够独立配置为从低压逻辑输入向高压系统提供单极性或双极性脉冲信号。每通道的3个逻辑输入以及2个独立的使能输入能够确保输出MOSFET可靠关断，以加快信号变化速度并大大缩短脉冲模式之间的延时。为提高图像质量，该系列脉冲发生器采用创新的有源钳位架构，降低了2次谐波输出，并允许完全控制每个驱动器的输出级。

关键词： n-MOSFET   特性退化   热载流子应力   栅氧化层  

摘要： 为 90nm 门长度的热搬运人的降级轻轻地做的排水管(LDD ) NMOSFET 与极端薄(1.4 nm ) 门氧化物在低门电压压力(LGVS ) 和山峰底层电流下面被调查(我 _{潜水艇，最大} ) 应力。浸透的设备参数展览的降级在二个压力下面预定依赖，这被发现。我们在漏(GIDL ) 电流和应力导致了的 gate-induced-drain 上专注于这二个压力的效果漏电流(SILC ) 。GIDL 电流的特征被用来分析在二个压力期间在 gate-to-LDD 区域产生的损坏。然而，在 LGVS 期间产生的损坏从那显示出不同特征在期间我 _{潜水艇，最大} 应力。SILC 也在二个压力下面被调查。在二个压力期间在 SILC 和阀值电压的降级之间有线性关联，这试验性地被发现。SILC 的机制由于氧化物充电在二个压力下面为超短波的门长度和极端薄的门氧化物 LDD NMOSFET 套住和接口陷井的联合效果，这被结束。

关键词： MOSFET驱动器   同类   中阻抗   半桥   工作温度范围   低阻抗   转换器   DC  

摘要： 研诺逻辑科技有限公司近日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V，额定工作温度范围是-40℃到＋85℃，采用2mm×2．1mm、8引脚SC70JW封装，其MOSFET驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。

关键词： 驱动器   集成型   MOSFET   瑞萨科技公司   电源效率   SDRAM   小封装   CPU  

摘要： 瑞萨科技公司推出采用6mm×6mm小封装的集成型驱动器MOSFET。R2J20651NP设计用于电脑或服务器中的CPU和DDR类SDRAM电源，可实现高达96.5％的最高电源效率。

关键词： 功率MOSFET   DC/DC转换器   NEC   产品  

摘要： NEC电子日前推出两款适用于电脑中DC／DC转换器用的功率MOSFET产品，并以μPA2745、μPA2749的产品名于即日起提供样品。

关键词： 功率MOSFET   栅极电荷   耐压   n型   上市   开关效率   导通电阻   同步整流  

摘要： 美国威世通用半导体（Vishay Intertechnology）在n型功率MOSFET产品群中追加了耐压20V和1330V、栅极电荷较小的4款产品，此类产品导通电阻和栅极电荷的乘积也较小，因而可应用于同步整流降压式DC—DC转换器的高端MOSFET开关。

关键词： 驱动器   阻抗   同类   金属氧化物   场效应管   逻辑   输入   转换器  

摘要： 研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时，高侧外部MOSFET开启；当逻辑输入为低时，低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时，该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。

关键词： 欧姆定律   科学探究   《物理》   教科书   人教版   电学  

摘要： 欧姆定律是重要的电学定律，现以人教版新课标《物理》教科书为例，浅谈四点管见．

关键词： Continuous   Current   Mode   High-frequency   Link   MOSFET   Zero-Current   Switching   Resonant   Converter  

摘要： The Objective of this paper is to give more insight into CCM Operation of the LCL Converter to obtain op-timum design using state-space analysis and to verify the results using PSPICE Simulation for wide variation in loading conditions. LCL Resonant Full Bridge Converter (RFB) is a new, high performance DC-DC con-verter. High frequency dc-dc resonant converters are widely used in many space and radar power supplies owing to their small size and lightweight. The limitations of two element resonant topologies can be over-come by adding a third reactive element termed as modified series resonant converter (SRC). A three ele-ment resonant converter capable of driving voltage type load with load independent operation is presented. We have used embedded based triggering circuit and the embedded ‘C’ Program is checked in Keil Software and also triggering circuit is simulated in PSPICE Software. To compare the simulated results with hardware results and designed resonant converter is 200W and the switching frequency is 50 KHz.