课程文献中心 更多>>

关键词： 单栅SOI   MOSFET   双栅SOI   MOSFET   短沟道效应   阈值电压下降  

摘要： 运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOI MOSFET中短沟道效应引起的阈值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算,并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明,薄膜器件有利于减小短沟道效应,而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外,对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。

关键词： 金属氧化物半导体管   场效应晶体管   MOSFET   半导体技术  

摘要： A surface potential based non-charge-sheet core model for cylindrical undoped surrounding-gate (SRG) MOSFETs is presented. It is based on the exact surface potential solution of Poisson’s equation and Pao-Sah’s dual integral without the charge-sheet approximation,allowing the SRG-MOSFET characteristics to be adequately described by a single set of the analytic drain current equation in terms of the surface potential evaluated at the source and drain ends. It is valid for all operation regions and traces the transition from the linear to saturation and from the sub-threshold to strong inversion region without fitting-parameters,and verified by the 3-D numerical simulation.

关键词： 单片机   脉冲功率法   MOSFET   测试仪  

摘要： 介绍了以单片机为核心的功率MOSFET测试仪的原理、系统结构及具体的软硬件设计。将脉冲功率法引入功率MOSFET跨导和沟道电阻的测试,很好地解决了大电流偏置下参数测试的散热问题。所设计的功率MOSFET测试仪可以进行功率MOSFET的耐压、沟道电阻、开启电压、跨导及输入结电容几个参数的精确测量,并已实用化。

关键词： 电力半导体器件   半超结   电压支持层   击穿电压  

摘要： 给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为32 mΩ.cm2的半超结结构。结果表明在不增加外延次数,工艺成本和难度的情况下,深宽比为5半超结MOS的特征导通电阻比VDMOS的下降了64%,比超结MOS的下降了8%。

关键词： 欧姆定律   物理知识   电学   应用  

摘要： 欧姆定律是电学知识的核心，是学习电学知识和分析电路进行计算的基础，只有正确理解、掌握和应用欧姆定律，才能提高学生应用物理知识解决实际问题的能力。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管   电气特性   频道   双门   MOSFET   异质   应变   立式  

摘要： 因为设备特征尺寸连续地缩小，显得各种各样设备和集成电路的制造和表演上的短隧道的效果。我们在场一扇垂直的双门(VDG ) 拉紧隧道异种结构 metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor (MOSFET ) 。有按比例缩小到 60nm 的有效的门长度的设备的电的特征被模仿。开车水流和跨导被 57.92% 和 54.53% 分别地改进的结果表演，和格子秋千被 36.83% 在他们的不勉强的对应物上减少。VDG MOSFET 展出一个更强壮的能力在传统的 MOSFET 上限制 short-channel-effects。

关键词： 同步降压控制器   双路输出   MOSFET   Maxim   设计平台   电压范围   总线系统   输出电流  

摘要： Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAXX15034，能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台，从而减少了元件种类、降低了成本。此外，器件的输入电压范围为4．5V至5．5V或5．5V至28V，可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化，理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。

关键词： 光电耦合器   电源   MOSFET   栅极驱动   飞兆半导体   共模抑制   输出电流   工业环境  

摘要： 飞兆推出CMR光电耦合器解决方案 飞兆半导体（Fairchild）推出共模抑制（CMR）光电耦合器解决方案FOD3120和FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2．5A和1A的栅极驱动光电耦合器，即使在最噪杂的工业环境中，也能够轻易驱动1200V／20AIGBT和MOSFET。

关键词： MOSFET驱动器   半桥   电子元器件   “AAT4910”  

摘要： Analogic Tech宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。

关键词： 分时控制   感应加热   高频  

摘要： 研究了一种采用分时控制方法的MOSFET固态高频感应加热电源,电源输出频率是功率器件工作频率的n倍(采用n个桥分时工作)。利用MATLAB/SIMULINK实现了分时控制的仿真,分析了分时控制的工作状态,对器件功耗进行了理论推导,并对如何实现分时控制进行了介绍,且根据仿真画出了并行控制和分时控制2种控制方式下MOSFET器件损耗的曲线图。仿真结果表明分时控制在实现固态感应加热电源的高频化方面优于并行控制。