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关键词： 导通状态   阈值电压   漏极   源极   通态电阻   MOSFET   栅源电压   截止状态  

摘要： 分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻,缩写为RDS(on)。这个RDS(on)想法看起来非常简单:当FET处于截止状态时,源极和漏极之间的电阻非常高,以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时,它处于“导通状态”,漏极和源极通过电阻等于RDS(on)的沟道连接。然而,如果您熟悉MOSFET的实际电气行为,您应该很容易认识到该模型与事实不符。

关键词： TO-247-3   压接封装   SiC MOSFET   分立器件   寄生电感   开关损耗  

摘要： 现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先,基于封装结构,评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性;其次,针对小尺寸SiC MOSFET芯片,设计具有U型栅极顶针和垂直换流回路的分立式压接封装结构,并利用磁场相消原理进一步降低功率回路寄生电感;再次,利用Pspice软件对SiC MOSFET器件开关行为建模,对比分析分立式压接封装与TO封装下SiC MOSFET器件的开关特性。最后,搭建电感钳位双脉冲测试平台进行实验验证。仿真和实验结果表明,在相同电流等级下,采用分立式压接封装结构的SiC MOSFET器件具有更低的封装磁场分布和更低的寄生电感,可以显著提升器件开关速度并降低开关损耗。

关键词： 碳化硅MOSFET   电磁干扰   噪声源阻抗   混合EMI滤波器  

摘要： 由于碳化硅MOSFET在高速开关电源中的广泛应用，导致严重的EMI问题，因此EMI滤波器的设计成为一个研究热点。为了满足EMC标准，无源EMI滤波器可以有效地降低DC/DC变换器产生的电磁干扰，但是无源磁性器件的体积较大不利于提高DC/DC变换器的功率密度。本文分析DC/DC变换器的电磁干扰源和噪声源阻抗特性，建立无源和有源EMI滤波器的理论模型，提出宽频混合EMI滤波器的设计方法。最后，通过实验验证宽频混合EMI滤波器对DC/DC变换器电磁干扰的抑制效果。

关键词： 双沟槽SiC MOSFET   重离子辐照   单粒子烧毁  

摘要： 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验，分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明，辐照过程中随着初始偏置电压的增大，器件漏极电流增长更明显

关键词： 4H-SiC MOSFET   总剂量效应   阈值漂移   栅极偏置   退火  

摘要： 文章针对总剂量效应造成的MOSFET阈值漂移问题,使用1 200 V SiC MOSFET进行辐照试验,对栅极偏压和辐照后高温栅极偏置退火对阈值漂移的影响和原理进行了研究。通过中带电压法分析发现,造成阈值电压负向漂移的主要原因是辐照产生的空穴被近界面陷阱俘获。通过对不同栅极氧化层退火条件制备的SiC MOSFET试验和分析,得出了当使用氮化气体退火进行总剂量效应加固时,需要折中考虑对沟道迁移率的影响;在5%氮化气体体积分数、1 300℃下退火60 min的条件下制备出来的SiC MOSFET沟道迁移率较高,并且抗总剂量效应能力较强。

关键词： 初中物理   信息技术   欧姆定律  

摘要： 初中物理和信息技术教学的融合是自然可行的,信息技术为物理学习提供探究工具,物理为信息技术学习提供实践场所。数据、信息、知识、分享是信息向知识转化的四个核心环节,也是初中物理与信息技术跨学科教学的实践路径。本文以“欧姆定律”一节教学为例,探讨了初中物理与信息技术跨学科教学的实践方法。

关键词： 真实问题   复习课设计   欧姆定律  

摘要： 学生的学习应该在真实问题解决中发生,开展指向真实问题解决的课堂教学是培养学生核心素养的有效途径。在物理中考复习课的设计中,依据核心内容设计有思维深度的真实问题,将知识融入到相应的学习任务中,把学习变成一个个探究活动,促进学生在真实问题解决中拓展认知广度及深度,有效提升学生发现问题、解决问题的关键能力。

关键词： 焦耳定律   安全用电   欧姆定律   中考物理   电热器   理解与运用   电功率   家庭电路  

摘要： 教材中“焦耳定律”的内容安排在电功率知识板块之后,进一步加强了对电功、电功率、欧姆定律的理解与运用,同时也为下一节“家庭电路与安全用电”的学习做铺垫.本文就同学们在学习焦耳定律的过程中面临的一些问题与困难进行逐一探讨.问题一:什么是电热器?

关键词： GaN   电力电子器件   GaN基准垂直MOSFET   再生长沟道  

摘要： 电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al_(2)O_(3)进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至1.8mΩ·cm^(2),击穿电压高达1053V。

关键词： 屏蔽栅   浮动电极   特征导通电阻   特征栅漏电容  

摘要： 提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm^(2)、特征栅漏电容为4.72 pF·mm^(-2)的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。