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电路原理

作者: 程洪滨
介绍:电路原理是电气、电子、通信、计算机、自动化、生医等专业最重要的学科基础课。后续各专业基础课和专业课都建立在本课程的知识体系之上。它是电类专业本科生的看家课。课程共64学时,主要内容包括:线性电阻电路分析、非线性电阻电路分析、动态电路的时域分析和正弦激励下动态电路的稳态分析4大部分。
主题:电流的参考方向 电压的参考方向 周期性电流的有效值 正弦电流的有效值 线性定常电阻元件 欧姆定律 理想电压源 理想电流源 受控电源 MOSFET MOSFET的电路模型 基尔霍夫电流定律 基尔霍夫电压定律 电阻的串联和并联 电阻的△Y等效变换 电源的等效变换 运算放大器的电路模型和外特性 含负反馈理想运算放大器电路 二端口网络参数与方程 二端口网络等效电路 二端口网络联接 支路电流法 节点电压法 回路电流法 叠加定理
文献总量:9044 期刊文献:9042 图书:2
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主题

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机构

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  • 36 篇 华北电力大学
  • 36 篇 北京工业大学
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  • 34 篇 中国科学院大学
  • 34 篇 西安理工大学
  • 31 篇 安徽大学

作者

  • 33 篇 王阳元
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  • 25 篇 刘松
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语言

  • 8,780 篇 中文
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双沟槽SiC MOSFET总剂量效应研究
朱文璐 郭红霞 李洋帆 马武英 张凤祁 白如雪 钟向丽 李济芳 曹彦辉 琚安安 
湘潭大学材料科学与工程学院 西北核技术研究所 
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SiC MOSFET结温监测与控制技术综述
张擎昊 郑大勇 张品佳 
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在初中物理复习课中发展学生科学思维的策略——以人教版初中物理教材九年级全一册“欧姆定律单元复习”为例
佟海丹 
大连市中山区实验学校 
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基于EMR信号的SiC MOSFET栅氧化层退化状态监测方法
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有关感生电动势的再讨论——从实验的角度来论证
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功率MOSFET器件热阻测试分析研究
武立言 盖兆宇 赵玉佳 
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非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
北京大学 北京微电子技术研究所 
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SiC MOSFET的研究进展
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西安工程大学理学院 
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安全工作区外重复过电压硬开关下SiC MOSFET参数退化特性与机理
张岩 薛少鹏 李阳 李现亭 刘进军 
西安交通大学电气工程学院 
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SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
谢佳明 魏金萧 吴彬兵 丰昊 冉立 
输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学) 合肥工业大学电气与自动化学院 
来源 同方期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
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