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关键词： 电池   体验   核心素养   探究   电动势  

摘要： 本文对"土豆电池实验""内外电压的测量和数据分析"等活动进行了优化改进和深入研究。在丰富了情境创设的同时,提高了案例的科学性、可靠性、易操作性、易维护性。通过提高备课效率,使得本案例设计容易推广应用到日常的教学活动中。通过"造电池""用电池""研究电池"的过程,学生可以对"电池"形成更加全面的认识。

关键词： 碳化硅器件   驱动电路   关断过压   开关损耗  

摘要： SiC MOSFET以其开关速度快、开关损耗小、热导率高等特点逐渐成为高功率密度电力电子应用场合的新宠,但是较快的开关速度导致器件开关应力以及振荡严重。提出了一种基于动态栅电阻的SiC MOSFET驱动电路,其可以动态地通过调整栅极电阻来优化SiC MOSFET的开关特性,有效地解决了传统驱动电路不能兼顾损耗与开关应力的缺点。最后,利用1200 V/300 A SiC MOSFET(Cree)通过双脉冲实验证明了动态栅电阻驱动电路对优化开关特性具有明显优势。

关键词： 三菱电机   太阳能发电   低功率损耗   功率半导体   误开通   功率变换   电源系统   车载充电器  

摘要： 近年来,从节能和环保的观点出发,业界对于可大幅降低功率损耗的SiC功率半导体的期待与日俱增。自2010年起,三菱电机就搭载了SiC-SBD※1或SiC-MOSFET※2的SiC功率半导体模块。此次,三菱电机新开发功率半导体「SiC-MOSFET 1200V N-系列」,该系列产品具有低功率损耗和高抑制误开通能力,有助于需要功率变换的高压车载充电器和太阳能发电等各种电源系统低功耗化及小型化。该系列6个品种的样品将于2020年7月开始提供。

关键词： MOSFET   junctionless   RF   biosensor   DIBL   double gate  

摘要： CMOS technology is one of the most frequently used technologies in the semiconductor industry as it can be successfully integrated with *** two years the number of MOS transistors doubles because the size of the MOSFET is *** the size of the MOSFET reduces the size of the channel length which causes short channel effects and it increases the leakage *** reduce the short channel effects new designs and technologies are *** gate MOSFET design has shown improvement in performance as amplifiers over a single ***-based MOSFET design can be used in a harsh *** has been used in various applications such as in detecting *** increase in number of gates increases the current drive capability of *** MOSFET is an example of a quadruple gate around the four sides of channel that increases gate control over the channel *** also increases effective channel width that improves drain current and reduces leakage current keeping short channel effects under *** MOSFET operates faster and uses less power with increase in ON-state current leading to a good value of ION/IOFF *** this paper,several gate and channel engineered MOSFET structures are analyzed and compared for sub 45 nm technology node.A comparison among different MOSFET structures has been made for subthreshold performance parameters in terms of IOFF,subthreshold slope and DIBL *** analog/RF performance is analyzed for transconductance,effective transistor capacitances,stability factor and critical *** paper also covers different applications of advance MOSFET structures in analog/digital or IoT/biomedical applications.

关键词： 加速器电源   SIC1182K   SiC MOSFET   驱动电路  

摘要： 为了使强流重离子加速器装置(HIAF)碳化硅功率开关器件SiCMOSFET工作在理想状态,设计了基于SIC1182K驱动芯片的SICMOSFET驱动电路。对该驱动电路的输出电压、响应时间、脉宽连续可调性、稳定性和可靠性进行实验测试,测试结果表明:该驱动电路能够长时间、稳定可靠工作,满足SiC MOSFET的工作需求。

关键词： 节点电压法   受控源   短路电流   控制量  

摘要： 回路电流法是常用的电路系统分析方法之一,但当电路有开路线,并且开路电压是受控源控制量时,无法利用传统的回路电流方程的标准形式正确求解这类电路.本文讨论并分析了这类问题,得出在不改变电路结构的情况下,只有把开路电压(即控制电压)当作电压源时,才能得出正确的结果,并且给出了这种情况下合理的解释.该解释扩展了用回路电流法的标准形式求解电路的应用范围,完善了回路电流法通用的求解形式.

关键词： 锁相环   MOSFET   快速锁定  

摘要： 捷变频率合成是雷达、通信、电子战等领域中极为重要的技术。锁相环因其应用的灵活性,在频率合成领域得到了广泛的应用。讨论了一种改进型的快速锁相环路,通过建模仿真以及实物验证,该锁相环路在常规锁相环的基础上提高了频率锁定速度,具备较好的工程应用价值。

关键词： 占位面积   空间利用率   Nexperia   DPA   替代产品   系列产品   封装   节省空间  

摘要： 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。

关键词： 英飞凌科技   开关电源   太阳能系统   大中华区   SMPS   传感系统   第三代半导体   功率密度  

摘要： 日前,英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列,可以满足包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源详细解读了英飞凌全新650V SiC的产品特性,以及英飞凌在SiC等第三代半导体领域的布局。解析SiC市场陈清源表示,单就SiC技术来说,英飞凌已经耕耘了超过十年,目前是第六代产品,包括MOSFET、二极管、模组、驱动以及车用几大系列。

关键词： Alpha   产品组合   GaN   IGBT  

摘要： Alpha Omega推出1.2kV 65mΩ碳化硅MOSFET,这是该公司首次推出SiC相关产品。"经过多年的开发,我们很高兴将SiC技术添加到Alpha Omega的产品组合中。"公司董事David Sheridan说,目前公司现有的产品组合还包括Si MOSFET和IGBT以及650V GaN。