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关键词： MOSFET   结电容   I_G电流   开通过程   关断过程   开关速度   米勒效应  

摘要： 与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象。因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOSFET器件开关速度的主要因数进行分析,并提出解决方法。

关键词： 辅助变流器   碳化硅功率器件   功率模块试验   变流器效率  

摘要： 辅助变流器是导轨电车上的重要电源设备,为全车提供380 V交流电和24 V直流电源。目前辅助变流器普遍采用基于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块进行设计,其体积大、开关频率低、功率密度小,无法满足当前导轨电车辅助变流器小型化、轻量化的设计需求。采用新型SiC(碳化硅)MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)功率器件代替IGBT进行系统设计,以提高系统开关频率,优化设计外围无源器件,同时利用新型箝位电路抑制了高开关频率带来的尖峰电压。通过计算及试验,验证了基于SiC设计的新型导轨电车辅助变流器在体积和性能方面的优势,对SiC MOSFET器件的应用具有积极意义。

关键词： 集成电路   半导体器件   性能改善   Power MOSFET   Unclamped Inductive Switching  

摘要： 分析UIS失效的发生机理,提出了改善UIS性能的三个方面,避免产生极端电场强度、避免缺陷产生电流聚集效应、合适的沟槽深度保证charge balance电荷平衡。并且能够紧扣实验,通过实验结果来详细论证这三个观点。提出在半导体工艺制程和集成电路器件设计过程中改善UIS能力与一致性的方法。

关键词： 电池管理系统   电动汽车   电感均衡   MOSFET  

摘要： 针对电动汽车锂离子电池组,提出了一种基于耦合电感均衡方法,建立一个更为简单高效和经济的电路。对于八个串联电池单体均衡,该均衡电路选用了四个电感、八个N沟道MOSFET,它们由同步触发模式中的一对互补信号控制。给出了电路的理论推导,设计了一个完整的均衡电路,并对均衡过程进行仿真和实验验证,验证了该均衡电路的有效性。由于采用了基于电感的均衡方法,该方案适用于快速均衡,与常规的基于电感均衡技术相比,该拓扑结构具有元件少、均衡快等优点。

关键词： 氧化镓(Ga2O3)   金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   T型栅   击穿电压   功率品质因子  

摘要： 基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 cm^-3。器件采用栅长为1μm的T型栅结构,栅源间距为2μm,栅漏间距为18μm;采用原子层沉积(ALD)法生长的高介电常数氧化铪(HfO2)作为栅介质。研制的器件漏源饱和电流密度达到115.8 mA/mm,比导通电阻为52.82 mΩ·cm^2。T型栅结构有效抑制了Ga2O3沟道中的峰值电场强度,提升了器件的耐压特性;而高介电常数的HfO2介质有效降低了器件的漏电流,器件的击穿电压达到1953 V,开关比高达109,器件功率品质因子为77.2 MV/cm^2。

关键词： 初中物理   实验导学   思维发展   课堂教学  

摘要： 基于实验导学下以学生思维发展为本的物理课堂教学是以学生思维发展需要为出发点,老师做出有思维导向的教学设计,以实验为载体,以问题为导向,根据所要研究的主题,创设科学的实验情境来贯穿、引导整个课堂,让学生经历自主独立地发现问题、实验探究、操作、数据处理等探究活动,在思考中体会物理概念形成过程中所蕴涵的物理方法,通过分析、概括、归纳等思维活动来得出物理规律,不仅有利于培养学生分析和解决问题的能力,更能进一步地激发学生的实验探究欲望.

关键词： 智能交通管理系统   智能汽车   电动汽车   智能功率模块   首席技术官   驾驶人员   人工干预   汽车行业  

摘要： 如今,人类社会正加速拥抱智能化,汽车行业也随之迎来变革。智能化将开启汽车新时代,智能汽车到底该如何定义?近期,中电网记者有幸采访到各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID首席技术官Pierre Delatte先生,Pierre Delatte认为,智能汽车最终将是一种自动的、零排放汽车,驾驶人员无需进行人工干预,通过网络和智能交通管理系统优化其能耗和自主性。

关键词： 英飞凌科技   MOSFET   载流能力   引脚排列   电动工具   电池管理系统   Strong   IRF  

摘要： 英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60V MOSFET产品阵容,推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用,包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。全新D2PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET封装阵容更加壮大。这能带来更多选项,有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外,全新封装的可互换引脚排列选项可带来出色的设计灵活性。相比标准的D2PAK 7pin封装而言,该全新系列器件的RDS(on)较之上一代器件减小13%,载流能力提高50%。譬如,标杆产品IRL40SC240是一款RDS(on)为0.65mΩ、载流能力为360A的40V器件。

关键词： 无线基站   基站电源   网络覆盖   基站建设   DC/DC转换器   应用环境   MOSFET   高速稳定  

摘要： 面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战,需要电源器件不仅具有高性能,同时还要具有稳定性和耐久性,以助力运营商和设备厂商更好地完成4G到5G的平稳升级,实现高速稳定的网络覆盖。为此,罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC转换器等。

关键词： MOSFET管   隔离驱动电路   脉冲变压器隔离   参数设计  

摘要： MOSFET因为其控制方式较为简单,输入阻抗较高,噪声低,热稳定性好,寿命较长等优点,被广泛应用在中小功率和高频开关电路中。本文围绕其驱动电路展开研究,了解驱动电路的基本需求后,设计了一种利用脉冲变压器进行隔离的MOSFET驱动电路,给出驱动电路具体参数设计并进行了详细的阐述。最后在搭建实际模型电路并进行验证,实验数据进一步验证了整个驱动电路可满足预期指标,占空比可调节范围广,响应速度可达100kHz,且电路还具有隔离保护功能,因此在工业生产中有一定的实际意义。