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关键词： SiC MOSFET   Si IGBT   混合器件   损耗模型   功率模块  

摘要： 综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。

关键词： 初中物理   核心素养   实验探究   生成问题  

摘要： 基于实验探究在初中物理教学过程中的重要性,指出教师要培养学生自主学习、合作探究的能力,更要注重培养学生在实验探究过程中生成问题再通过对生成的问题进行分析、交流、探究,获得正确实验结论的能力,从而激发学生学习物理的兴趣,提升学生的核心素养。

关键词： PFC电路   MOS管   振荡  

摘要： 本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理,通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因,并结合实际应用给出具体的解决措施和方案,通过实验及大批量的生产验证表明,措施有效,稳定且可靠,对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。

关键词： SiC MOSFET   导通电阻   遗传算法(GA)  

摘要： 提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。

关键词： 知识的理解   探究过程   欧姆定律   学生体验   规律教学   物理规律   感悟物理   例谈  

摘要： 在物理规律的教学中,教师务必要关注学生的体验,让学生通过经历和体会来感悟物理知识的探究过程,由此加深他们对物理知识的理解。下面以“欧姆定律”为例,分析具体的教学。

关键词： 选拔性考试   简单电路   欧姆定律   电路分析   解决问题的能力   实验考查   串并联电路   解题策略  

摘要： 初中物理电学部分主要考查的是关于简单电路的分析、串并联电路中的电流、电阻、电压的计算,包括欧姆定律、电功和电功率的简单计算等,实验考查中最常见的电路的连接、正误判断、各种表的使用等。中考兼具毕业水平考试与升学选拔性考试的特征,对每一类题型都会有跨度较大的相关问题呈现,在电路连接的实验类题目中,既有相对简单的关于电表的选择,也有较难的电路分析和电路实物连接,需要学生牢固掌握电学基础知识,具备解决问题的能力。

关键词： 双有源桥   仿真分析   SiC MOSFET  

摘要： 通过搭建单管效率仿真模型,从功率损耗角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势。此后结合Ansoft Maxwell有限元分析,建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型。基于双有源桥双向DC-DC拓扑进行效率仿真,对比不同开关频率相同输入输出工况下全负载范围内二者效率差别,总结SiC MOSFET优势所在与适用工况范围。

关键词： 功率MOSFET   超结结构   输出电容   横向电场  

摘要： 本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态和输出电容变化的关系,最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸,更低输出电容转折点电压,降低开关损耗,同时产生非常大的du/dt和di/dt,对系统EMI产生影响。

关键词： 安森美半导体   宽禁带   导通电阻   快速开关   仿真环境   生态系统   介电击穿   MOSFET  

摘要： 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。除了硬件以外,我们还提供spice物理模型.

关键词： Ga203,1MOSFET   thermal conductivity   heterogeneous   Ga2O3-Al2O3-Si  

摘要： β-Ga2O3 MOSFETs are demonstrated on heterogeneous Ga2O3-Al2O3-Si(GaOISi)substrate fabricated by ion-cutting ***(E)-and depletion(D)-modeβ-Ga2O3 transistors are realized on by varying the channel thickness(Tch).E-mode GaOISi transistor with a Tchof 15 nm achieves a high threshold voltage VTHof^8 *** the same T increase,GaOISi transistors demonstrate more stable ON-current IONand OFF-current IOFFperformance compared to the reported devices on bulk Ga2O3 *** on GaOISi achieve the breakdown voltage of 522 and 391 V at 25°C and 200°C,respectively.