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关键词： first principle   two-dimensional material   electronic properties   arsenene   MOSFET  

摘要： Two-dimensional material has been regarded as a competitive silicon-alternative with a gate length approaching sub-10 nm,due to its unique atomic thickness and outstanding electronic ***,we provide a comprehensively study on the electronic and ballistic transport properties of the puckered arsenene by the density functional theory coupled with nonequilibrium Green’s function *** puckered arsenene exhibits an anisotropic characteristic,as effective mass for the electron/hole in the armchair and zigzag directions is 0.35/0.16 m0 and 1.26/0.32 *** it also holds a high electron mobility,as the highest value can reach 20045 cm2V–1s–***,the puckered arsenene FETs with a 10-nm channel length possess high on/off ratio above 105 and a steep subthreshold swing below 75 mV/dec,which have the potential to design high-performance electronic ***,the channel length limit for arsenene FETs can reach ***,the benchmarking of the intrinsic arsenene FETs and the 32-bit arithmetic logic unit circuits also shows that the devices possess high switching speed and low energy dissipation,which can be comparable to the CMOS technologies and other CMOS ***,the puckered arsenene is an attractive channel material in next-generation electronics.

关键词： 导通电阻   功率MOSFET   高功率密度   传导损耗  

摘要： Vishay首度推出-30Vp沟道功率MOSFET——SiRA99DP,10V条件下导通电阻降至1.7mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15mm×5.15mm PowerPAK SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。

关键词： 欧姆定律   电阻定律   科学探究   理论探究  

摘要： 科学探究包含实验探究和理论探究,高中物理中的一些规律既可以从实验角度来探究也可以从理论角度来探究。从理论角度探究更加有利于培养高中学生的科学思维,本文将呈现从理论角度来探究欧姆定律的教学设计。

关键词： 理想变压器   等效电阻法   远距离输电   欧姆定律  

摘要： 在近几年的高考中,变压器的考查难度有所增加,特别是在原线圈中加入电阻,使问题更加复杂,不仅要求学生对理想变压器的原理有深层的理解,而且会结合远距离输电的知识来考查,思路复杂,运算量也很大,本文先对等效负载电阻进行的推导,再在理想变压器和远距离输电等问题中应用常规方法和等效电阻法进行对比,从而得出等效法在变压器一类题型中可以使思路简单化,让问题迎刃而解[1].

关键词： SiC MOSFET   Si IGBT   温度敏感电参数   结温提取   可靠性  

摘要： 功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。

关键词： 肖特基二极管   导通电阻   栅极电荷   功率转换   通信应用   元器件数量   内部连接   功率级  

摘要： Vishay推出新款30Vn沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET和低边SkyFET MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR 3.3mm×3.3mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1 MOSFET在10V和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mΩ和7.0mΩ。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mΩ和2.57mΩ。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。

关键词： 实验总结   高中阶段   欧姆定律   验证方案   物理教学   磁传感器   电流表   电压表  

摘要： 欧姆定律是电学中非常基础也是非常重要的一条定律,在初、高中阶段的物理教科书中都有专门的介绍。该定律是由物理学家欧姆通过实验总结出来的,对欧姆定律进行实验验证也是物理教学中的一部分。目前各版本初、高中阶段的教材给出的验证方案大同小异,都要用电流表测量通过待测电阻的电流I,用电压表测量待测电阻两端的电压U。得到多组数据后看是否满足I=U/R,或者是作出待测电阻的U-I图像或I-U图像,看图像是否是一条过原点的倾斜直线。

关键词： 碳化硅   平面栅MOSFET   导通电阻   载流子扩展层   JFET注入  

摘要： 碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1200 V及1700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响。测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小。

关键词： 能源之星   数据中心   办公设备   电气产品   电源效率   电源解决方案   美国联邦政府   便携式电源  

摘要： 随着数据中心、电动汽车(EV)、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)和便携式电源市场需求的不断增加,对于更高效率电源解决方案的要求也在不断提高。由美国联邦政府支持的能源之星ENERGY STAR?计划,提供一种简单而公正的方法来评估多种电气产品的能效,包括计算机、数据中心设备、电器、办公设备、供暖和制冷以及许多建筑产品。多家《财富》500强公司遵循美国环境保护署(EPA)的准则生产高能效产品,以改善环境,包括空气质量等。据估计,仅2017年一年,经能源之星ENERGY STAR认证的产品就节约了超过300亿美元。

关键词： 3300V SiC MOSFET   高温栅偏   栅氧   可靠性  

摘要： 碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积。在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究。首先,按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏HTGB(high temperature gate bias)试验;其次,针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明,在高压SiC MOSFET中,漏源反偏时栅氧的电热应力较大,在设计及使用时应尤为注意。