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- Implementation of 1.7 kV Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Auxiliary Power Supplies for Industrial Applications
- Littelfuse Inc.Round Rock TX 78681USA
- 来源 维普期刊数据库 IEEE期刊 详细信息
- 低压MOSFET集成ESD保护结构的设计方法
- 深圳市明微电子股份有限公司 广东518000深圳方正微电子有限公司 广东518000
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
- SiC MOSFET半桥电路开关瞬态过电流、过电压建模与影响因素分析
- 北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院 北京100191
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
- 一种基于门极电压阈值检测的SiC MOSFET结温在线监测方法
- 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学) 北京市海淀区100084
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
- 巧设对比实验 深化概念理解——以《测小灯泡电阻》设计为例
- 山东省淄博市临淄区实验中学
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
- Monitoring of SiC MOSFET Junction Temperature with On-state Voltage at High Currents
- Institute of Electrical Engineering Chinese Academy of SciencesBeijing 100190ChinaUniversity of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China
- 来源 维普期刊数据库 IEEE期刊 详细信息
- 4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性
- 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安710049东莞清芯半导体科技有限公司 广东东莞523808
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息
- 一种SiC MOSFET 谐振门极驱动电路
- 江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京210096
- 来源 维普期刊数据库 同方期刊数据库 详细信息