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关键词： 新高考   闭合电路欧姆定律   物理教学  

摘要： 在新高考背景下,如何更有针对性、更有效地进行物理教学是一个值得研究的问题。文章以“闭合电路欧姆定律”的教学设计为例,讨论了在不同选课组合中进行授课时的不同处理方法。

关键词： 欧姆定律   测电阻   等效思想  

摘要： 等效思想中包含了"等效""等量""同理"等思想方法.非常规方法测电阻是测电阻方法的补充和延伸,是欧姆定律应用的重要内容,也是后续"电功和电热"教学中测电功率的基础.能否掌握非常规测电阻的方法直接体现出学生对欧姆定律是否达到课标所要求的理解层次.本节案例是欧姆定律教学的"制高点",而等效思想则是使教学站上这一制高点的突破口.

关键词： 功率器件   UPS系统   MOSFET   系统效率   英飞凌   整流侧   SiC  

摘要： SiC方案能有效地提升UPS系统效率,分别介绍了在逆变侧和整流侧的方案以及对系统效率的提升。如果想使UPS系统效率接近甚至达到98%,目前SiC MOSFET方案是最好的选择,也基本姥唯一的选择。

关键词： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管   有源驱动电路   过冲   振荡  

摘要： 与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。

关键词： PCRR教学模式   闭合电路欧姆定律   科学论证   模型建构  

摘要： 通过对PCRR教学模式基本思想的分析,结合“闭合电路欧姆定律”的内容特点,以影响电源内阻大小因素、闭合电路电势变化规律和能量转化过程等学生学习的重点和难点为论证内容,探讨PCRR教学模式在“闭合电路欧姆定律”教学中的应用,以期为落实学生科学论证能力的培养摸索切实可行的方法和途径。

关键词： SiC-MOSFET   光伏发电   效率   并联驱动震荡  

摘要： 本文通过介绍SiC材料及SiC功率器件特性,指出SiC功率器件非常适合高频、高压化。文章通过设计一台额定输入功率5.4kW、开关频率30k Hz的光伏boost变换器,分析计算SiC-MOSFET损耗远远低于Si-MOSFET和Si-IGBT损耗。使用SiC-MOSFET的光伏发电系统具有转换效率高、发电量高的优势。文章最后分析SiC-MOSFET并联震荡问题,并提出了一些解决方法及建议。

关键词： 欧姆定律   电路图   电力故障  

摘要： 欧姆定律在电学世界占领一席之地,更是频频在中考题中崭露头角,因此牢固掌握和深化相关的重难点极为重要.本文从理清思路看懂电路图、火眼金晴辨电路故障、欧姆定律生活化三方面探讨解决有关欧姆定律习题的思路.

关键词： SiC MOSFET   有源门极驱动   电流动态调节   过冲   振荡   开关损耗  

摘要： 与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡,严重威胁Si C基变换器的可靠运行。针对这一问题,文中对SiC MOSFET的开关暂态过程进行深入分析,揭示门极驱动电流对开关过程电压电流过冲、振荡与开关损耗的影响机理。在此基础上,提出一种驱动电流分段动态调节的SiC MOSFET有源门极驱动电路,即根据开关过程不同阶段的状态反馈动态调整器件门极驱动电流。实验结果表明,所提出的方法能够在维持低开关损耗的同时,实现了对SiC MOSFET开关过程中电压电流过冲和高频振荡的有效抑制,提升SiC基电力电子装置的动态性能与运行可靠性。

关键词： SiC MOSFET   场限环   击穿电压   阈值电压   高温反偏(HTRB)  

摘要： 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。

关键词： 无线基站   低导通电阻   电源产品   功率器件   DC/DC转换器   高速开关   MOSFET   开关损耗  

摘要： 1无线基站罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等,有助于降低功耗。Si CMOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性,即使在高温环境下也能显示出色的电器特性,有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650 V、1 200 V、1 700 V Si C MOSFET产品。