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关键词： 贝叶斯统计推断   开启电压   最大后验估计   后验分布  

摘要： 在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。

关键词： IR2181驱动芯片   MOSFET   全桥电路  

摘要： 文章主要对永磁无刷直流电机的驱动系统进行研究,提出了一种基于IR2181永磁无刷直流电动机驱动系统的具体实施方案,该方案采用基于IR2181的驱动芯片,增强了控制效果,降低了控制系统的成本,提高了驱动系统的稳定性,减小了操作难度。文章首先介绍了该系统的基本结构及其设计方法,同时对电路的工作流程进行了分析,最后通过实验验证了本方法的可靠性。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   地铁   牵引系统  

摘要： 随着材料科学的进步,碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已可以实现高压、高功率运行。相比于传统硅(Si)材料,SiC材料具备低开关损耗、低导通电阻、宽禁带及高热导率。使用SiC-MOSFET代替传统Si-绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件,可降低地铁牵引逆变器(INV-BOX)的体积、重量,实现更高的功率密度。通过对SiC-MOSFET模型的分析,着重解决SiC-MOSFET器件的高频驱动问题及在高功率运行过程中产生的电磁干扰问题,为下一步SiC-MOSFET的批量运用提供技术积累。

关键词： 宽高压范围   沟道调制效应   加速电容   分时驱动  

摘要： 传统驱动器由级联式的反相器组成,很难兼备速度快、驱动能力强及可靠性高的特点。为了提升驱动器的综合性能,设计了一款高速场效应管驱动器。通过仿真,在18 V工作电压下,可在60 ns内完成10000 pF电容充电,峰值电流达到4 A以上。通过对0.5μm高压BCD工艺流片后的电路测试,结果证明利用该设计,高速场效应管驱动器电路实现了预期的充放电速度,且性能可靠稳定。

关键词： 车辆辅助逆变器   碳化硅器件   高功率密度  

摘要： 为满足轨道交通高频化、小型化、轻量化、高功率密度的发展需求,在此研究一种基于高压全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的轨道车辆辅助逆变器。采用某型号SiC器件建立20 kW试验平台,验证SiC器件运行的可行性与稳定性,并通过对比SiC器件与硅(Si)器件性能,证明SiC器件的高效性。

关键词： 功率循环   瞬态热阻抗   半桥模块   IGBT   MOSFET   可靠性  

摘要： 高功率密度的功率模块是电动汽车的关键部件,其长期可靠性直接关系到电动汽车的可靠性,功率循环实验是检验功率模块可靠性的有效方法之一。针对电动汽车用功率模块对功率循环测试装置的需求以及测试标准AQG324的要求,搭建了15 kW/750 A功率循环测试装置,装置具有宽水温调节、高结温适应、精确测量以及多参数控制的特点。选用了3个不同封装工艺技术62 mm焊接式IGBT半桥模块,结合AQG324标准验证了装置的秒级功率循环实验能力以及可靠性,同时进行了功率循环实验和瞬态热阻抗测试,该装置能够满足电动汽车功率模块(IGBT或MOSFET模块)的功率循环测试需要,验证了测试装置的有效性和可靠性。

关键词： 串联电路   电流通路   并联电路   简单电路   连接电路   欧姆定律   轻松自如   学习兴趣  

摘要： 学习电学的起步之难在于对电路的识别,九年级刚学习电路,认识电路是电学的基础,将它学扎实了,就会激发我们的学习兴趣,轻松自如也就不言而喻。用导线把电源、用电器、开关连接起来组成的电流通路叫做电路。电路的连接方式有串联、并联和混联,而对我们初学者来说,只要掌握串联、并联两种基本方式即可。掌握了电路的识别和基本连接也为以后学习欧姆定律和电功率打下坚实的基础。所以理清串联电路、并联电路的概念对我们识别和连接电路是必不可少的。

关键词： 功率MOSFET   电解电容   状态转换   不间断供电  

摘要： 为满足现阶段试飞对改装系统提出的大电流不间断供电需求,文章提出了一种将功率MOSFET与电解电容相结合的供电状态转换技术,并研制出供电状态转换器,与改装标准配电装置组成一套不间断应急供电系统,可实现试飞改装中大电流关键负载的不间断应急供电。通过试验验证了该系统功能正常,满足设计要求。

关键词： SiC MOSFET   特性短路   过流保护   VDS(ON)检测   VGS检测  

摘要： 为了提高电力电子装置中SiC MOSFET可靠性,对SiC MOSFET短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下,对处于短路状态的SiC MOSFET的电流IDS和导通压降VDS(ON)进行测量和分析,在此基础上设计基于VDS(ON)检测的过流保护电路,比较两种消隐电路对保护的影响,实验证明,在消隐电路工作时,较大的充电电流可有效缩短保护时间,但电路功率消耗较大。针对半桥直通短路,根据SiC MOSFET的工作特性,提出一种基于门极电压VGS检测的直通短路保护方法,将半桥两只SiC MOSFET的VGS电压于门极阈值电压比较,如果同时超过阈值电压,可判断发生直通短路,实验表明,提出的保护方法具有保护时间快,短路电流小的特点,与VDS(ON)检测的过流保护电路配合,可以有效地保护SiC MOSFET。

关键词： 屏蔽栅沟槽MOSFET   紧凑型模型   BSIM4   Verilog-A  

摘要： 提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性.