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关键词： 双向全桥型DC-DC变换器   遗传-粒子群算法   小波包分析  

摘要： 针对船舶双向全桥型DC-DC变换器的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开路故障,文章提出一种基于小波包分析和概率神经网络(PNN)的故障诊断方法。首先,选用小波包分析提取故障特征向量并利用主成分分析法(PCA)降维。然后,利用遗传-粒子群算法(GA-PSO)优化PNN参数,使PNN故障分类器状态最优。最后,通过仿真实验,验证该方法适用性。结果表明,该方法可以准确诊断变换器MOSFET开路故障,稳定性和精度较好。

关键词： FC   PCIE   开关电路  

摘要： 受制于有限的机载航电设备功率预算,本文介绍了一种基于MOSFET的机载FC接口单元开关电路的设计方案,结合主机应用需求,给出了系统架构,并分别详细阐述了FC接口、PCIE接口和具有短路保护功能开关电路的设计。测试验证和工程应用表明,该机载FC接口单元和开关电路的各项性能指标均满足系统要求。

关键词： GaN MOSFET   栅极电阻   瞬态电流  

摘要： 为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小。栅极电阻从10Ω变化到100Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7%,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06%。在栅极电阻为10~100Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度。

关键词： 碳化硅MOSFET   瞬态可靠性   短路   UIS  

摘要： 随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点。文章主要研究了1200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征。通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析。通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析。

关键词： 变电站   站内短路   分流系数   回路电流法   架空地线  

摘要： 变电站站内出现接地故障后,威胁系统安全的是接地网电位的升高.决定地电位升的并非总故障电流大小,而是接地阻抗与最大暂态入地电流的乘积.故应引入分流系数来确定最大暂态入地电流.文中基于站内短路架空地线电流分布的等效电路模型,得到了结合回路电流法求取架空地线分流系数的公式,并结合MATLAB编程得到计算结果.针对某具体算例,分别利用CDEGS软件和回路电流法模型得到架空地线分流系数,对比两种方法计算结果,误差低于5%,符合工程计算要求,验证了所提方法的正确性.最后,文中分析了变电站接地电阻、杆塔接地电阻、杆塔的档数和档距、地线型号等影响分流系数的因素,并提出了降低地网入地短路电流的技术措施.

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   结温   通态漏源电压  

摘要： 以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯片通态漏源电压降和封装电路电压降,从而得到SiC MOSFET模块的通态漏源电压降的测量及计算方法。其次,分析SiC MOSFET模块的芯片通态漏源电阻和封装电路电阻的温度特性,并得到整个模块通态漏源电阻的温度特性。最后,提取SiC MOSFET模块的通态漏源电阻、芯片通态漏源电阻和封装电路电阻,利用芯片通态漏源电压降和封装电路电压降的温度特性关系得到SiC MOSFET模块通态漏源电压解析模型,该方法可以实现实时监测结温的目的。理论和实验结果证明了该方法的可行性。

关键词： 二端口网络   互易定理   叠加定理   等效电路  

摘要： 线性二端口网络是大学课程电路基础中的重要内容,教材中与线性二端口网络有关的习题一般与互易定理相关,偶尔配合叠加定理求解。该文针对互易定理过于抽象而导致教学难度增大这一问题,基于实际教学经验和等效分析法,提出了两电阻等效的概念,设计了二端口内部的等效电路,将问题简化,使教学过程更加通俗易懂,降低学生的解题难度,对于二端口网络的教学有一定的指导作用。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   变压器   同步触发  

摘要： 采用新一代半导体开关器件碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过新型平面式布局升压技术和优化同步触发电路,设计出一种可获得快上升沿、短脉冲的直线变压器驱动源(LTD)。该驱动源由8级LTD串联而成。此处在阐明LTD工作原理的基础上,详细分析LTD主电路参数的设计,以及8级串联结构的设计,并结合Pspice软件仿真与具体实验,充分验证了该驱动源设计的可行性。实验结果表明,该驱动源在200Ω负载上,可获得峰值电压约3.8 kV,上升沿约25 ns,下降沿约30 ns,整个脉冲宽度约100 ns输出,并实现在一定范围内输出脉宽可调。

关键词： 轨道交通   SiC MOSFET   牵引逆变器   电磁干扰   电机侧过电压   轴承电压   仿真  

摘要： 分析了轨道交通用牵引变流器采用SiC器件后,功率开关器件的高开关速度和高开关频率会给牵引系统设计带来负面问题。结合理论分析和实测结果,对采用全SiC MOSFET与传统Si基IGBT器件在牵引逆变系统电磁干扰、电机端的电压变化率du/dt和过电压、电机轴承电压等方面进行对比分析;针对SiC MOSFET带来的负面效应提出相应的抑制策略,满足既有牵引系统应用要求。

关键词： 欧姆定律   德国物理学家   金属导电   成反比   导体   电阻   端电压   电路  

摘要： 欧姆定律是指在同一电路中,通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比,跟这段导体的电阻成反比。即一段电路的两端电压为1V,通过的电流为1A时,这段电路的电阻为1Ω。该定律是由德国物理学家乔治·西蒙·欧姆1826年4月发表的《金属导电定律的测定》论文提出。其表述为,在同一电路中,通过某一导体的电流跟这段导体两端的电压成正比,跟这段导体的电阻成反比。