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关键词： 逆变器   自适应电流源   驱动电路  

摘要： 在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化。针对此问题,提出了一种应用于DC/AC逆变器的SiC MOSFET自适应电流源型驱动(CSD)电路,驱动电流可随负载电流自适应变化。以一个半桥逆变器为例,阐述了控制原理,详细分析了恒流驱动下功率管的开关特性,根据SiC MOSFET的驱动要求,以一个开关周期内损耗最小为原则设计了自适电流源驱动电路。最后通过实验验证了所提方法的有效性。

关键词： 电路分析   节点电压法   消元法   二端口网络   Y参数  

摘要： 基于Y参数方程与节点电压方程的形式相近,提出了用节点法求Y参数的方法。实例表明,该方法用于计算二端口网络的Y参数,十分方便和准确,有助于计算机辅助工程。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   谐振变换器   功率密度  

摘要： 风能作为使用最广泛和发展最快的新兴可再生能源之一,风电机组中变桨充电器设计面临小型化与高功率密度的发展趋势,针对变桨充电器中DC/DC电路拓扑进行了分析研究,在选取碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的基础上,以三相谐振LLC电路拓扑为研究对象,对其设计方案进行了详细分析,并研制了基于SiC-MOSFET的三相谐振LLC变换器实验样机,通过对样机的实验研究验证了设计方案的准确性与合理性。

关键词： 逆变器   死区消除   电流纹波  

摘要： 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)逆变器在高开关频率下死区效应严重的问题,提出一种基于电流纹波的死区消除策略。首先,分析了死区效应的产生原因;其次,介绍了非过零区与过零区的死区消除原则基础,通过实时计算电流纹波值,对过零区更新,提出基于电流纹波死区消除方法;最后,搭建了SiC MOSFET三相逆变器实验平台,验证了所提方法可明显提高基波电压百分比、有效降低电流中的谐波含量,且随着电压调制比的降低,所提方法仍能对死区效应起到很好的抑制效果,证明了方法的有效性。

关键词： 电流相量   变压器差动保护   差动保护装置   接地故障   引出线   短路故障   匝间故障   基尔霍夫电流定律  

摘要： 变压器差动保护作为变压器内部故障的主保护,其保护范围包括变压器本身、电流互感器(CT)与变压器的引出线等,能够有效反映接地故障、绕组与端部的短路故障、同一绕组的匝间故障等,具有较高的灵敏度。为了使正常运行或外部故障时流入差动保护装置的电流相量和为零,目前微机型差动保护装置采取对电流幅值和相位校正的方法,使正常运行时流入微机型差动保护装置的电流相量和近似为零,即ΣI=0,基本满足基尔霍夫电流定律[1]。这种在软件上进行幅值校正时,引入的折算系数称作为平衡系数,平衡系数整定正确与否直接影响差动保护动作的正确性。

关键词： 功率MOSFET   低导通电阻   电子元件   存储装置   高速开关   IGBT   高耐压  

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET—“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

关键词： 核心素养   实验课   教学结构   欧姆定律  

摘要： 以粤教沪科版"探究欧姆定律"一课的教学实践为例,浅谈基于学科核心素养培养的初中物理实验课教学结构的具体环节,包括创设情境、提出问题、科学探究与论证、精讲点拨疑难解惑、达标训练反馈检查以及总结拓展知识延伸等.

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   过流检测   短路保护  

摘要： 碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合。首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行。

关键词： SiC   MOSFET   Schottky barrier diode   reverse recovery   gate-drain charge  

摘要： A novel 4H-SiC trench MOSFET is presented and investigated by simulation in this *** device features an integrated Schottky barrier diode and an L-shaped P^+shielding region beneath the gate trench and aside one wall of the gate trench(S-TMOS).The integrated Schottky barrier diode works as a free-wheeling diode in reverse recovery and reverse conduction,which significantly reduces reverse recovery charge(Q_(rr))and reverse turn-on voltage(VF).The L-shaped P^+region effectively shields the coupling of gate and drain,resulting in a lower gate–drain capacitance(C_(gd))and date–drain charge(Q_(gd)).Compared with that of conventional SiC trench MOSFET(C-TMOS),the V_F and Q_(rr)of S-TMOS has reduced by 44%and 75%,respectively,with almost the same forward output current and reverse breakdown ***,the S-TMOS reduces Q_(gd)and C_(gd)by 32%and 22%,respectively,in comparison with C-TMOS.

关键词： 静电感应晶体管   垂直双扩散MOSFET   单粒子烧毁效应   Medici  

摘要： 对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。