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关键词： 一点接地   快速查找   欧姆定律   沙坪水电站  

摘要： 发电机转子一点接地故障是水轮发电机的一种常见故障。如出现一点接地应及时停机处理,严禁水轮发电机转子绕组带一点接地运行。若再发生另外一点接地可能会引起机组强烈振动,甚至造成转子擦伤定子铁芯的问题。接地点的快速查找是解决故障问题的关键。为此,文章结合沙坪水电站1F机组转子一点接地故障案例,通过欧姆定律串联分压原理快速查找故障点并及时处理,为处理类似故障事故的处理提供了经验。

关键词： 驱动电路   功率MOSFET开关   功率损耗   电磁干扰   DC-DC变换器  

摘要： 为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断。研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程。整个驱动电路采用0.18μm工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   碳化硅   键合线老化   状态监测  

摘要： 针对大功率碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块内部键合线健康问题,分析了键合线发生老化和失效的根本原因,讨论了键合线寄生阻抗及其变化对模块内部电流分布的影响,给出了稳态工况下电流分布的数学模型。最后,提出了一种基于关断瞬态辅助源极s与功率源极S间感应电压的键合线健康状态监测方法,搭建了模块老化的实验平台。实验结果表明,感应电压随着键合线老化而逐渐增大,当发生芯片级失效时,感应电压的变化较为明显,验证了所提方法的正确性。

关键词： 功率MOSFET   输出电容   米勒电容   非线性  

摘要： 本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的定义以及他们非线性特性的表现形态,探讨了影响这2个电容的相关因素,阐述了耗尽层电荷浓度非线性变化以及耗尽层厚度增加输出电容和米勒电容的非线性特性的原因。

关键词： 晶体管   驱动参数   协同控制  

摘要： 碳化硅(SiC)器件的高开关速度使得其瞬态过程的非理想特性显著增加,对杂散参数也更为敏感,容易激发高频振荡和超调。为充分发挥其高速开关过程中的低损耗性能优势,在此采取理论定性与实验定量相结合的方式,揭示了驱动参数对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的调控规律。通过搭建双脉冲实验平台,在验证模型分析准确性的基础上,着重研究驱动参数的匹配关系,在获得同样振荡和超调抑制效果时,实现更低的开关损耗。

关键词： 认知障碍   调查   微课   初中物理   欧姆定律  

摘要： 以"欧姆定律"的教学为例,在调查学生认知障碍的基础上,有针对性地制作微课,用以辅助教学,最后分析了微课辅助教学模式对学习效果的影响。研究结果表明:基于认知障碍调查而制作的微课,辅助教学的效果良好,能有效消除学生在言语信息、智慧技能、认知策略等方面存在的认知障碍。

关键词： 车载双向充电器   碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)   中线桥臂   三相四线逆变器   虚拟阻抗   控制延时  

摘要： 为增强电动汽车与电网的互动能力,车载双向充电器已成为现研究的热点。设计采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide-metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管(silicon-insulated gate bipolar transistor Si-IGBT)相结合,完成了基于双有源桥(dual active bridge,DAB)与三相四线逆变器级联的双向充电系统。通过建立逆变器数学模型分析了不平衡负载下产生分裂电容电压震荡的原因,描述了震荡幅值与负载不平衡度之间的关系,为分裂电容值的选择提供了理论依据。对实际控制系统中存在的延迟,分析使用Si-IGBT构建中线桥臂的可行性,提出了基于虚拟阻抗的双向充电器在不平衡负载下中线桥臂与其他3个桥臂之间的解耦控制方法。并使用10kHz与50kHz开关频率验证了不平衡负载下该控制方法对分裂电容电压震荡的抑制作用。提出该系统在V2G,G2V及V2H这3种不同工作模式下的详细控制策略,通过实验验证了不同模式下的控制策略及中线解耦控制方法的可行性和有效性。并进一步分析该拓扑结构在V2H模式下同时为多个不同住宅提供单相电的可能性,为采用SiC设计类似的电力电子设备提供系统的设计方案及控制方法。

关键词： 碳化硅   结电容   模型  

摘要： 针对碳化硅(SiC)MOSFET结电容,提出了一种建模方法。该方法通过统筹考虑寄生电容的物理结构模型、数学模型以及电路仿真模型后优化生成。此处考虑结电容对SiC MOSFET动态特性的影响情况,进而对3种结电容(栅源极电容、栅漏极电容和漏源极电容)进行建模探究,得出适用于SiC MOSFET的非线性结电容模型。最终通过仿真及实验验证,表明该模型具有一定的准确性和合理性。

关键词： 非隔离逆变器   交错并联   共模漏电流   单极性调制  

摘要： 为了提高光伏并网逆变器转换效率并解决漏电流问题,提出一种新型的交错并联型单相非隔离MOSFET并网逆变器。引入了交错并联技术,在不提高开关频率的情况下,可以使逆变器输出纹波电流减小,提高系统的功率密度。在续流阶段电流不流经体二极管,因此可以使用MOSFET,相比于绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)具有更低的开关损耗。采用单极性调制策略,电感纹波电流小,同时无桥臂直通问题。最后制作了一台2 kW的原型机,实验结果表明所提出的拓扑具有良好的漏电流抑制能力和较高的效率,验证了理论分析的正确性。

关键词： 核心素养   认知冲突   高中物理教学   拓展延伸   闭合电路欧姆定律   原有知识   教学方法   探究环境  

摘要： 在高中物理教学体系中,闭合电路欧姆定律一直都是教学的重难点,是部分电路欧姆定律的拓展延伸。由于生活经验和不同学习阶段概念和规律的内涵发生了变化,导致学生在高一阶段运用原有知识解决问题时会出现错误。这些都为学生后续的学习带来了负面影响,需要通过最为直观的教学方法来进行纠正。教学中,教师要为学生设计认知冲突,为学生提供有效的探究环境,调动学生的求知欲与好奇心。