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关键词： 三菱电机   光伏电源系统   开关损耗   物理尺寸   电动汽车   车载充电器   MOSFET   SiC  

摘要： 三菱电机宣布即将推岀新的SiC MOSFET系列,即采用TO-247-4封装的N系列1200V器件,与现有的TO-247-3封装产品相比,其开关损耗可降低30%。该公司表示,新系列将有助于减少需要高压转换的电源系统的功耗和物理尺寸,例如电动汽车车载充电器和光伏电源系统。样品将于今年11月开始出货。

关键词： 碳化硅   MOSFET   栅极bus-bar   JFET注入   大容量器件   低漏电   高温半导体  

摘要： 采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.

关键词： 功率MOSFET   导通电阻   交流输入   逆变器   功率密度   IGBT   SiC   降低功耗  

摘要： 东芝欧洲电子公司推出了一款1200V SiC MOSFET,适用于大功率工业应用,包括400V交流输入AC-DC电源、光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)的双向DC-DC转换器。与传统的硅MOSFET和IGBT相比,新型TWO7OJ12OB SiC基功率MOSFET具有更高的耐压、更高速的开关和更低的导通电阻。因此,据东芝称,这种新型MOSFET将为降低功耗和提高功率密度做出重大贡献,从而为系统的小型化带来机会。

关键词： 功率MOSFET   导通电阻   击穿电压   无源元件   功率电路   意法半导体   太阳能发电机   结温  

摘要： 意法半导体(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有单位面积极低的导通电阻(RDSon)和优良的开关性能,开关损耗在结温范围内几乎没有变化。ST提供广泛的第二代S MOSFET:额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V,并延伸到1700V。在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中,以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中,使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处,包括:减小功率级的尺寸和重量;实现更高的功率密度;减小功率电路无源元件的尺寸和成本;实现更高的系统效率;减轻热设计限制,消除或减少散热器的尺寸和成本。

关键词： SiC-MOSFET   APD202   驱动电阻   驱动电路  

摘要： 针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件。依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路的设计原理图。实验结果表明:设计的SiC-MOSFET驱动电路有较好的可靠驱动能力,具有较好的保护能力。

关键词： 击穿电压   功率集成电路   导通电阻   MOSFET   硅技术  

摘要： 美国纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)在4H-碳化硅(SiC)横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在IEEE Transactions OnElectron Devices。需求背景在功率集成电路应用中,由于SiC具有3MV/cm击穿临界电场,比硅大一个数量级,SiC器件正在寻求取代成熟的硅技术。SiC基器件面临的一个挑战是如何同时实现低导通电阻与高击穿电压。

关键词： SiC MOSFET   三相PWM整流器   高频   过流  

摘要： 新一代宽禁带半导体SiC器件相比传统Si器件在耐压、高频、高温等性能方面有很大优势。该文基于SiC MOSFET三相PWM整流器设计了SiC MOSFET的驱动电路;SiC MOSFET在三相PWM整流器的高频化设计,可以使交流侧的输入电感量进一步减小,这有利于提高电源的功率密度,但也容易导致整流器启动时刻出现过流问题。针对这一问题,提出了启动时刻通过合理设计电压电流双环控制中电压环的输出值作为限幅值的方法来抑制启动过流,并通过实验验证了该驱动电路满足设计要求和启动过流抑制方法的有效性。

关键词： 超级结MOSFET   纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)   电磁干扰(EMI)   有机发光二极管(OLED)电视电源  

摘要： 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。

关键词： 闭合电路欧姆定律   习题研究   不变量  

摘要： 在例题的基础上,通过诊断学生的解题思路,阐述了如何以"不变量"为中心解决闭合电路欧姆定律中的一类问题。

关键词： 全产业链   化合物半导体   样品测试   开关电源   产品线   电源系统   脉冲电源   制造平台  

摘要： 中国化合物半导体全产业链制造平台--三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。