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关键词： 结点电压法   教学改革   创新能力   编程能力  

摘要： 为达到新工科人才的培养目标,西安交通大学电工电子教学实验中心积极进行教学改革。该文介绍了近年进行的教学改革工作,并总结了实验教学中存在的问题。针对这些问题,结合计算机专业学生的专业特点,开展新一轮教学改革试点工作,详细讨论了教学改革的具体实施过程和实施效果。实践证明,此次改革有助于计算机专业学生加深对电路理论知识的理解,提高学生编程能力,分层次的实验任务激发了学生潜能,有效提高学生应用计算机编程手段解决实际电路问题的能力。

关键词： 沟道介质环   栅致漏极泄漏电流   纵向带间隧穿   环栅晶体管  

摘要： 提出了一种可以有效降低环栅晶体管栅致漏极泄漏(GIDL)的新型非对称沟道介质环场效应环栅(GAA)晶体管。位于漏端附近的沟道介质环结构可有效降低载流子沿沟道方向的带间隧穿几率,从而显著改善环栅器件在关态时的栅致漏极泄漏电流情况。3D TCAD仿真结果表明,与具有真空侧墙或者一般氧化物侧墙的常规环栅器件相比,新型非对称沟道介质环晶体管静态漏电明显降低,开关比提高;栅围寄生电容、最大振荡频率(fMAX)和截止频率(fT)未受明显影响。沟道介质环厚度的增加会线性减小器件的关态电流和开态电流,但会提高器件的开关比。

关键词： 击穿电压   比导通电阻   4H-SiC   槽栅超结MOSFET  

摘要： p+屏蔽区的槽栅4H-SiC功率MOSFET可以进行优化设计,优化结构由2个n型导电柱、3个p型导电柱、氧化物和轻掺杂n型电流扩散层(NCSL)构成,其中氧化物位于栅极沟槽下方,NCSL位于p-body下。n型导电柱、p型导电柱与NCSL形成的电流路径,加速了横向电流在外延层的扩散,缓解沟槽底部角处的高电场,进而减小了比导通电阻(R_(on,sp)),提高了击穿电压(V_(BR))。优化结构在Silvaco TCAD环境下的二维仿真结果表明:结构优化前后的沟槽MOSFET的R_(on,sp)、V_(BR)分别提高了22.2%、21.0%,最大优值提高了79.0%。与传统的沟槽MOSFET结构相比,优化结构具有更低的栅漏电荷,可较好地满足高频领域的应用需求。

关键词： 级联型开关   功率放大器   MOSFET  

摘要： 针对传统线性功率放大器发热重功耗大的问题,文章采用电力电子元器件MOSFET设计了一款级联型开关功率放大器。MOSFET作为开关,具有频率高、发热小、功耗低、体积小、输出纹波小、成本低等优势,使此级联型开关功率放大器和传统线性功率放大器相比占有很大优势,电能质量高、节能环保、经济高效。

关键词： 动态电路   欧姆定律   电表示数   滑动变阻器  

摘要： 利用电学规律解决动态电路中电表示数变化问题,对深化欧姆定律在电学问题中的应用具有较强的指引作用,同时对提升学生运用欧姆定律分析和解决动态电路问题有积极的作用。

关键词： 纯电阻电路   串联电路   并联电路   欧姆定律   变形公式   电功率   计算公式  

摘要： 电功率的基本计算公式为:P=UI,在纯电阻电路中还可以根据欧姆定律及其变形公式,得到P=U^2/R=I^2R。具体在解题中,如果是串联电路,因为电流I相同,一般选用P=UI或P=I2R,如果是并联电路,因为U相同,一般选用P=UI或P=U^2/R。下面举例说明。

关键词： 沟槽MOSFET   导通电阻   击穿电压   沟槽深度   沟槽宽度  

摘要： 研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因。使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真,仿真结果表明,在控制其他参数不变的条件下,导通电阻随沟槽深度的增大而逐渐减小,随沟槽宽度的增大而略微增大;耐压随沟槽深度的增大先增大后减小,随沟槽宽度的增大逐渐增大。最后,得到了比导通电阻为0.79 mΩ·cm^2,耐压为81 V的优化设计。

关键词： InGaAs   肖特基源漏MOSFET   系综蒙特卡洛  

摘要： 采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法,考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制,模拟InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示,在稳态下,散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布,但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小;而在施加阶跃漏端电压时,散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间,降低了器件的截止频率。

关键词： wide band-gap semiconductor   RF FOMs   Ga_(2)O_(3)   black phosphorus  

摘要： The radio-frequency (RF) performance of the p-type NiO-pocket based β-Ga_(2)O_(3)/black phosphorous heterostructureMOSFET has been evaluated. The key figure of merits (FOMs) for device performance evaluation include the transconductance(gm) gate dependent intrinsic-capacitances (Cgd and Cgs), cutoff frequency (fT), gain bandwidth (GBW) product and output-conductance(gd). Similarly, power-gain (Gp), power added efficiency (PAE), and output power (POUT) are also investigated for largesignalcontinuous-wave (CW) RF performance evaluation. The motive behind the study is to improve the β-Ga_(2)O_(3) MOS deviceperformance along with a reduction in power losses and device associated leakages. To show the applicability of the designeddevice in RF applications, its RF FOMs are analyzed. With the outline characteristics of the ultrathin black phosphorous layer belowthe β-Ga_(2)O_(3) channel region, the proposed device results in 1.09 times improvement in fT, with 0.7 times lower Cgs, and 3.27dB improved GP in comparison to the NiO-GO MOSFET. The results indicate that the designed NiO-GO/BP MOSFET has betterRF performance with improved power gain and low leakages.

关键词： 欧姆定律   滑动变阻器   实验探究  

摘要： 欧姆定律是初中物理重要规律之一,探究电流与电压、电阻的关系是得出欧姆定律的前提.学生在探究电流与电压、电阻的关系时,教师通常要求学生设计出含有滑动变阻器的"标准电路图"进行实验探究,这样,不仅在知识运用方面出现逻辑错误,而且使实验探究的过程变得较为复杂.在此,笔者基于学生实际,引导学生自主设计实验电路,不用滑动变阻器便可以顺利完成实验探究,同时使实验探究的过程更加简单.