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关键词： 遥测   配电器   MOSFET   可靠性  

摘要： 针对传统箭上配电器在新应用时期下产生的问题,设计了一种基于MOSFET的供配电开关和基于采样电阻进行电流采集的新型高可靠性箭上遥测配电控制器,解决了传统继电控制器触点大电流冲击粘连问题,实现了新形势下的全国产化、小型化设计要求,进一步提高了系统可靠性,具有广泛的应用推广性。

关键词： 基尔霍夫电流定律   AT供电   故障测距  

摘要： 随着我国铁路营业里程逐年攀升,复杂的地质及气候条件、不同型号列车运行下的不同工况等都为铁路供电带来了严峻挑战。本文以所内馈线电流互感器T-F线接反、分区所数据丢失、T-F线短路、F-R线短路4种情况,论证运用基尔霍夫电流定律计算故障数据的必要性,以及运用AT供电方式下变电所馈线电流和等于AT所中性点吸上电流和来计算故障数据存在较大局限性,以期为设备运维、故障测距装置升级完善带来启示。

关键词： 复习效果   有效复习   恒定电流   欧姆定律   基础性知识   切实提高   整合知识   物理量  

摘要： 恒定电流一章作为电路的基础性知识,在中学电学中其地位不言而喻.由于恒定电流涉及的物理量多、公式多,掌握这些知识并不容易.为了有效地整合知识,切实提高复习效果,笔者就恒定电流的相关知识做如下总结.一、一个核心欧姆定律是恒定电流知识中的核心内容,是解决有关恒定电流问题的基础.

关键词： 功率MOSFET器件   开启延迟   芯片温度  

摘要： 热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素。以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测量电路,研究器件栅极开启延迟时间与芯片温升之间的对应关系,提出一种栅极开启延迟时间作为温敏参数的功率MOSFET器件测温方法,实现了该类器件芯片温度的精确测量。

关键词： 知识的基础   物理学知识   焦耳定律   电能转化   课标要求   欧姆定律   电功率   学法指导  

摘要： 一、章节重难点分析梳理及学法指导"电功"对于九年级的同学们来说是比较抽象的概念,课标要求同学们结合实例理解电功——电流做功可以将电能转化为其他形式的能,要学习电流做功多少与哪些因素有关,以及如何根据电功公式的计算和测算电费。本节知识要综合运用欧姆定律、串并联知识,是继续学习电功率、焦耳定律等知识的基础,同时也为同学们将来学习更广义的功做好了必要的准备。所以无论从课标的要求上看,还是从物理学知识的扩展上看,本节都具有承前启后的重要作用。希望同学们通过本节的学习,实现感性认识上升到理想认识的飞跃。

关键词： 无框电机   DSP28335   MOSFET   逆变电路  

摘要： 针对FDM6021-4803型号的无框电机进行驱动器的硬件电路设计。以TMS320 F28335芯片为控制核心,通过搭建DSP外围控制电路,设计多电源匹配电路、PWM驱动电路、MOSFET逆变桥电路、电流检测电路、位置反馈电路和保护电路等模块,实现一类无框交流伺服电机的实用驱动功能。详细阐述了各个电路模块的元器件参数和选型,通过硬件平台eEEP1000N电力电子实验装置进行实验调试,基于SVPWM调制技术控制电机电枢电流的同时,使用CSpacewatch上位机软件观测电机运行状态,验证表明此驱动器控制电机运行可靠且具有较高的性能指标和抗干扰能力。

关键词： 全产业链   化合物半导体   样品测试   开关电源   产品线   电源系统   脉冲电源   制造平台  

摘要： 中国化合物半导体全产业链制造平台一一三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mQ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

关键词： SiC MOSFET   功率循环试验   导通模式   阈值电压漂移   结温测量   失效机理  

摘要： SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试验。MOSFET具有三种导通模式,分别对应三种不同的功率循环测试方法。为探究和对比SiC MOSFET在不同老化试验方法下的失效机理和失效表征参数的变化规律,对其在不同导通模式下进行功率循环试验,基于不同导通模式下的特性分析,重点对比正向MOSFET模式和体二极管模式。SiC MOSFET中的界面陷阱会造成阈值电压漂移,为此提出一种判断准则以及相应的功率循环试验方法,可以将阈值电压漂移对试验结果的影响最小化,并在老化试验过程中实现结温、通态压降和热阻的在线测量。结果表明,在两种模式下失效方式均为键合线老化,但是老化后的电热反馈机制不同,造成其退化规律和寿命不同,相同热力条件下体二极管模式下的寿命约为正向MOSFET模式下的两倍。

关键词： 功率MOSFET   英飞凌科技   源极   SMPS   电动工具   元器件产品   电池保护   外型尺寸  

摘要： 当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(SD,Source-Down)PQFN封装,尺寸为3.3mm×3.3mmo这款40V SD MOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

关键词： 化合物半导体   外延衬底   高迁移率   SiC晶体   MOSFET   电气工业   HEMT   GaN  

摘要： 日本住友电气工业有限公司为SiC MOSFET开发了一种新的结构。它具有V型沟槽,具有更高迁移率的性能。这个开发过程是可以借鉴我们在化合物半导体产品生产方面的丰富经验,其中包括GaN HEMT,GaAs FET以及相关衬底。最近,我们一直在开发SiC晶体,并开始大规模生产6英寸SiC外延衬底,我们将其称为EpiEra。