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关键词： 情境学习   学科素养   初中物理  

摘要： 通过对传统单元复习方式下存在的问题进行细致分析,发现传统单元复习方式下存在部分学生复习不积极、复习效率低下等问题,因此笔者创新教学方式,探索通过创设教学情境或问题,让学生在情境中解决实际问题。这种复习模式有一定的优势,一方面有利于发散学生思维,使其思维纵向深化延伸,横向发散拓展;另一方面可有效提升学生的物理学科素养。

摘要： Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器,为系统开发人员提供多层级的控制和保护,以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。对于基于碳化硅的电源转换设备的设计人员来说,Microchip的AgileSwitch2ASC-12A2HP 1200V双通道数字栅极驱动器采用了Augmented Switching技术,完全符合生产要求,且具有极高可配置性。

摘要： 安森美半导体发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650 V SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料,

摘要： 安森美半导体发布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET?系列下的3个产品组——FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

关键词： 功率半导体器件   MOSFET   IGBT   栅氧化层   米勒效应   状态监测  

摘要： 功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研究对确保功率器件的高可靠性具有重要意义。从栅氧化层退化的微观机理出发,建立相关特征参数与栅氧化层退化的精确函数关系,在栅氧化层退化的情况下对特征参数漂移量进行检测可以实现对功率器件栅氧化层的状态监测。围绕退化特征参数和退化模型方面的国内外研究,分类讨论基于阈值电压、米勒效应参数等状态监测方法的最新进展,并着重对栅氧化层状态监测方法的性能进行分析和对比。在此基础上,结合功率器件发展和应用趋势,展望了功率半导体器件栅氧化层状态监测的研究方向。

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体,近日发布了一对1200 V完整的碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其用于充满挑战的电动车市场的产品系列。随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有"续驶里程焦虑症"。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为"常规"。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

摘要： 欧姆定律是初中阶段电学的核心内容,既是前面所学电学知识的综合,又是学习后面电功率等知识的基础.下面总结了三个关于欧姆定律的易错点,希望对同学们的学习有所帮助.易错点1:不能正确理解欧姆定律变形公式的意义由欧姆定律的公式I=U/R可推出U=IR、

关键词： MOSFET   rectangular gate   three-dimensional gate edge roughness   trapezoidal gate   semiconductor device models   channel length variation   correlation coefficient   evaluation algorithm   device performance   gate-all-around device   planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors   three-dimensional gate profiles  

摘要： As the physical size of metal-oxide-semiconductor field effect transistor approaches the end of scaling down, the effect of process-induced variations such as gate edge roughness on device performance cannot be neglected. For gate-all-around devices, the threedimensional gate profiles make the evaluation of gate edge roughness different and more complicated than that in planar metal-oxide-semiconductor field effect *** this work, an evaluation algorithm was proposed to model the three-dimensional gate edge roughness in a real gate-all-around device. The results show that the typical trapezoidal gate is more likely to suffer from gate edge roughness effect than the ideal rectangular gate. The effect of the size of the gate and the correlation coefficient of the edges on the effective channel length variation was also studied.

关键词： 初中物理   实验教学   小组合作   欧姆定律  

摘要： 伴随着我国现代经济的快速发展和素质教育的不断渗透,学校教育已经越来越重视对学生综合能力的培养。物理作为初中阶段的重要学科,实验课教学更是物理学科的基础,且对于学生综合能力的提升有着十分重要的作用,所以教师需要对其进行充分分析,并且将学生的全面发展作为主要教学目标。当前教学过程中小组合作学习模式已经得到了广大教育工作者的认可,初中物理教师可以将小组合作学习模式应用于实验教学,帮助学生提升分析问题和探究问题的能力。本文将对小组合作学习模式在初中物理实验教学中的重要性进行简要论述。在此基础上以"欧姆定律"为例,探究初中物理实验教学中小组合作学习的策略。

关键词： silicon   gallium arsenide   Si substrates   size 200.0 nm   minimum interface trap density   III-V semiconductors   As   extremely low off-current   postmetallization annealing treatment   Si   Ga   In   ultra-thin body   optimized on-off trade-off   MOSFET   metal-oxide-semiconductor gate stack   InP barrier-spacer device structure   annealing   elemental semiconductors   O   aluminium compounds   different annealing conditions   ultra-thin body buried channel MOSFET   Ti-Al   indium compounds   interface states   gate length device   -InP  

摘要： In this paper, we investigated the electrical properties of the Metal-oxide-semiconductor gate stack of Ti/AlO/In P under different annealing conditions. A minimum interface trap density of 3×10cmeVis obtained without postmetallization annealing ***, utilizing Ti/AlO/In P MOS gate stack,we fabricated ultra-thin body buried In0.35 Ga0.65 As channel MOSFETs on Si substrates with optimized on/off trade-off. The 200 nm gate length device with extremely low off-current of 0.6 n A/μm, and on-off ratio of 3.3×10, is demonstrated by employing buried low indium(InGaAs) channel with In P barrier/spacer device structure, giving strong potential for future highperformance and low-power applications.