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关键词： 安森美半导体   MOSFET器件   太阳能逆变器   开关技术   功率密度   高能效  

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

关键词： 安森美半导体   MOSFET器件   太阳能逆变器   开关技术   功率密度   高能效  

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),近日发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

关键词： 高中物理   课改理念   粤教版   酸性饮料   欧姆定律   闭合电路   教学内容安排   课堂演示实验  

摘要： 1问题提出背景随着新一轮课改的推进,粤教版高中物理各册教材均已出炉,这些教材都明显地彰显出了“反映课改理念、顺应时代要求”的特征,特别是教材中无论是课堂演示实验还是学生探究实验,都发生了“天翻地覆”的变化,不再是那种“菜谱式”的实验。其中粤教版第3册第4章第2节的教学内容安排为探究“闭合电路的欧姆定律”。

关键词： 电压基准   MOSFET   零温度系数(ZTC)   曲率补偿   熔丝   修调电路  

摘要： 工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。

关键词： 半导体市场   晶圆代工厂   功率半导体   产能利用率   重灾区   安森美   英飞凌   缺货  

摘要： 由于8英寸晶圆产能的持续紧张,如今全球半导体市场都出现“一缺再缺”的景象,尤其是像MOSFET这类用量巨大的功率半导体领域,反馈明显,已沦为缺货“重灾区”。据业内统计,如今各大晶圆代工厂的8英寸产能已经爆满,像安森美、ST以及英飞凌等大厂在2020年年中就已出现供应不足、交期延长的情况,而国内8英寸代工厂如华虹、华润微产能利用率也均接近满载,联电的8英寸晶圆代工产能更是满载到2021年下半年。与此相对应的是,应用端的需求仍在持续暴涨,此番形势下,如何补救早已千疮百孔的晶圆产能,已迫在眉睫。

关键词： 栅极氧化老化   偏置温度不稳定性   体效应   碳化硅(SiC)MOSFET   高温栅偏  

摘要： 长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。

关键词： 三电平大电容值   飞跨电容   过电压保护  

摘要： 为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护。该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合短路保护,保证发生短路故障时SiC MOSFET不过电压损坏,且能快速保护关断,以减小过电流风险。通过搭建短路测试平台,验证了三电平电路发生短路故障时,大电容值飞跨电容对SiC MOSFET起到过电压保护作用,且SiC MOSFET的短路保护时间在2μs以内。

关键词： 4H-SiCMOSFET   态密度   施主陷阱受主陷阱电容  

摘要： 本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO_(2)/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。

关键词： 寄生参数   LLC谐振电路   Angelov模型   输出增益   谐振频率  

摘要： 针对MOSFET寄生参数对LLC谐振电路性能的影响,首先对MOSFET的寄生电容进行等效分析,基于该等效模型,分析在LLC谐振变换电路中,寄生参数的存在对电路各个阶段过程的影响;接着对由于寄生参数引起的非线性特征,基于Angelov模型进行建模,并对该模型在直流电路中的影响进行分析。最后在MATLAB下建立了LLC谐振电路模型,在仿真模型中考虑了寄生参数的影响。仿真结果表明,建立的等效模型可以较好地反映MOSFET器件的工作特点;同时,由于寄生参数的存在,LLC谐振电路的输出增益和谐振频率都会受到影响,其中尤以对谐振频率的影响较大。

关键词： MOS管   运载火箭   时序控制器   时序回采   回路阻值  

摘要： 针对新一代运载火箭对箭载关键电子产品智能化、小型化、通用化的要求,设计了一种基于MOS管的时序控制器;介绍了硬件及软件设计方案,在硬件电路设计中采用了安全性设计措施;阐述了时序控制器在不同状态下,通过自定义高速串行总线接收飞控计算机指令,控制火工品引爆、电磁阀通断,以及实现电磁阀的节能使用;在测试及飞行过程中,可以进行时序状态的回采测试,通过串行总线反馈给飞控计算机进行健康管理;在回路阻值测试中,能够确保火工品在绝对安全环境下,进行火工品回路的电阻值测试;该时序控制器参加了单机的环境试验、系统综合试验及运载火箭的飞行试验,时序回采参数满足火箭飞行时序的要求,产品工作正常,确保了运载火箭飞行试验的圆满成功。