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关键词： 半导体材料   MOSFET   高电场   晶体管   电子工业领域   电力变压器   三维结构   电动汽车  

摘要： 加的斯大学(UCA)的一组研究人员设计了一种基于高效半导体材料的电子晶体管,该晶体管具有新颖的结构,可应用于能源领域,例如风能和光伏电站以及电动汽车。由UCA创建的器件是一种新的MOSFET,其得益于两个方面,从而改善了当前晶体管的特性:一方面,已经使用了由一系列层组成的原始三维结构,它可以防止内部产生高电场或可能发生的短路;另一方面,金刚石被集成做为MOSFET的基础材料,它作为半导体材料具有良好的电气和热性能。这两个功能在晶体管应用中提供了更大的通用性。随着金刚石的掺入,研究人员在器件效率方面取得了显着改善,从而将电力变压器的重量和能量损失减少多达90%。该器件的特性还使其在新结构中具有更大的通用性,使其成为电子工业领域,尤其是能源领域的真正有价值的产品。

关键词： 安森美半导体   MOSFET器件   太阳能逆变器   开关技术   功率密度   高能效  

摘要： 2021年2月18日,推动高能效创新的安森美半导体,发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

关键词： 任务驱动   深度学习   欧姆定律  

摘要： 结合"电流与电压、电阻的关系"案例探讨了任务驱动法在教学中的具体实施方案,指出该教学法对学生深度学习能力的促进作用,提出"创设问题情境,导入核心任务"促进教学活动进行、"批判理解任务,设计方案探索"引发深度思考、"创设认知冲突,引发深度思考"搭建新旧知识桥梁、"及时评价反思,促进意义生成"激发深度学习、"体现学以致用,促使深度探究"凸显科学本质。

关键词： MOSFET寄生参数   米勒平台   关断分析  

摘要： 针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET寄生参数与电路中米勒平台及关断时间的关系。建立MOSFET的寄生电容分段线性模型,应用Matlab软件实现参数的对比分析,根据内部器件的工作原理确定其转移特性和输出特性,利用图像数据获取MOSFET的等效模型,采用MOSFET搭建LLC谐振变换器电路,通过不同条件下的仿真实验,得到寄生参数的影响规律。一系列的仿真训练能够有效提高学生的仿真实践能力。

关键词： 半导体制造商   消费电子产品   输人电压   京都市   双极型  

摘要： 全球知名半导体制造商RO H M(总部位于日本京都市)推出非常适用于F A和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOS-FET1/2产品,其中包括支持24V输人电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5系列”。

关键词： MOSFET   CAF   开关   失效  

摘要： MOSFET,全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管,通常被用于放大电路或开关电路。本文首先介绍MOSFET管的构造及工作原理,其次对各种MOSFET典型的开关电路应用进行对比分析,最后推测出某应用场景下MOSFET管失效原因。

关键词： 初中物理   实验教学   欧姆定律  

摘要： "检验欧姆定律"是初中物理重要实验,教师应重视学生通过活动得到正确的结论,需要在新的实验试题下审视自身的教学方式。随着中考实验试题的变化,教师在实验教学中应充分开放实验器材,注重指导学生了解器材结构,掌握器材用途,并合理设置问题,以培养学生发散的实验思维,强化学生的逆向思维能力。

关键词： 超快脉冲测试方法   自加热效应   绝缘体上硅(SOI)   MOSFET   温度分布  

摘要： 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程。选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑。采用该方法对2μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显。

关键词： germanium   germanium-tin   MOSFET   mobility  

摘要： The performance enhancement of conventional Si MOSFETs through device scaling is becoming increasingly *** application of high mobility channel materials is one of the most promising solutions to overcome the *** Ge and GeSn channels attract a lot of interest as the alternative channel materials,not only because of the high carrier mobility but also the superior compatibility with typical Si CMOS *** this paper,the recent progress of high mobility Ge and GeSn MOSFETs has been investigated,providing feasible approaches to improve the performance of Ge and GeSn devices for future CMOS technologies.

关键词： 伏安法测电阻   等效替代   欧姆定律   中考物理   电流表   电压表   初中电学   知识点  

摘要： 缺表法测电阻是中考中的一个热点,也是初中电学部分的难点,提供的器材不同或提供某一器材的数量不同,运用的方法就可能不同,所以解决这一知识点的关键是要弄清缺表法测电阻的主要思想:等效替代.传统的伏安法测电阻,用电流表测电流,电压表测电压,根据欧姆定律求电阻,如果缺少了一个电表该如何操作呢?下面我们分三大类来分析.