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关键词： 导通电阻   功率密度   系统能效   FET  

摘要： Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80V TrenchFET MOSFET——SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13mmX 6.15mm PowerPAK S0-8L小型单体封装,10V条件下最大导通电阻仅为17.3mΩ/典型值为14.3mΩ。

关键词： SiC MOSFET   oscillation   cross-talk   parasitic parameter   ferrite bead  

摘要： As a wide bandgap power electronics device,the SiC MOSFET has a lot of advantages over the traditional Si *** the Si IGBT with the SiC MOSFET in the existing power electronics converter is an effective means to improve the performance and promote the upgrading of the traditional ***,in order to make full use of its advantages of the SiC MOSFET,the Si IGBT in the traditional power electronics circuit cannot be simply replaced by the SiC MOSFET,but the main circuit and the driver circuit need to be redesigned because the oscillation problem and the cross-talk problem caused by the parasitic parameter are very serious when the SiC MOSFET ***,considering the low cost and the short cycle requirement of the equipment development,it is often difficult to redesign the circuit hardware structure of all *** order to resolve this contradiction,a ferrite bead based method is proposed in this *** this method,without redesigning the hardware structure of the main circuit and the driver circuit,the SiC MOSFET can be used to replace the Si-based power electronics device directly,and the loss of the converter can be reduced with small ***,the effectiveness of the proposed method is proved by experiments.

关键词： SiC   MOSFET   高温栅偏(HTGB)试验   高温反偏(HTRB)试验   筛选方法  

摘要： SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。

关键词： 酸性饮料   锌铜原电池   闭合电路   欧姆定律  

摘要： 新编粤教版物理教材第三册探究“闭合电路的欧姆定律”的实验装置是“硫酸-锌铜原电池”,硫酸有一定的危险性,更重要的是实验废液硫酸易污染环境。创新改进“酸性饮料-锌铜原电池”可替代“硫酸-锌铜原电池”,探究闭合电路的两个核心问题,取得异曲同工的效果。

关键词： 高压MOSFET器件   VDMOS器件   半导体工艺   Silvaco仿真   Synopsys仿真  

摘要： 高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要工艺过程优化、掺杂区工艺条件确定,以及对器件的电学特性如击穿电压、阈值电压、器件输出特性等进行仿真,为相关产品的研制提供参考和保障。经实际流片及末测验证,该仿真设计能够实现预期目标。

关键词： 碳化硅   MOSFET   IGBT   沟槽   MMIGBT  

摘要： 研究新型10kV电压等级的碳化硅场效应晶体管结构,具有碳化硅MOSFET的高频工作特性以及IGBT器件的大电流导通能力。在传统碳化硅MOSFET结构的基础上,在器件底部漏极区加入了间隔式的集电极区。在小电流情况下,电流从漏极区域流通,器件为单极型器件,拥有出色的高频性能。在大电流情况下,集电极区PN结导通,器件开启类IGBT器件的双极型模式,显著降低器件正向导通电阻。

关键词： 屏蔽栅沟槽功率MOSFET   BV   RSP   FOM   SGT   功率器件  

摘要： 介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点。

关键词： 部分耗尽SOI   自加热效应   热阻   源体二极管法   H型栅  

摘要： 对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究。以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值。实验结果表明,该工艺下PMOS器件的热阻比NMOS器件大,其原因是PMOS体区掺杂浓度比NMOS高,而掺杂浓度越高,导热性越差,热阻就越大;H型栅器件的归一化热阻随沟道宽度的增加而增大,其原因是随着沟道宽度的增加,体引出区域对器件导热的贡献变小;热阻随环境温度的上升而减小,其原因是二氧化硅埋氧层的导热率随温度的升高而增大。

关键词： 欧姆定律   电解液   电解槽   适用条件  

摘要： 本文介绍了通过多组实验对物理教材中的"欧姆定律对电解质溶液也适用"和"电解槽为非线性元件,不适用欧姆定律"的情况进行了分析,明确了欧姆定律对于电解液及电解槽适用情况及其条件。

关键词： 4H-SiC MOSFET   subthreshold voltage hysteresis   P-type MOS capacitor   density of interface states  

摘要： In order to investigate the characteristics and mechanisms of subthreshold voltage hysteresis(ΔV_(th,sub)) of 4 H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs),4 H-SiC planar and trench MOSFETs and corresponding P-type planar and trench metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors are fabricated and *** with planar MOSFEF,the trench MOSFET shows hardly larger ΔV_(th,sub) in wide temperature range from 25 0 C to 300 0 *** operating temperature range is from 25 ℃ to 300 ℃,the off-state negative V_(gs) of planar and trench MOSFETs should be safely above-4 V and-2 V,respectively,to alleviate the effect of ΔV_(th,sub) on the normal *** the help of P-type planar and trench MOS capacitors,it is confirmed that the obvious ΔV_(th,sub) of 4 H-SiC MOSFET originates from the high density of the hole interface traps between intrinsic Fermi energy level(E_(i)) and valence band(E_(v)).The maximumΔV_(th,sub) of trench MOSFET is about twelve times larger than that of planar MOSFET,owing to higher density of interface states(D_(it)) between E_(i) and E_(v).These research results will be very helpful for the application of 4 H-SiC MOSFET and the improvement of ΔV_(th,sub) of 4 H-SiC MOSFET,especially in 4 H-SiC trench MOSFET.