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关键词： 存储装置   设备效率   键合技术   电子元件   兼容性   双通道   封装  

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块——“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。

关键词： 功率MOSFET   栅极驱动   表面贴装   超级结   电子元件   源极   存储装置   开关性能  

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET——TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,近日开始批量出货。TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。

关键词： SiC   RC缓冲吸收   双脉冲   寄生参数   电压尖峰   优化设计  

摘要： 针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明,采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数,使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。

关键词： 单相三电平变换器   碳化硅器件   效率   开关损耗  

摘要： 围绕高开关频率小功率单相交直交变换器效率提升问题,设计了一种基于SiC MOSFET的高效率单相三电平三桥臂变换器。该变换器主要包括分别用于整流器和逆变器2个T型三电平桥臂和一个公共桥臂,其多电平拓扑可优化谐波性能,减少开关损耗。分析了变换器运行方式,并设计了包含直流电压控制的级联电压电流控制器。同时,因T型三电平桥臂的外开关承担了整个直流侧电压,采用SiC MOSFET器件可大大降低开关损耗。基于导通损耗和开关损耗分析,对比了不同开关频率下的损耗,优选了变换器的开关频率。搭建了3 kW单相三电平三桥臂变换器样机并进行了实验测试,实验结果验证了新型变换器在保证较好的输出电能质量的同时,其效率可达到99%。

关键词： 酸性饮料   锌铜原电池   闭合电路   欧姆定律  

摘要： 针对"闭合电路的欧姆定律"中的教学重难点问题,以粤教版物理教材中的探究内容为例,对实验内容进行改进与创新,通过自主制作电池来突破探究过程中的两个核心问题,取得了较好的教学效果。

关键词： SiC功率MOSFET   阻断电压   15 kV   比导通电阻   动态特性  

摘要： 报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×10^(14)cm^(-3)的外延层上制备15 kV/10 A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果。对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,器件比导通电阻为204 mΩ·cm^(2),击穿电压大于15.7 kV,在漏极电压15 kV时,器件漏电流为10μA,漏电流密度为12μA·cm^(-2)。在工作电压1.7 kV、导通电流10 A条件下,开通时间和关断时间分别为140 ns和84 ns。

关键词： 科学探究   核心素养   DIS   可移式探针   传感器   欧姆定律  

摘要： 利用自制探针可移式蓄电池,结合DIS技术展示闭合电路的电势变化,得出闭合电路的欧姆定律;采用探究式教学设计,通过创设问题、假设猜想、设计实验、探索实验、数据分析、得出结论、理论证明、应用拓展,让学生经历完整的科学探究过程,突破教学难点,强化教学重点,助力学科核心素养的培养,彰显科学探究的魅力。

关键词： 整车控制器   FS8510基础电源管理芯片   MOSFET振铃   Snubber缓冲网络  

摘要： 汽车电子产品中电源电路的设计会直接影响整个产品功能的稳定性和EMC性能。新能源汽车整车控制器应用基础电源管理芯片FS8510设计电源模块电路时,其外围MOSFET产生了严重的振铃现象。为解决这一问题,提出更换外围MOSFET及增加Snubber缓冲网络两种改善措施,并给出了选择MOSFET的影响参数和有效的Snubber缓冲网络RC配比算法。整车控制器传导发射-电压法的测试结果表明:两种措施都可以有效抑制MOSFET的振铃,提高产品的EMC性能。

关键词： 碳化硅(SiC)   金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)   温度特性   模块   大电流  

摘要： 由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)相对传统硅基器件有突出优势。目前对SiC MOSFET暂态温度特性的研究,主要以单管小电流实验为主,大电流下暂态温度特性的研究还不充分。为分析和验证大电流下暂态温度这一特性,在理论分析的基础上,以CREE 1200 V/300 A半桥SiC MOSFET模块为研究对象,通过双脉冲测试平台研究SiC MOSFET模块及其驱动电路在不同温度环境下的暂态性能。对比分析了不同温度下开关时间、开关损耗、电应力及电流、电压过冲的差异,实验结果对SiC MOSFET模块在大电流下的选型和驱动设计具有一定的参考意义。