课程文献中心 更多>>

关键词： 学科核心素养   教学设计   闭合电路欧姆定律概念   规律  

摘要： 以“闭合电路欧姆定律(第一课时)”为例,对概念和规律混合型教学进行整体有序设计,通过教材和学情分析并结合学生的认知负荷确定教学重点和难点,拟定学习目标和学习路径,在教学设计的各个活动环节提出思维引导建议和教学建议,以探索融合“概念与规律”的高中物理教学设计策略。

关键词： 综合考查   题干   物理公式   并联电路   欧姆定律   计算题   物理试卷   初中学业水平考试  

摘要： 2023年广东省初中学业水平考试物理试卷中的第27题是一道计算题,综合考查了电路识别,欧姆定律,并联电路电流、电压规律及电功率,以及对所学知识的运用、迁移、计算等能力。同学们需要认真阅读题干,综合运用相关物理公式进行分析计算。

关键词： 碳化硅(SiC)   金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   单粒子效应(SEE)   单粒子烧毁(SEB)   电离效应   辐射损伤  

摘要： SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。

关键词： 新型纳米电子器件   1T1R存算一体化   MOSFET   RNVM   28nm制程   可靠性测试   器件物理  

摘要： 针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性试验。结果表明1T1R纳米阵列器件存在MOSFET Ion、Ileak应力退化-44.90%、751.64%以及RRAM循环耐受过程反向硬击穿等不单独出现于分立器件的特有失效现象。分析微观器件物理,得出1T1R纳米阵列器件因其独特结构特征和操作模式下复杂微观交互机制引发高源漏电压和弱栅控条件下特有可靠性原理的结论。提出了专门测试调控方案以提高1T1R纳米阵列器件可靠性。为解决28 nm及以下节点CMOS逻辑器件集成纳米RNVM技术引发的特有可靠性问题提供参考。

关键词： 科学本质教育   LICC课堂观察范式   教学实践  

摘要： 教师课堂教学对学生科学本质观的形成有重要影响,LICC课堂观察范式是一种有针对性的、专业的听评课模式。采用LICC范式,设计物理科学本质教育课堂观察量表,并对九年级“欧姆定律”教学进行课堂观察。观察结果表明,科学本质教学中存在内容分布不均衡、教学层次比较单一等问题。为了提升教学质量,提出了明确教学目标进行分层教学、还原科学概念历史背景两大策略,以更好地促进学生对科学本质的深入理解。

关键词： 电阻抗成像   呼吸过程   安全电流   呼吸疾病   欧姆定律   肺通气   阻抗分布   肺毛细血管  

摘要： 电阻抗成像(electrical impedance tomography,EIT)通过在人体胸部环绕16~32个电极,并持续注入安全电流,由于呼吸过程中肺的膨胀与收缩引起肺毛细血管血流以及气流改变等,即肺部电阻的改变,基于欧姆定律重建胸腔电阻抗分布从而形成肺的呼吸模式图(图1)。EIT是一种新兴的无创无辐射的床旁肺通气监测技术,可实时显示肺部通气甚至血流灌注的分布。

关键词： 关断时间   SiC MOSFET   无源恒压钳位   大小电流切换发射   变采样率  

摘要： 瞬变电磁发射机作为瞬变电磁法勘探的重要组成部分，它的性能几乎就决定了该方法勘探的有效性。为对浅层甚至是甚浅层采用多匝小线圈进行精确勘探，本文基于SiC MOSFET器件设计一种改进型的瞬变电磁发射机。SiC MOSFET是第三代半导体，相比目前被广泛应用的Si IGBT，该器件在耐压、耐流、散热和响应速度方面均有显著提升。关断时间作为发射机的一项重要参数，基本决定了一次场与二次场信号的耦合程度。为不丢失甚浅层和较浅层信息，本文设计的发射机支持大小两种电流切换发射。当对甚浅层或较浅层区域进行勘探时，可选择1.1A小电流发射，关断时间只有4us。当对浅层区域进行勘探时，可选择16.2A大电流发射，关断时间为35us。为给后期处理提供发射电流数据支撑，本文设计了支持变采样率的电流采集系统来对发射波形进行全时域采集。当处于发射波形上升沿或下降沿附近区域时，采集系统自动选择1.8MSPS高采样率进行采样，当处于发射波形稳态区域时，采集系统自动选择50KSPS最低采样率进行采样。测试表明，通过变采样率采样，能有效平衡采集精度和数据量，从而保证了存储系统的稳定性。此外，本发射机电路板尺寸较小，只有255 mm×192 mm，并且支持12V蓄电瓶供电，所以便携性较好，能一定程度上提高野外勘探效率。

关键词： 阈值电压   重复性   碳化硅MOSFET   栅极结构  

摘要： 相较于Si器件,SiC MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广,界面态陷阱密度高出2个数量级,大量陷阱不断俘获或释放电荷,导致阈值电压(Vth)随时间波动较大,因而Vth的准确重复测量成为难题。标准中阈值电压测量采用预处理的方法,保证每次测量时陷阱电荷状态的一致性,但标准中未考虑漏源电压影响预处理填充后的陷阱状态,导致阈值电压测试误差。针对该问题,首先通过测量不同漏源电压脉冲影响下的转移曲线,显示不同源漏电压对阈值电压的影响;然后,基于瞬态电流法分析了漏源电压对陷阱电荷状态的影响;进而,分析了漏源电压影响陷阱的机理;最后对比了不同漏源电压对阈值电压测量的影响。实验表明,漏源电压影响栅漏间电场正负,进而影响陷阱填充或释放电荷,导致阈值电压漂移。测量阈值电压时使用较小漏源电压可提高测量准确性,减小可靠性实验由测试因素造成的误差。

关键词： 数控系统   辐射骚扰测试   MOSFET  

摘要： 数控机床的快速发展和广泛使用,稳定性、可靠性是运行的关键。在工业现场,电磁兼容问题的出现会造成数控系统以及其他设备的非正常运行、甚至停机。文章以辐射骚扰为例,在符合性试验过程中,以某型号的数控系统为代表,分析辐射骚扰不合格的原因并进行整改。整改后,再次进行试验,证明了整改措施的有效性,为后续试验结果不合格原因的判断提供部分的理论依据。

关键词： 动态高温反偏测试   退化机理   SiC MOSFET   可调dV_(ds)/dt  

摘要： 为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。