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关键词： 寄生电感   寄生电容   并联SiC MOSFET   电流不均衡  

摘要： SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段。在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡。为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模型搭建了相关仿真测试电路。基于数据手册中所提供的器件参数,分别对寄生电容和寄生电感等参数进行差异化设置,利用PSpice软件进行仿真。分析了在负载电压为600 V时,不同寄生参数对动态和静态电流不均衡的影响程度。最后设计了一种基于阻抗平衡联合磁芯电感的方法对并联SiC MOSFET动静态电流不均衡进行抑制,有效抑制了并联SiC MOSFET电流不均衡现象的发生。

关键词： 欧姆定律   表面电阻   镀铝薄膜   电阻法   卷绕镀膜   光密度   感应电流   仪器检测  

摘要： (接2021年第4期104页)A镀铝层厚度的测量由于真空镀铝薄膜的镀铝层非常薄,因此不能用常规的测厚仪器检测其厚度,通常在线可以通过电阻测量辊测量表面电阻,测量透过镀层的光密度和测量镀层的高频涡流感应电流等三种方式现实。离线用四探针电阻仪或欧姆表测量表面电阻。a电阻法电阻法是利用欧姆定律来对镀铝层的厚度进行测量,根据欧姆定律R=ρ×L/S,单位面积镀铝薄膜的电阻值越小,其镀铝层的厚度越厚,反之则越薄。

关键词： 阻断电压   SiC MOSFET   场限环   神经网络   预测模型   仿真  

摘要： 功率器件设计者常需要通过器件仿真进行器件的设计与优化,但由于仿真结果的未知性,设计者需要逐步调整相关参数,使仿真结果不断逼近目标值,这需要耗费大量的时间,而目前又没有有效的解决办法。为解决这个问题,提出了一种基于神经网络的优化预测模型,以确定SiC MOSFET的阻断电压。将测试温度、第一场限环间距、环间距变化步长、场限环个数和漂移区浓度作为自变量,代入器件仿真软件中进行仿真,从而得到VDMOSFET阻断电压(作为因变量),将其分别代入BP神经网络和RBF神经网络中进行预测,并对二者的预测误差进行对比。结果表明,使用LM算法的BP神经网络预测模型能够很好地预测VDMOSFET的正向阻断电压,可为设计者节约大量时间。

关键词： MOSFET   IGBT   开关特性   并联均流  

摘要： 文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响。MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程具备相似的开通特性。然而,MOSFET单极性结构和IGBT双极性结构的不同导致了其在关断过程中具备不同的关断原理(除了拖尾电流之外),这种不同的关断原理尤其表现在门极电压对关断电流的控制程度。MOSFET的关断电流完全直接受控于门极电压,而IGBT的关断电流在某种程度上不完全直接受控于门极电压。不同的关断原理进而导致了关断瞬间不同的并联均流特性,尤其是在电路参数不匹配的情况下的并联关断均流特性。文章通过理论分析和仿真建模对上述问题进行了研究,仿真和试验结果验证了所提的观点。

关键词： 浪涌能力   碳化硅   金属氧化物场效应晶体管   浪涌失效机制   体二极管  

摘要： 对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm^(2),而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm^(2)和25 A/mm^(2)。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。

关键词： 多种解法   欧姆定律  

摘要： 本文从一道探究灯丝电阻变化规律的问题出发,分析推导了电压表量程扩充的思想方法,并在电压表量程的扩充基础上提出了解决问题的新方法,与各位同仁交流.

关键词： 高k介质   屏蔽栅   MOSFET   击穿电压   电场分布  

摘要： 为了优化屏蔽栅沟槽型MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,简称SGT结构)的电场分布,将高k介质代替部分沟槽绝缘介质层,提出了高k屏蔽栅沟槽型MOSFET(高k SGT结构)。分析了高k SGT结构的工作原理,通过在高k介质底部引入新的电场峰值,使电场分布更均匀以提高器件的耐压。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示高k SGT结构的击穿电压为114.5 V,与传统SGT结构相比,击穿电压提高了10.7%,Baliga优值(BFOM)提高了15.2%。因此在不增加掩模的基础上,有效提高了器件的击穿电压。

关键词： SiC MOSFET单管   TO247-4   并联均流   杂散电感   源极电感  

摘要： SiC MOSFET的并联一直是行业的研究热点,文章结合器件的SPICE模型与Simetrix仿真环境,以TO247-4封装的SiC MOSFET单管为例,仿真分析了回路中不同位置的杂散电感差异对SiC单管并联均流的影响。经过仿真对比,可以看出发射极回路的杂散电感(源极电感)对并联的影响最为显著。

关键词： 初中物理   实验教学   小组合作   欧姆定律  

摘要： 伴随着我国现代经济的快速发展和素质教育的不断渗透,学校教育已经越来越重视对学生综合能力的培养。物理作为初中阶段的重要学科,实验课教学更是物理学科的基础,且对于学生综合能力的提升有着十分重要的作用,所以教师需要对其进行充分分析,并且将学生的全面发展作为主要教学目标。当前教学过程中小组合作学习模式已经得到了广大教育工作者的认可,初中物理教师可以将小组合作学习模式应用于实验教学,帮助学生提升分析问题和探究问题的能力。本文将对小组合作学习模式在初中物理实验教学中的重要性进行简要论述。在此基础上以"欧姆定律"为例,探究初中物理实验教学中小组合作学习的策略。

关键词： 电子水泵   失效   MOSFET  

摘要： 本文阐述电子水泵主要用于降油耗。目前行业内电子水泵功率主要分布在400~600W范围,而国内电子水泵发展要落后于国外,而且在开发过程中失效情况较多。目前电子水泵的失效主要集中在电子水泵控制器上电子元件失效,其中MOSFET失效占主要部分。通过对实际应用过程中MOSFET失效案例进行分析,提出解决的方案。