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关键词： 碳化硅   短路特性   DESAT保护电路   氮化镓  

摘要： 为了保障碳化硅(silicon carbide,SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断,需在掌握其短路特性基本规律的前提下,针对SiC短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征,展开去饱和保护电路(desaturation fault protection,DESAT)电路中关键参数的研究,并制定其工程化设计的参考标准。在此基础上,文中进一步提出基于氮化镓(gallium nitride,GaN)的高速、低传输延时的DESAT短路保护电路,短路保护电路的驱动动作延时仅为常规基于硅器件DESAT电路的23.2%。所提出的氮化镓DESAT电路为SiC MOSFET短路保护电路的更优越的实现方案。

关键词： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)   有源驱动   过冲   振荡   光伏变压器  

摘要： 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变电压有源驱动电路,能在开通电流上升和关断电流下降阶段改变器件驱动电压,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,实验结果表明,与传统驱动电路相比,所提出的变电压有源驱动电路,能有效抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,最后将其应用于光伏变压器中,验证其实用性。

关键词： Ge MOSFET   ozone oxidation   gate charges   mobility  

摘要： Ge has been an alternative channel material for the performance enhancement of complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)technology applications because of its high carrier mobility and superior compatibility with Si CMOS *** gate structure plays a key role on the electrical *** this paper,the property of Ge MOSFET with Al_(2)O_(3)/GeO_(x)/Ge stack by ozone oxidation is *** GeO_(x)passivation mechanism by ozone oxidation and band align-ment of Al2O3/GeO_(x)/Ge stack is *** addition,the charge distribution in the gate stack and remote Coulomb scatter-ing on carrier mobility is also *** surface passivation is mainly attributed to the high oxidation state of *** en-ergy band alignment is well explained by the gap state *** charge distribution is quantitatively characterized and it is found that the gate charges make a great degradation on carrier *** investigations help to provide an impressive un-derstanding and a possible instructive method to improve the performance of Ge devices.

关键词： 欧姆定律   实验设计   教材对比  

摘要： 选取人教版、教科版、沪科版、鲁教版、苏科版以及北师大版六个版本教材中,关于欧姆定律编排的对比研究,剖析各版本教材的特点,有助于教师更好的结合学情调整教学,帮助学生更好的理解欧姆定律的内涵与外延。

关键词： 功率半导体   半导体芯片   团队建设   创投   IGBT   大功率半导体器件   MOSFET   融资  

摘要： 近日,佳恩半导体完成PreA轮融资,投资方为青创投和阳光创投。本轮融资的资金将主要用于加大功率半导体器件的研究开发和团队建设。佳恩半导体成立于2015年,是新一代的功率半导体技术设计公司,公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售,并提供相关的系统应用解决方案。

关键词： 信息技术   初中物理   规律教学   欧姆定律  

摘要： 信息技术在初中物理教学中既可以作为展示工具,也可作为建构工具。教师可以应用的信息技术工具包括虚拟软件、分析软件、展示软件、脑图软件等。教师可以融合这些信息技术工具优化初中物理规律教学,以实现高效课堂。

关键词： SiC MOSFET   单粒子效应   抗辐照加固   性能评估  

摘要： 伴随核能与空间技术的快速发展,SiC MOSFET等高压大功率器件的应用不断增加,其因环境中的高能粒子辐射所引起的单粒子效应问题(如单粒子烧毁、单粒子栅击穿等)也逐渐凸显。为全面深入认识该问题,首先,论证了SiC MOSFET的优势特性,及其在辐射应用中面临的关键问题。然后,整理了目前国内外关于SiC MOSFET单粒子效应的模拟计算、辐照实验及相应研究成果,总结了在SiC MOSFET单粒子效应研究中的主要关注点,并分析了SiC MOSFET单粒子效应敏感性较高的原因。最后,基于目前SiC MOSFET单粒子效应研究中仍存在的问题,展望了未来可重点关注的研究方向。通过系统总结国内外SiC MOSFET单粒子效应研究进展,希望能为研究SiC MOSFET单粒子效应物理机制以及改进其抗单粒子效应加固技术提供有价值的参考。

关键词： 伏安法测电阻   滑动变阻器   欧姆定律   电流表   电压表   最大阻值   导体   仪器  

摘要： 伏安法测电阻的原理是部分电路欧姆定律的变形式,即根据R=U/I测出导体两端的电压和通过导体的电流,这样就可以代入上式算出导体的电阻.伏安法测电阻电路的设计主要包括两个大的方面,第一方面是仪器的选择,具体表现为量程不同的电流表、电压表的选择;最大阻值不同的滑动变阻器的选择;第二方面是仪器的组装即接法的选择.以下从这两方面展开论述:一、仪器的选择对电流表、电压表量程的选择主要涉及以下三种情况.

摘要： 欧姆定律是初中阶段电学的核心内容,是中考的必考点.下面就同学们在学习这部分内容的过程中遇到的易错点进行归纳.易错点1:忽略欧姆定律公式中电流、电压、电阻的“同时性”与“同一性”欧姆定律公式I=U/R中的U、I、R是指同一导体或同一段电路上同一时刻对应的三个物理量.部分同学在解题时忽略这一点,将不同导体或不同电路的电流、电压、电阻混在一起,或将前一时刻通过导体的电流当成后一时刻通过导体的电流进行计算,导致出现错误.

摘要： 安森美（onsemi）发布To Leadless(TOLL)封装的碳化硅（SiC）MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。除了更小尺寸之外，TOLL封装还提供比D2PAK 7引脚更好的热性能和更低的封装电感（2nH）。其开尔文源极（Kelvin source）配置可确保更低的门极噪声和开关损耗（与没有Kelvin配置的器件相比，导通损耗（EON）减少60%），确保在具有挑战性的电源设计中能显著提高能效和功率密度，以及改善电磁干扰（EMI）和更容易进行PCB设计。