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关键词： MOSFET   单粒子效应   TCAD仿真   瞬态电流   双极放大增益  

摘要： 利用SILVACO TCAD软件构建了28 nm MOSFET器件的3维结构,创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型,仿真模拟了重离子入射位置、LET值、入射角度及器件的漏极掺杂浓度、漏极偏置电压对28 nm MOSFET器件单粒子效应的影响,分析了重离子入射引起器件双极放大效应。仿真结果表明:MOSFET器件对单粒子效应敏感的位置是临近轻掺杂的漏极,通过提取耗尽区电势,发现不同位置单粒子漏极瞬态电流的峰值与电势的大小基本保持一致;漏极瞬态电流峰值随着LET值和漏极偏置电压的增大而增大,而随着器件的漏极掺杂浓度的增大而减小;漏极瞬态电流峰值随着粒子入射角度的增大而增大,这是器件内部电离面积的变化引起的。另外,单粒子效应会导致MOSFET体内的寄生晶体管导通,使大量电子从源极流入漏极,产生的电流与单粒子电离形成的电流叠加使电路节点电压突变,导致电路功能紊乱,研究表明双极放大增益可达3.3。

关键词： 深度学习   物理教学   思维评价  

摘要： “深在思维、深在知识结构”是“深度学习”的精髓。建构促进深度学习的单元教学策略,主要包括教学内容的整合、教学方式的转变和指向思维的评价。单元教学实施中分为五个阶段:调取已有经验,实现经验与知识的相互转化;聚焦核心问题,引导学生“探索未知、发展已知”;抽象提炼,帮助学生加工知识;模拟实践,优化学生整体思维;反思总结,让学生发现学习价值。

关键词： 直流有刷电机   H桥式   控制电路   原理分析   参数计算  

摘要： 本文介绍了H桥式直流电机控制电路的原理,对驱动电路和电流保护电路中主要器件的参数进行了分析和计算,并通过测试验证了电路设计和参数计算的正确性。

关键词： SiC MOSFET   modular multilevel converter(MMC)   switching-cycle control(SCC)   integrated capacitor-blocked transistor(ICBT)   PEBB   medium-voltage(MV)   high density   high efficiency  

摘要： Simultaneously imposed challenges of highvoltage insulation,high dv/dt,highswitching frequency,fast protection,and thermal management associated with the adoption of 10 kV SiC MOSFET,often pose nearly insurmountable barriers to potential users,undoubtedly hindering their penetration in mediumvoltage(MV)power *** novel technologies such as enhanced gatedriver,auxiliary power supply network,PCB planar dcbus,and highdensity inductor are presented,enabling the SiCbased designs in modular MV converters,overcoming aforementioned ***,purely substituting SiC design instead of Sibased ones in modular MV converters,would expectedly yield only limited ***,to further elevate SiCbased designs,novel highbandwidth control strategies such as switchingcycle control(SCC)and integrated capacitorblocked transistor(ICBT),as well as highperformance/highbandwidth communication network are *** these technologies combined,overcome barriers posed by stateoftheart Si designs and unlock system level benefits such as very high power density,highefficiency,fast dynamic response,unrestricted line frequency operation,and improved power quality,all demonstrated throughout this paper.

关键词： SiC   MOSFET   串联器件电压失衡   无源缓冲优化   反向电压失衡  

摘要： 为解决驱动信号延迟造成SiC MOSFET在串联应用中电压失衡的问题,提出一种优化的无源缓冲方法。在MOS管栅极与漏极两端并联一个均压电容,通过改变器件的开关速度从而实现均压的目的。仿真结果表明,该方法在双管串联应用中能够较好的实现开关过程中的电压均衡,且只会引入很小的缓冲损耗和电流应力,证明了该方法的有效性。

关键词： 实验探究   跨学科分析   闭合电路   欧姆定律  

摘要： 对闭合电路欧姆定律的教学给出有趣有效导入新课、实验探究内外电压、类比构建物理概念、跨学科分析突破疑点、理论分析升华认知得出定律、实验探究突破重点等方面,借鉴融合其他版本教材资源,有效突破教学重难点,以期为解决教学疑难提出有效的建议.

关键词： 初中物理   混合式教学法   欧姆定律  

摘要： 将线上网络教学的形式和策略与线下实体课堂教学有机结合,这是混合式教学法的重要特点;在新冠疫情肆虐全球的形势下,混合式教学法也成为"停课不停学"的有效教学手段.在对混合式教学法的组织形式和原则进行分析的基础上,以"欧姆定律"一课为例,利用混合式教学理念开展教学活动进行了设计与实践研究,以期为相关教学和研究提供参考.

关键词： 三相三线   电能计量   节点电压法   不同负载   叠加定理   计量装置   高供高计   计量方式  

摘要： 为了将用户在正常用电情况下由负载特性导致的电流不对称与计量装置异常、窃电行为区分开,本文将通过运用叠加定理和节点电压法,分析变压器二次侧带不同负载情况下一次侧的潮流分布情况,并且验证三相三线电能计量的正确性。1二次侧带不同负载情况下的一次侧潮流分布采用高供高计计量方式的专变用户都采用Dyn11接线组别的变压器。

关键词： 4H-SiC   双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET)   界面陷阱   沟道迁移率   库仑散射   温度指数   TCAD仿真  

摘要： 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。

关键词： LED阵列   PWM调光   调光控制   模拟调光   驱动器   PWM发生器   MOSFET   RGB  

摘要： TI公司的LP5860是11x18 LED阵列驱动器.LP586x系列是高性能LED阵列驱动器.器件集成了带N(N=1/2/4/6/8/11)开关MOSFET的18个恒流沉,支持Nx18LED点或Nx6 RGB ***5860集成了11个MOSFET,用于多达198 LED点或66RGB LED.器件支持模拟调光和PWM调光两种方法.对于模拟调光,每个LED点能有256步可调整;对PWM调光,集成的8位或16位可配置PWM发生器能进行平滑和无音频噪音的调光控制.每个LED点还能任意映射到8位群脉宽调制(PWM)以达到一起进行调光控制.