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关键词： 电流表   欧姆定律   电能表   考察   热机效率   并联电流   物理   交通安全   伏安法测电阻   螺线管  

摘要： 一、考点分析1.分子动理论与内能。考察内容有扩散现象、分子间相互作用力、内能及其与温度的关系、改变内能的方法、内能与其他形式能的转化、对热值及比热容的理解、水的比热较大的应用、热量计算。学习中要重视知识与生活的联系和有关热量计算问题。

关键词： 脉冲发生器   通道数   高度集成   成像质量   有源箝位   Integrated   超声   MOSFET  

摘要： Maxim Integrated Products推出双通道、高压数字脉冲发生器MAX4810／MAX4811／MAX4812。器件具有1.3A（最小值）输出电流，能够独立配置为从低压逻辑输入向高压系统提供单极性或双极性脉冲信号。每通道的3个逻辑输入和2个独立的使能输入能够确保输出MOSFET可靠关断，以加快信号变化速度并大大缩短脉冲模式之间的延时。

关键词： MOSFET   功放电路   运放   制作   实录   验证   驱动   音响电路  

摘要： 运放IC在现代音响电路中的地位可谓有目共睹。除了极少数音响厂商在其顶级放大器设计中仍“顽固”地使用分立元件以外，其他Hi-Fi厂家的产品无不渗透着运放IC的身影。业余爱好者的制作就更不在话下了。

关键词： 恒定电流   解题思路   电路问题   历届高考   动态变化分析   欧姆定律   考查知识   命题形式  

摘要： 恒定电流学习的重点是对基本概念和定律的理解以及熟练运用欧姆定律和其他知识分析解决电路问题。其难点是电路的分析和计算。历届高考命题形式：一是以选择、填空方式考查知识：二是与静电场、磁场和电磁感应结合的综合题。值得说明的是．近年来高考在对本章的考查中。似乎更偏重于电路的动态变化分析和电路故障分析，这类题通常都来自生活实际，是学生应具备的基本技能．而电路实验和实物连接有成为高考必考题的趋势。本文对于恒定电流板块的解题思路技巧做一个概括分析，旨在提高解题的效率，在考试中赢得时间。

关键词： 功率MOSFET   第三代   Si   切换速度   栅极电荷   电荷平衡   n通道   器件  

摘要： Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45％，从而降低切换损耗及提高切换速度。

关键词： 自我保护   MOSFET   电路板   空间   大型组件   扁平式   封装  

摘要： Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球最小的完全自我保护式低端M0SFET。该ZXMS6004FF组件采用2．3mm×2．8mm的扁平式SOT23F封装，比其他采用7．3mm×6．7mmSOT223封装的大型组件节省85％的电路板空间。

关键词： 电流表   电压表   物理实验   等效替代法   闭合开关   欧姆定律   内接法   外接法   初中物理   电阻箱   伏安法   电路图  

摘要： 电阻的测量是初中物理的重要实验之一。它的常规测量方法是伏安法,非常规测量方法也很多,加之命题比较灵活,因而成为各地物理中考物理实验的热点之一。这里将结合中考热点试题,对常规方法和非常规方法进行归纳总结。

关键词： 降压控制器   金属氧化物半导体场效应管   Modular   高压   MOSFET   BCD工艺   功率变换   单输出  

摘要： 研诺逻辑推出AAT1185，一款单输出、降压控制器，可提供用于低成本12V适配器的高效功率变换。通过采用研诺独创的ModularBCD工艺生产，该款新型控制器可通过同时提供高、低侧管脚来驱动多种外部N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），从而实现设计灵活多样性的最大化。

关键词： HEXFET功率MOSFET   额定值   电流   封装   国际整流器公司   基准   IR   功率半导体  

摘要： 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectltier，简称IR）推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

关键词： 飞兆半导体公司   抗干扰性能   光电藕合器   光电耦合器   MOSFET   电机驱动   IGBT   共模抑制  

摘要： 2008年12月19日，飞兆半导体公司为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制光电耦合器解决方案，型号为FOD3120和FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2．5A和1A的栅极驱动光电耦合器，具有业界最高的CMR值，即使在最噪杂（干扰最恶劣）的工业环境中，也能够轻易驱动1200V／20A IGBT和MOSFET，而这种抗噪性能（高抗干扰性能）有助于（能够）防止可能导致击穿电流（短路电流）和IGBT损坏的不必要的开关（误动作）。