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关键词： 泄漏电流   输入电阻   欧姆定律  

摘要： 泄漏电流测试仪属于安规测试仪范畴,其测量结果直接关系到人的生命安全,所以对它的校准就更加增加了一份责任。规程中的许多项目都给出了较为明确和可行的方法,但关于输入电阻的校准我觉得还有待补充。通过在理论上的推导,我研究出一些规程上没有说明的方法,并且通过实验得到数据完全符合规程对相关参数的要求。

关键词： SC-70封装   功率二极管   功率MOSFET   N通道   导通电阻   n通道   额定值   VGS  

摘要： 日前,Vishay宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190V n通道功率MOSFET-SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0．75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封装的SiA850DJ还是在18V VGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。

关键词： HEXFET功率MOSFET   沟道   电动工具   额定值   工业用   高功率   封装   电源  

摘要： IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

关键词： 沟槽型MOSFET   厚栅氧   MOSFET   RSO   MOSFET   肖特基二极管  

摘要： 在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。

关键词： 降压控制器   双通道   线性稳压器   MOSFET   电压调节器   笔记本电脑   偏置电压   备用电源  

摘要： MAX17101具有四路电压调节器输出，内部100mA线性稳压器可用于产生上电或其他低功耗“始终保持开启”的备用电源所需的5V偏置电压。控制器还包含一个低电流（5mA）、“常开”线性稳压器，在笔记本电脑的其他稳压器全部关闭时为实时时钟（RTC）供电。器件具有低边MOSFET检测功能，

关键词： 导体电阻   静态   伏安特性曲线   例析   物理电学   欧姆定律   定义式   概念  

摘要： 一、静态电阻与动态电阻概念 电阻是中学物理电学中的一个重要概念，其定义式是R=U/I；即导体电阻等于导体两端的电压与通过导体的电流的比值．此定义式是由欧姆定律I=U/R转换而来的，其适用条件是纯电阻（金属导体、液体导体）且导体处在一定的温度下．导体的伏安特性曲线（I-U曲线）是一条过原点的直线，如图1所示．

关键词： 脉冲发生器   Maxim   通道数   高度集成   输出电流   MOSFET   脉冲信号   高压系统  

摘要： Maxim推出双通道、高压数字脉冲发生器MAX4810／MAX4811／MAX4812＊。器件具有1．3A（最小值）输出电流，能够独立配置为从低压逻辑输入向高压系统提供单极性或双极性脉冲信号。每通道的3个逻辑输入以及2个独立的使能输入能够确保输出MOSFET可靠关断，以加快信号变化速度并大大缩短脉冲模式之间的延时。为提高图像质量，该系列脉冲发生器采用创新的有源钳位架构，降低了2次谐波输出，并允许完全控制每个驱动器的输出级。

关键词： field emission   molybdenum dioxide   enhancement factor  

摘要： Hot-carrier degradation for 90 nm gate length lightly-doped drain （LDD） NMOSFET with ultra-thin （1.4 nm） gate oxide is investigated under the low gate voltage stress （LGVS） and peak substrate current （Isub max） stress. It is found that the degradation of device parameters exhibits saturating time dependence under the two stresses. We concentrate on the effect of these two stresses on gate-induced-drain leakage （GIDL） current and stress induced leakage current （SILC）. The characteristics of the GIDL current are used to analyse the damage generated in the gate-to-LDD region during the two stresses. However, the damage generated during the LGVS shows different characteristics from that during Isub stress. SILC is also investigated under the two stresses. It is found experimentally that there is a linear correlation between the degradation of SILC and that of threshold voltage during the two stresses. It is concluded that the mechanism of SILC is due to the combined effect of oxide charge trapping and interface traps for the ultra-short gate length and ultra-thin gate oxide LDD NMOSFETs under the two stresses.

关键词： MOSFET驱动器   同类   中阻抗   半桥   工作温度范围   低阻抗   转换器   DC  

摘要： 研诺逻辑科技有限公司近日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V，额定工作温度范围是-40℃到＋85℃，采用2mm×2．1mm、8引脚SC70JW封装，其MOSFET驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。

关键词： 驱动器   集成型   MOSFET   瑞萨科技公司   电源效率   SDRAM   小封装   CPU  

摘要： 瑞萨科技公司推出采用6mm×6mm小封装的集成型驱动器MOSFET。R2J20651NP设计用于电脑或服务器中的CPU和DDR类SDRAM电源，可实现高达96.5％的最高电源效率。