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关键词： 欧姆定律   数学表达式   电流强度   物理学   导体  

摘要： I=U/R是欧姆定律的数学表达式，这是物理学中的一个最重要、最普遍的电流定律。这个给人以和谐感觉的数学表达式是如此简单明了，它表明：导体中的电流强度，它两端的电压U成正比，跟它的电阻R成反比。

关键词： MOSFET   功放   发射机   激励器   微机控制  

摘要： 近年来，全固态电视发射机在各地都得到了广泛使用。全固态电视发射机与电子管及速调管发射机相比，具有很大的技术优势。该产品大量采用新技术、新器件，技术含量高，设备使用寿命长，故障率低，维护简便，是广播电视发送设备的更新换代产品。但随着产品技术含量的提高，也对广播电视系统技术、维护人员提出了新的要求。

关键词： 脉冲发生器   通道数   MOSFET   输出电流   高压系统   脉冲信号   可靠关断   双通道  

摘要： Moxim推出双通道、高压数字脉冲发生器MAX4810／MAX4811／MAX4812。器件具有1．3A（最小值）输出电流，能够独立配置为从低压逻辑输入向高压系统提供单极性或双极性脉冲信号。每通道的3个逻辑输入以及2个独立的使能输入能够确保输出MOSFET可靠关断.

关键词： HEXFET功率MOSFET   额定值   电流   封装   国际整流器公司   基准   IR   电动工具  

摘要： 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

关键词： MOSFET驱动器   N沟道MOSFET   输入驱动   半桥   运行电流   开关频率   逻辑   最小化  

摘要： AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时，高侧外部MOSFET开启；当逻辑输入为低时，低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时，该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低，启动输入随之将驱动器关闭，将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。

关键词： MOSFET   自保护   低压侧   小体积   封装   元件  

摘要： Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7．3mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。

关键词： 碳化硅   埋沟MOSFET   C—V特性   界面态  

摘要： 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。

关键词： SOI   总剂量辐射   辐射加固  

摘要： 在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOIMOS器件的抗超高总剂量辐射性能。

关键词： 单栅SOI   MOSFET   双栅SOI   MOSFET   短沟道效应   阈值电压下降  

摘要： 运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOI MOSFET中短沟道效应引起的阈值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算,并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明,薄膜器件有利于减小短沟道效应,而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外,对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。

关键词： 单片机   脉冲功率法   MOSFET   测试仪  

摘要： 介绍了以单片机为核心的功率MOSFET测试仪的原理、系统结构及具体的软硬件设计。将脉冲功率法引入功率MOSFET跨导和沟道电阻的测试,很好地解决了大电流偏置下参数测试的散热问题。所设计的功率MOSFET测试仪可以进行功率MOSFET的耐压、沟道电阻、开启电压、跨导及输入结电容几个参数的精确测量,并已实用化。