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摘要： 为研究栅氧化物不同老化程度下，电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响，结合高温栅偏和电子辐照两种实验对SiC MOSFET电学特性进行了分析。讨论了栅氧化物受到高温和强电场应力后，电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响，实验时将被测器件裸露在空气中。实验结果表明高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感，提出了电子辐照对SiC MOSFET高温栅偏老化后阈值电压影响的指数关系，且0.2MeV电子能量辐照300kGy剂量可将39V 150℃ 2h高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。在Sentaurus TCAD仿真软件中建立了SiC MOSFET基础数值模型，设置氧化物内电子浓度和空穴陷阱，模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响，讨论了阈值电压恢复机制。

关键词： PCB布线   电子产品   测试模块   可穿戴设备   直流电阻   电阻测试   欧姆定律   盲孔  

摘要： 随着智能手机、可穿戴设备等电子产品更加趋向智能化、小型化、高频高速化,造成PCB布线更加密集,导线宽度/间距缩小,孔径与中心距离缩小,绝缘层的厚度降低,进而不断挑战传统HDI工艺制程能力。客户对PCB品质要求越来越严格,如盲孔电镀铜填充品质,避免有缺陷产品流转至客户端。为了便于监控PCB产品品质,对电镀铜填充盲孔的低电阻测试模块进行研究,导入测试模块(相当于附联测试板),及时监控、追溯盲孔品质。低阻测试模块原理是根据欧姆定律,在判断同一电路中,通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比,跟这段导体的电阻成反比,通过测出相应的电流、电压数值,从而得出直流电阻。

关键词： 中考复习   触类旁通   实验复习   欧姆定律   电学实验   融会贯通   电功率   探究和实践  

摘要： 为了能做好中考复习迎考,同学们就应该将所学知识能灵活运用到具体的问题情景中,去解决实际问题,从而提高中考复习效果.笔者结合电学部分的实验复习作一点拨,力求使同学们在电学实验复习达到事半功倍的效果.欧姆定律和电功、电功率这一部分学习内容涉及到众多科学探究和实践活动.

关键词： 生产生活实际   初中物理   能量守恒定律   拓展延伸   焦耳定律   《物理》   欧姆定律   机械功  

摘要： 沪科版九年级《物理》第十六章“电流做功”的内容,在生产生活实际中有着广泛的应用。本节是欧姆定律、串并联知识的综合应用,也是“机械功”概念的拓展延伸,为后续学习电功率、焦耳定律、能量守恒定律做准备,在初中物理知识体系中起着承上启下的作用。

关键词： SiC MOSFET   热不稳定性   阈值电压   电子迁移率   陷阱效应  

摘要： 对SiC功率MOSFET热不稳定性产生的机理进行了研究。测量了SiC功率MOSFET在300~475 K内的转移特性和导通电阻,测试结果显示器件的漏极电流在低栅压下呈正温度系数,而在高栅压下呈负温度系数;导通电阻在低栅压下会随温度升高而减小。为解释这些现象,提取了不同温度下的沟道电阻、阈值电压和沟道电子迁移率。结果表明:高密度的SiC-SiO_(2)界面态电荷使沟道电阻占总导通电阻的很大比例,高温下库仑散射的减弱导致沟道电子迁移率随温度升高而增大,从而造成了低栅压下总导通电阻呈负温度系数。库仑散射对沟道电子迁移率的影响和阈值电压随温度升高而线性减小的共同作用引起了SiC功率MOSFET的热不稳定性。最后,基于Silvaco TCAD建立了考虑界面态的SiC功率MOSFET的物理模型,仿真了界面态密度对器件热不稳定性的影响。发现较高的界面态密度增加了阈值电压的温敏性,从而使器件出现更大的热不稳定区域。

关键词： 初中物理   电学知识   欧姆定律   解题能力   电学计算   试题剖析   学生的思维   电功率  

摘要： 电学内容在初中物理中占有十分重要的地位,电学知识涵盖了欧姆定律及其应用,电功,电功率和电热,甚至还有电磁联系.其中电学计算作为电学一大知识板块贯穿了整个电学知识.它综合性较强,对学生的思维能力和解题能力要求较高,且题型多样,复杂多变.

关键词： 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管   封装   电子辐照   阈值电压  

摘要： 为实现碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块在辐照环境下的可靠工作,提出一种抗辐照SiC MOSFET封装结构。利用能抵抗电子辐照的高原子序数材料(即高Z材料),结合双面焊接结构,将外部的辐照电子屏蔽,以实现模块的抗辐照加固。该结构中抗辐照材料与芯片距离较近,尽可能降低了抗辐照材料的冗余,实现在提高模块抗电子辐照能力的同时尽可能降低模块整体重量和体积,以适应在航空航天领域的应用。该结构消除了传统封装中的键合线,降低了模块的寄生电感。通过电子辐照实验后对阈值电压和动态特性的测试验证了研制的抗辐照SiC MOSFET模块的抗辐照能力相比传统封装模块得到显著优化。

关键词： 冗余电源   热插拔   电源模块   ORing   MOSFET  

摘要： 电源是电信设备的重要组成部分,满足双电源方式供电和热插拔特性是对机架式电信设备电源的基本要求。针对采用定制电源板带来的设计、成本和交付等问题,提出了一种低成本双电源设计方案并成功实现。首先,介绍了总体设计方案、各组成单元和实现原理;其次,详细说明了电源模块、防护单元、温度监测和风扇控制单元、ORing单元等组成部分的设计要点;最后,对该设计方案进行了验证测试,测试结果表明,该方案满足实际使用的要求和电磁兼容方面的要求。

关键词： 4H-silicon carbide(4H-SiC)trench gate MOSFET   breakdown voltage(V_(BR))   specific onresistance(R_(on   sp))   switching energy loss   super-junction  

摘要： An optimized silicon carbide(SiC)trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)structure with side-wall p-type pillar(p-pillar)and wrap n-type pillar(n-pillar)in the n-drain was investigated by utilizing Silvaco TCAD *** optimized structure mainly includes a p+buried region,a light n-type current spreading layer(CSL),a p-type pillar region,and a wrapping n-type pillar region at the right and bottom of the *** improved structure is named as *** side-wall p-pillar region could better relieve the high electric field around the p+shielding region and the gate oxide in the off-state *** wrapping n-pillar region and CSL can also effectively reduce the specific on-resistance(Ron,sp).As a result,the SNPPT-MOS structure exhibits that the figure of merit(Fo M)related to the breakdown voltage(V_(BR))and Ron,sp(V_(BR)^2R_(on,sp))of the SNPPT-MOS is improved by 44.5%,in comparison to that of the conventional trench gate SJ MOSFET(full-SJ-MOS).In addition,the SNPPT-MOS structure achieves a much fasterwitching speed than the full-SJ-MOS,and the result indicates an appreciable reduction in the switching energy loss.

关键词： 问题导向   深度备课   核心素养   案例分析   欧姆定律  

摘要： 问题导向的深度备课是教师提升设计能力的必要环节,是教师专业成长的重要途径,也是保障课堂教学效果、减轻课业负担的重要举措.以"欧姆定律"教学为例,围绕"解读教材的精度""了解学生的阈度""突出衔接的角度""挖掘规律的深度""弘扬育人的温度""反思评价的高度""拓展应用的新度"等七个方面,以问题导向呈现学习内容,以深度备课聚焦课堂环节,诠释核心素养视域下的深度备课的意义所在.