课程文献中心 更多>>

关键词： 碳化硅   金属氧化物半导体场效应晶体管   阈值电压   栅内阻   小信号模型  

摘要： 阈值电压、栅内阻、栅电容是碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的重要电学参数,但受限于器件寄生电阻、栅介质界面态等因素,其提取过程较为复杂且容易衍生不准确性。文章通过器件建模和实验测试,揭示了MOSFET的栅电容非线性特征,构建了电容-电阻串联电路测试方法,研究了SiC MOSFET的栅内阻和阈值电压特性。分别获得栅极阻抗和栅源电压、栅极电容和栅源电压的变化规律,得到栅压为-10 V时的栅内阻与目标值误差小于0.5Ω,以及串联电容相对栅源电压变化最大时的电压近似为器件阈值电压。相关结果与固定电流法作比较,并分别在SiC平面栅和沟槽栅MOSFET中得到验证。因此,该种电容-电阻法为SiC MOSFET器件所面临的阈值电压漂移、栅极开关振荡现象提供较为便捷的评估和预测手段。

关键词： silicon carbide   epitaxial layer   channel length   JFET region width   FN tunneling   HTGB  

摘要： Silicon carbide(SiC)material features a wide bandgap and high critical breakdown field *** also plays an important role in the high efficiency and miniaturization of power electronic *** is an ideal choice for new power electronic devices,especially in smart grids and high-speed *** the medium and high voltage fields,SiC devices with a blocking voltage of more than 6.5 kV will have a wide range of *** this paper,we study the influence of epitaxial material properties on the static characteristics of 6.5 kV SiC MOSFET.6.5 kV SiC MOSFETs with different channel lengths and JFET region widths are manufactured on three wafers and *** FN tunneling of gate oxide,HTGB and HTRB tests are performed and provide data support for the industrialization process for medium/high voltage SiC MOSFETs.

关键词： 功率晶体管   沟槽型VDMOS   MOSFET   单粒子烧毁   单粒子栅穿  

摘要： 空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力。

关键词： 初中物理   欧姆定律   实验题  

摘要： 欧姆定律是初中物理电学部分最重要的定律之一,也是难点之一,许多学生在解答与欧姆定律相关的问题时都会有或大或小的困扰,甚至不乏出现对某些题目束手无措的情况.纵观各类考试,欧姆定律题型涵盖了选择题、实验题和计算题,其中实验题因为涉及动手操作能力,很多学生很容易失分.本文就针对实验题型进行归纳,总结出了设计实验型、故障分析型、综合考查型和探究实验型这四类题型,并应用例题解析的方式进行讲解,希望可以起到抛砖引玉的效果.

关键词： 碳化硅(SiC)   金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)   开关瞬态   栅电荷   栅极电压振荡  

摘要： 优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm^(2)。基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形。在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFET芯片级和器件级仿真模型,通过改变器件元胞结构、阱区掺杂浓度、栅极电阻、寄生电感等参数,研究了6.5 kV SiC MOSFET开关瞬态过程和电学振荡影响因素。结果表明,减小结型场效应晶体管(JFET)宽度有利于提高器件dV/dt能力,而源极寄生电感和栅极电阻是引起栅极电压振荡的重要因素。研究结果有助于分析研究6.5 kV SiC MOSFET在智能电网应用中的开关特性,使得基于SiC MOSFET的功率变换器系统具有更低的损耗、更高的频率和更高的可靠性。

关键词： SiC MOSFET   裸片封装   热路理论   固态功率控制器   有限元热仿真  

摘要： SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后,搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性。

关键词： 题海战术   初中物理复习   欧姆定律   复习课   毫无章法   复习效率   习题课   讲解习题  

摘要： 初中物理复习往往着重其目的性——升学,导致复习课程存在以下几个典型的问题:1.满堂灌,题海战术.现如今很多教师对复习课的安排较为随意.复习课变成习题课,一节课大部分时间用来讲解习题.毫无章法,导致学生兴趣寥寥,注意力不集中,尤其是学习能力较强的学生收益不多.

关键词： SiC MOSFET   驱动电路   保护电路   尖峰   振荡   吸收电路  

摘要： 介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。

关键词： 碳化硅   功率器件   短路保护   瞬时功耗   仿真验证  

摘要： 针对SiC MOSFET对短路电流的耐受能力较弱的问题,设计了一种短路检测策略以提高其运行可靠性。基于SiC MOSFET在正常运行及短路故障状态下的瞬时功耗差异可形成短路判据,设计了瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路检测方案和电路。仿真测试了其针对两种不同短路故障工况的监测性能,验证了提出的短路检测的有效性。结果表明提出的短路保护方法响应时间短,短路峰值电流小。

摘要： 随着宽禁带器件的发展，SiC MOSFET得到了广泛应用，对其短路保护的研究成为了保障电力电子设备可靠性的重要课题。针对SiC MOSFET短路耐受时间短、短路故障更难保护的问题，本文提出了一种基于平面型差分罗氏线圈的SiC MOSFET短路检测方法。该方法通过测量电路的漏源极电流实现了对短路故障的快速识别，具有响应速度快、抗干扰能力强、与主电路完全隔离等优点。本文首先介绍了基于平面型罗氏线圈的SiC MOSFET短路检测方法的工作过程；着重研究了平面型罗氏线圈的部分元等效建模（PEEC建模）方法，得到了能反映线圈高频特性的等效模型。同时分析了平面型罗氏线圈几何结构对线圈性能的影响，提出了兼顾高增益以及高带宽的优化设计方案；并且针对罗氏线圈在强电磁干扰环境中测量准确度较低的问题，提出使用差分线圈方案提高抗扰性能。最后通过实验验证了所设计的平面型差分罗氏线圈的抗干扰性能及基于该线圈的短路保护方法的可靠性。