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关键词： MOSFET   驱动电路   吸收电路  

摘要： 本文分析了MOSFET的开关特性及吸收保护电路,有效降低开关噪声,保护开关管。

关键词： 探究实验   欧姆定律   伏安法   测电阻  

摘要： “伏安法”测电阻就是用电压表（伏特表）和电流表（安培表）测量电阻的阻值。但是如果实验室缺少某一只电表或提供电表的量程与所需测量的数值大小不匹配时，对于如何用“伏安法”来测量电阻的问题．同样可以从伏安法测电阻的原理得到启示来解决。

关键词： 功率MOSFET   低导通电阻   SO-8封装   封装器件   笔记本电脑   功率损耗   切换开关   负载切换  

摘要： P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3．9mΩ（在10V时）和6．2mΩ（在4．5V时）。这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。

关键词： 动态电路   欧姆定律   电源电压   列方程   公式   电学  

摘要： 分析动态电路，需要反复运用欧姆定律等电学基本公式，在列方程时要注意一点：电源电压恒等．

关键词： MOSFET器件   主板   封装技术   功率器件   小封装   发烧友   DIY   大电流  

摘要： 对于DIY发烧友来说,主板的供电一直是大家关注的焦点。而近年来,大家的视线正从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展,大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上,新的功率器件吸引了主板用户的眼球。那么今天咱就一起聊聊主板MOSFET器件的封装规格和封装技术吧!

关键词： comparator   high speed   TLSE   CMOS   ADC  

摘要： A high-speed comparator design based on regeneration architecture, which can be used in a flash ADC, is presented.A threshold-limit-speed effect（TLSE） which limits the speed of the comparator was discovered and studied in *** size of the reset-MOSFET was optimized to resolve the TLSE and make the comparator work at the maximal *** results were confirmed by simulation and the corresponding circuit was realized in a flash ADC design in SMIC 0.18-μm CMOS *** test result shows that the comparator can work well at 2 GHz and can even work up to 2.8 GHz while the power dissipation is 3.2 mW.

关键词： MOSFET   自保护   空间   板   功率密度   散热性能   封装   体积小  

摘要： ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压NIIMOSFET，采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7．3mm×6．7mmSOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。

关键词： MOSFET   TFT-LCD  

摘要： 文章对TFT与MOSFET的结构及工作原理等特性进行了比较分析,介绍了TFT与MOSFET在大型和超大型积体电路中的应用。

关键词： 电源管理   包装   MOSFET   封装技术   芯片尺寸   个人电脑   微型计算机  

摘要： 包装改良换来了性能的提升由电源管理电路控制的电能与包装性能直接挂钩。工艺和半导体技术的进步变得十分重要,但是缺少不了合适的包装。最适宜的设备包装通常会引起终端产品内部较高的温度,这样就需要考虑散热问题,例如增加散热风扇。

关键词： 高压器件   技术融合   CoolMOS   MOSFET   金属氧化物半导体场效应晶体管   优势   传统   功率因数校正  

摘要： 英飞凌科技日前推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600VCool MOSC6系列。有了600VCool MOSC6系列器件．诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用T0-220封装，