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关键词： 建模   射频寄生   解析提取  

摘要： 基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度。

关键词： 电动工具   自钳位MOSFET   驱动  

摘要： 介绍了电动工具控制器的工作原理,详细分析了电动工具中MOSFET的功率损耗以及线路引线电感对MOSFET开关波形的影响。同时,介绍了自钳位MOSFET的工作特性以及在设计电动工具驱动电路时应注意的问题,并给出了使用自钳位MOSFET设计的电动工具控制器的工作波形和测试结果。

关键词： 电源   模拟   I^2C接口   MOSFET   Power   数字控制   驱动器   EL灯  

摘要： Maxim带I^2C接口4通道高EEL灯驱动器,思智浦低于1毫欧、Power SO8封装MOSFET，Intersil低电压。

关键词： 功率器件   终端技术   泊松方程   超结  

摘要： 为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超结功率器件终端技术的工艺实现方法并分析了终端结构的电压特性,使用这种超结终端技术仿真得到了一个600V的Coolmos。利用2维仿真软件Medici讨论了终端p柱的数量和宽度因素对击穿电压和表面电场的影响。结果发现,采用变间距的超结结构本身就可以很好地实现超结MOSFET功率器件的终端。

关键词： MOSFET器件   RDS(ON)   LFPAK封装   低导通电阻   ring   电机控制   N通道   FOM  

摘要： NXP推出N通道、1mΩ以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有低导通电阻RDS（ON）以及一流的FOM参数。新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR—ring、电机控制和高效同步降压器等。

关键词： 半导体场效应晶体管   功率因数   脉宽调制   能源效率  

摘要： 英飞凌科技推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600VCoolMOSC6系列。有了600VCoolMOSC6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。

关键词： 功率MOSFET   N沟道   封装  

摘要： 日前,Vishay宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET-SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220FULLPAK）、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。

关键词： 基尔霍夫电流定律   基尔霍夫电压定律   定律应用  

摘要： 基尔霍夫定律(Kirchhoff laws)阐明集总参数电路中流入和流出结点的各电流间以及沿回路的各段电压间的约束关系的定律,是1845年由德国物理学家G.R.基尔霍夫提出。本文对基尔霍定律及其应用进行了一定的探索。

关键词： MOSFET驱动器   IC   国际整流器公司   功率   IR   汽车应用   步进驱动器   转换器  

摘要： 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出AUIRS2003S 200V IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC—DC转换器。

关键词： P沟道MOSFET   飞兆半导体公司   RDS(ON)   MOSFET器件   便携式应用   智能电话   设计人员   外形尺寸  

摘要： 飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。