关键词:
功率MOSFET
MOSFET驱动电路
保护功能
栅极驱动电路
MOSFET管
齐纳二极管
输入电容
开关速度
摘要:
0引言通常功率场效管内部(栅-源极间)制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因此,在设计功率MOSFET栅极驱动电路时,还必须使控制回路与功率MOSFET构成的主回路之间完全隔离。考虑到功率MOSFET栅-源极间的正反向电压最大值一般都在20 V左右,因而其门槛电压UGS(th)一般控制在2~6 V,当栅-源极间电压UGS≥10 V时,MOSFET就进入饱和导X通状态。为了保证电路可靠触发,应尽可能采用强驱动方式。1高频桥式整流驱动电路高频桥式整流驱动电路如图1所示。它由高频脉冲振荡器、四个三极管VT1、VT2、VT3、VT4构成的互补电路、脉冲变压器、桥式整流驱动电路及CD4528或CD4538单稳电路构成的保护环节组成。图1具有自保护功能的功率MOSFET驱动电路由门电路G1和2 MHz晶体振荡器构成的高频脉冲振荡器输出经CD4013分频后,在其输出端Q和Q得到一相位相反的两路高频脉冲信号,该脉冲信号分别作为门G2和G3的一个输入。当控制信号Ui为高电平时...