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关键词： 功率MOSFET   高压脉冲   触发   栅极电阻  

摘要： 利用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。

关键词： 驱动器IC   闪光灯   MOSFET   同步整流器   升压转换器   自适应模式   输入电压   深度放电  

摘要： MAX8834的输入电压可低至2.5V，能够支持下一代深度放电的电池类型。5V PWM升压转换器集成了内部开关MOSFET和同步整流器，以实现高效率和最小的方案尺寸。提供2种输出电压模式：固定（3.7-5.2V）模式和自适应模式。固定模式下，MAX8834能够用于驱动闪光灯LED以外的其他系统负载。

关键词： 数据中心   功率半导体技术   MOSFET   UPS   二极管   PFC   转换器   节能  

摘要： 世界各地计算机数量众多，耗能量也相当庞大，而支撑互联网运作的数据中心就是一大耗能实例。在一个典型的数据中心设施中，其实只有不到一半的功耗是用在计算功能上的。所以数据中心运营商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率，例如通过高压直流源的分配来减小转换级的数目。

关键词： 电荷泵   界面缺陷密度   高压MOS   热载流子注入  

摘要： 主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。

关键词： 彩电电源   液晶电视   维修   组成   PWM控制器   MOSFET   PWM芯片   小功率开关  

摘要： 采用ML4800＋FS7M0880＋FSDH321的液晶电视电源常称为ML4800方案。ML4800CP／FAN4800IN是一块PFC＋PWM芯片；FS7M0880是飞兆公司推出的一款离线式开关电源膜块，内含高压MOSFET与PWM控制器；FSDH321是仙童公司推出的一块小功率开关电源芯片。

关键词： MOSFET   IR   电荷   DC  

摘要： 据《世界电子元器件》2009年9月月刊报道,IR推出一系列150 V和200 VHEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS)、不断电系统(UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷(Qg)。随着DC/DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高。

关键词： 自对准硅化物   一硅化镍   MOSFET  

摘要： 随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100 nm,传统自对准硅化物材料,如TiSi2和Co-Si2,由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽效应等特点,已不能满足纳米尺寸器件对硅化物材料的要求,显现出其作为自对准硅化物材料的局限性。NiSi与传统自对准硅化物材料相比,不但具有硅化物形成工艺的低硅耗和低形成热预算,而且具有低电阻率,又不存在线宽效应。所以,NiSi作为纳米尺寸器件最有希望的自对准硅化物材料得到广泛的关注和研究。综合介绍了镍硅化物特性,一硅化镍薄膜形成工艺及其工艺控制问题。

关键词： 前后级放大器   意大利   电子管   百宝   MOSFET   独立接地   前级放大器   Stage  

摘要： Synapse宝刀采用两级放大的前级放大器，无负反馈，完全双单声道设计，并带双电源、双Line Stage、双控制讯号、双接地、带独立接地的全光耦数字讯号控制。从电源供应开始直到讯号输出，左右声道完全分离。双三极管与MOSFET晶体管也都在使用之列。

关键词： 高压工程   四川   欧姆定律   高等级   电压   电力  

摘要： 自从欧姆定律诞生以来。对高等级电压的渴望就仿佛一场绮丽的梦，萦绕在电力人的心头。这一切缘于这样一个等式：I=U／R.电压越高，效率越高。

关键词： MOSFET   SOT  

摘要： ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压侧MOSFET,采用2.3 mm×2.8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm×6.7 mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧。