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关键词： 功率MOS管   CdV/dt现象   建模   寄生参数  

摘要： 为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率MOS管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率MOS管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用.

关键词： DC/DC转换器   同步   MOSFET   Maxim   尺寸封装   网络设备   EMI   负载点  

摘要： Maxim推出同步DC／DC转换器MAX15041，器件在3mm×3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率（93％），同时还可简化设计，并极大地降低EMI。MAX15041能够输出3A电流，适合电信和网络设备以及低成本消费类产品等多种负载点应用。

关键词： 电流   电阻   电子产品   功率密度  

摘要： ST推出一款全新功率MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。STW77N65M5通态电阻RDS（ON）为38mΩ，采用TO-247封装。与此同时，ST计划在2010年推出采用Max247封装的22mΩRDS（ON）的STY112N65M5。

关键词： LED驱动器   驱动控制器   整解   台灯   串行接口   MOSFET   电源供应器   直流变压器  

摘要： LEDDriver：MSL2100（可支持LED单色至三色电源控制）8通道LED驱动控制器 MSL2100是整合高电流8并联的串行LED驱动器。它使用1MHz12C相容串行接口，用以控制亮度和错误侦测。每通道1％（最大）准确度的定电流（最高达1A）来驱动外部N通道MOSFET。MSL2100有3个直流变压器控制输出允许一个MSL2100控制3个不同电源供应器给3个颜色的LED串行。

关键词： MOSFET   安森美半导体   汽车标准   自保护   驱动IC   低端   高度集成   标准认证  

摘要： 安森美半导体（ON Semiconductor）推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC—Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。

关键词： 欧姆定律   科学探究   课堂实录   教学目标设计   教材分析   电路计算   学习过程   电学  

摘要： 一、教材分析与教学目标设计 欧姆定律是一个实验定律，是电学最基础、最重要的规律，是电路计算的主要依据。本课的重点是欧姆定律的科学探究，难点是电压的控制，建议安排两个课时。要使学生在学习过程中，理解并掌握欧姆定律及其变式的含义及用途，

关键词： short channel effect   PDSOI   MOSFET  

摘要： Deep submicron partially depleted silicon on insulator （PDSOI） nMOSFETs were fabricated based on the 0.35μm SOI process developed by the Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences （IMECAS）. Mechanisms determining short-channel effects （SCE） in PDSOI nMOSFETs are clarified based on experimental results of threshold voltage dependence upon gate length. The effects of body bias, drain bias, temperature and body contact on the SCE have been investigated. The SCE in SOI devices is found to be dependent on body bias, drain bias and body contact. Floating body devices show a more severe reverse short channel effect （RSCE） than devices with body contact structure. Devices with low body bias and high drain bias show a more obvious SCE.

关键词： VoIP   MOSFET   应用   DC/DC转换器   用户线接口电路   优化   开关位置   语音系统  

摘要： N沟道MOSFETZXMN15A27K及ZXMN20828K能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路（SLIC）DC／DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。

关键词： 低导通电阻   德州仪器公司   门极   革命性进步   工艺技术   其在   节能设计   金属层   电流环   散热片  

摘要： 自收购CICLON公司以来,德州仪器公司明显加大了其在低压FET这一领域的投入和拓展。借由NexFET这一专利技术,德州仪器的功率MOSFET产品在保证高密度结构、低导通电阻的同时可实现低门极电荷的突出性能,可谓功率半导体元器件的一次革命性进步。

关键词： 功率MOSFET   Inc   N沟道   封装   器件  

摘要： Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出采用SOT-923封装的60VN沟道功率MOSFET——SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm×0．6mm，