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关键词： 欧姆定律   实验探究   缺憾   物理电学   部分电路   初中物理   中学  

摘要： 欧姆定律是中学物理电学中的基本定律，它的得出依赖于实验探究，所以欧姆定律又是一个实验定律．一般初中物理只涉及部分电路的欧姆定律．

关键词： 职校学生   叠加原理   EWB  

摘要： 针对职校学生基础,采用理实一体相结合的方法学习叠加原理,培养学生勇于动脑、动手的能力,以便学生更好掌握知识。

关键词： 功率MOSFET   第三代   P沟道   封装   器件  

摘要： Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC．75封装，占位面积为1，6mm×1．6mm。

关键词： 低导通电阻   输出电容   栅极驱动   单脉冲   脉宽调制   通信系统   品质因数   额定电压  

关键词： 纳米线环栅   场效应晶体管   自顶向下制备   SOI  

摘要： 准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力,被认为是未来22nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一。采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET,解决了许多关键的技术难点,获得了许多突破性进展。文章综述了目前各种新颖的自顶向下制备方法和各种工艺的优缺点,以及优化的方向。

关键词： HEXFET功率MOSFET   IR   低导通电阻  

摘要： IR推出一系列新型HEXFET^R功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。

关键词： SOI   SIMOX   Pseudo—MOSFET   隐埋氧化层  

摘要： 介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。

关键词： SG3525   开关电源   PWM   MOSFET  

摘要： 介绍了开关电源的优点和大功率弧电源的结构,给出了以SG3525为控制核心的弧电源的设计方法。该电源主电路采用全桥式逆变电路,应用平均电流模式控制的PWM调制技术实现电流的稳定输出。并应用OrCAD15.7仿真工具对主电路和控制电路建模并进行闭环仿真,得到了与设计要求相符合的实验结果,通过对仿真结果的分析验证了设计方案的可行性。试验表明,该弧电源具有良好的性能。

关键词： 欧姆定律   实验   科学方法教育   学习方法   科学探究   引导学生   电学知识   科学研究  

摘要： 欧姆定律是进一步学习电学知识和分析电路的基础，是本章的重点。欧姆定律是实验定律，教材通过具体的任务，引导学生学习科学探究的方法，进一步体验科学探究的全过程。本节内容综合性强，教学时应十分重视科学方法教育，重视科学研究的过程，让学生在认知过程中体验方法、学习方法，了解得出欧姆定律的过程。

关键词： 场效应管   低功耗   沟道   PN结   夹断  

摘要： 本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.