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关键词： 欧姆定律   思维   猜想  

摘要： 随着课程改革的进行,对学生的创新能力和动手实践能力的培养更显得尤为重要。本文以创新教育为核心入手,通过设问、猜想、启发,培养学生的创新能力和动手能力。通过欧姆定律的学习和实践,结合教育理论,逐步实现物理教学中创新能力和动手的培养。

关键词： 电阻定律   教学设计   自主构建   串并联电路   猜想   欧姆定律   基础知识   探究方法  

摘要： 本节内容安排在学生学完了恒定电流的基础知识——“欧姆定律”“串并联电路”之后学习，可以看做是欧姆定律、串并联电路特点等知识的应用．该内容对学生来说并不困难，但关键是对电阻定律的探究方法、探究过程，是学生尝试运用探究方法研究物理规律的一节示范课、启迪课．教材提供了实验探究和理论探究两种方法，

关键词： RF芯片   LDO   多元化   SoC   企业   电子   DC/DC转换器   MOSFET  

摘要： 作为专业从事模拟和数模混合类IC设计与研发的企业，上海南麟电子目前已占据中国大陆LDO较大的市场份额。该公司的产品包括电源管理和音视频处理IC类，涵盖了低功耗LDO、高速LDO、双路LDO、DC／DC转换器、MOSFET、运放、WLED驱动、音频功放、充电管理、AC／DC近10个门类，200多个规格。2008年底公司开始涉足SoC和RF芯片领域，产品日趋系列化，多元化。

关键词： IR2181S驱动芯片   MOSFET   全桥电路   自举电路设计   吸收电路  

摘要： 三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关领域,但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。

关键词： 欧姆定律   适用条件   纯电阻   非纯电阻   难点突破  

摘要： 分析了欧姆定律的适用条件，结合教学中应用欧姆定律的疑难案例，从电路和能量的角度探讨了如何突破含电解槽、电动机、电容器、二极管等非纯电阻电路教学难点的策略．

关键词： N沟道MOSFET   大电流   功率MOSFET器件   能力   电源逆变器   不间断电源   电压应力   导通阻抗  

摘要： 该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ，电流能力高达76A，经过100％雪崩测试，通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。

关键词： 场效应晶体管   集约模型   BSIM模型   HiSIM模型   PSP模型  

摘要： MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。

关键词： LED   MOSFET   技术   路灯   市场容量   半导体照明   节能环保   照明灯具  

摘要： 节能灯正在成为MOSFET的新兴应用市场,以LED为代表的半导体照明的广泛应用也成为提升MOSFET市场容量的新的驱动力。 在节能环保的主题下,我国正在逐步采用高效照明灯具来取代能耗较大的白炽灯。

关键词： SiC   埋沟MOSFET   界面态   平均迁移率  

摘要： 建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念。器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致。

关键词： RF-MOSFET   large-signal model   self heating  

摘要： A novel empirical model for large-signal modeling of an RF-MOSFET is proposed. The proposed model is validated in the DC, AC, small-signal and large-signal characteristics of a 32-finger nMOSFET fabricated in SMIC＇s 0.18 μm RF CMOS technology. The power dissipation caused by self-heating is described. Excellent agreement is achieved between simulation and measurement for DC, S-parameters （50 MHz-40 GHz）, and power characteristics, which shows that our model is accurate and reliable.