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关键词： 半导体产品   非晶硅太阳能电池   电机驱动   三洋   RS   Components   MOSFET   半导体公司  

摘要： 近日国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components宣布推出三洋（SANYO）半导体公司的1200种半导体产品。此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列（具有业界最高水准的低导通电阻特性，并实现了小型薄型大功率）低压驱动闪光IGBT产品以外，

关键词： electrostatic field sensor   low temperature drift   Wheatstone bridge  

摘要： A novel low temperature solid state electric field sensor is demonstrated as a promising sensor. The sensor is a type of constant voltage Wheatstone bridge whose resistors are four direct gate SOl MOSFET devices. It is demonstrated in theory that the output voltage signal is proportional to the electric field E, the temperature drift is about zero when the temperature is in the range from 200 to 400 K, and the doping concentration is in the range from 1 × 10^14 to 1 × 10^16 cm^-3. The experiment results indicate that the resolution of the sensor is about 3.27 mV for a 1000 V/m electric field at 300 K, and the voltage drift by an amount is about 47 V/m field signal when the degree temperature is in the range from 300 to 370 K, which is much smaller than the current drift of a single MOSFET which is about 10000 V/m field signal.

关键词： 笔记本电脑   电源方案   LCD屏   Integrated   boost转换器   高速运算放大器   扫描驱动器   MOSFET  

摘要： Maxim Integrated Products推出完备的阵列基板行驱动（GOA）笔记本电脑LCD屏电源方案MAX17117。该款高度集成的器件在25mmTQFN封装内集成了用于TFT板栅极驱动器的7通道高压扫描驱动器、用于提供AVDD电源的MOSFETboost转换器、350mALDO，以及为LCD背板提供偏置的高速运算放大器。

关键词： 串联电路   电阻器   高电位   电阻值   欧姆定律   一体化教学   电流表  

摘要： 由于电压、电流这些概念比较抽象,为了让学生有具体的认识,采用一体化教学法,将直流串联电路的理论教学与实验同时进行。两个或两个以上的电阻元件依次连接,电流只有一条通路的电路,称为串联电路。串联电路具有什么特点呢?我让同学自己动手搭建一个串联电路,如(a)图所示,先找出相应阻值的电阻,可用万用表测量确认其阻值,按图中要求,把电阻依次连接起来,最后把电源部分连接起来。

关键词： 研究机构   Cree   GaN   SiC   化合物半导体   半导体供应商   肖特基二极管   产品开发  

摘要： 据《化合物半导体》2010年2月9日报道,IMS Research研究机构发布论文认证Cree公司的SiC MOSFET推动GaN和SiC功率器件市场发展。该报告称,

关键词： 配电网   潮流   网络拓扑   关联矩阵   基尔霍夫电流定律  

摘要： 利用网络拓扑分析方法及基尔霍夫电流定律,提出一种复杂配电网的潮流计算方法,考虑了线路、并联电容器、负荷及PV节点的模型,计及了线路的充电效应、PV节点以及电容器和负荷的影响。该算法对节点和支路编号的要求不高,提高了节点和支路编号的灵活性。采用该算法对IEEE30节点系统进行了仿真计算,结果表明,该算法是计算具有环网、PV节点及充电效应的复杂配电网潮流的一种有效方法。

关键词： 功率模块   MOSFET   IGBT   微电子   自主知识产权   外部结构   内部设计   设计理念  

摘要： 通用型功率模块产品，外部结构完全兼容，可以直接替换国内外相同封装式样的产品。内部设计进行了优化，在提高功率端子连线的可靠性基础上，增加了低热阻、低损耗的设计理念，具有完全的自主知识产权。

关键词： 正则摄动   二维   表面势   亚阈值   短沟道SOI   MOSFETs  

摘要： 提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.

关键词： 集成电路   沟槽   功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管   多晶硅   晶粒   栅极  

摘要： 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。

关键词： 功率MOSFET   调压   电压调节电路   服务器电源   数据通信   计算机   英特尔   器件  

摘要： 英飞凌推出OptiMOS25V器件系列，壮大OptiMOS功率MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信，数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220DrMOS。