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关键词： 无刷直流电机   EG2181   MOSFET   逆变桥  

摘要： 无刷直流电机在生活中运用广泛,但其对电路的要求比较高,本文基于国产功率驱动芯片EG2181,结合MOSFET,从信号缓冲隔离、预驱动、逆变桥、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。采用单片机对设计的驱动电路进行功能性测试,结果表明,设计的电路能够稳定可靠工作。

关键词： 碳化硅(SiC)MOSFET   高温栅偏(HTGB)   阈值电压   体二极管通态压降   恢复现象  

摘要： 针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析。试验结果表明,SiC MOSFET的VTH和VSD均受负向和正向高温栅偏的影响,并能够产生相反方向的参数漂移。撤去应力后存在恢复现象,使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性,且经过长期室温储存后仍存在进一步的恢复。

关键词： 开关电源   同步整流   高性能驱动   MOSFET   SMPS   降低损耗   辅助电源   自供电  

摘要： Onsemi公司的NCP4307是用于多个高性能开关电源拓扑的同步整流(SR)MOSFET的高性能驱动器.器件从内部的200V CS引脚自供电,使得高边配置和低VOUT不需要辅助电源.双VCC引脚选择最佳的VCC源来最大限度降低损耗,因此为各种VOUT应用优化了设计.次级边同步整流驱动器用于高效率SMPS拓扑.

关键词： 电力半导体   场效应管   瞬态特性   结构参数  

摘要： 瞬态响应特性为电力半导体场效应管制约电路系统性能的关键电学参数。利用TCAD半导体器件仿真软件对电力半导体场效应管的瞬态响应特性进行了详细的研究。仿真结果表明,随着多晶硅栅区宽度的增大,栅—源电容充电时间较长,导通延迟时间随之延长。且栅—漏电容面积增大,栅—源电压维持时间随之增长,上升时间随之增长。导通延迟时间和上升时间均随着栅氧化层厚度的增大而大幅增大。为了在不影响导通电阻和导通延迟时间的情况下,缩短器件的上升时间,可采用非均匀厚度栅氧化层结构。随着厚栅氧化层厚度的增大,器件导通延迟时间基本相同,而上升时间随之显著缩短。随着厚栅氧化层宽度增大,器件导通电阻越高,漏—源等效电容放电时间越长。厚栅氧化层越宽,漏—栅等效电容对栅—源电容的充电时间影响越小,开通延迟时间越短。而对于上升时间,厚氧化层宽度存在最优值,此时miller耦合电容和导通电阻折中效果最优。

关键词： 欧姆定律   学习理念   物理知识   物理新课程标准   中考  

摘要： 基于欧姆定律分析生产生活中简单的电学现象,形成将物理知识与生产生活相联系的意识并关注科学、技术、社会、环境之间的关系是物理新课程标准倡导的学习理念。下面就近两年中考欧姆定律实际应用类题目加以解析。

关键词： 初中物理   自学   议论   引导   欧姆定律  

摘要： 为了提高学生的学习能力,教师在教学中要采用“自学、议论、引导”的教学方式,让学生成为学习的主人.通过教师的指导,学生在学习中就会目标明确,自主思考;通过学生的议论学习,学生可以畅所欲言,表达自己的观点;通过问题和任务,教师可以驱动学生主动地进行思考和分析,让学生参与学习过程,亲历学习,促进学生成为学习的主人,从而增加学生的学习兴趣,提高课堂效率.本文以《欧姆定律》为例,探究新时代背景下“自主、议论、引导”教学模式的应用.

关键词： MOSFET   GFS   脉冲测试  

摘要： MOSFET是一种压控型器件,可以通过调节栅源电压大小来控制漏极与源极之间的电流大小。其中,跨导(GFS)参数就是表征MOSFET的这种输入电压对输出电流的控制能力。本文在介绍了MOSFET特性和GFS含义的基础上,详细了介绍了GFS的测试方法,并通过实验的方式分析了各种方法的测试性能和影响因数。

关键词： MOSFET   开关电路   有限元模型   联合仿真   瞬态分析  

摘要： 功率器件是电力电子系统中的薄弱环节之一,其失效具有明显的多尺度特征,构建能够考虑功率器件多尺度特征的瞬态模型对器件状态监测与老化评估具有重要意义。以MOS场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)为研究对象,构建了功率器件Simulink与COMSOL场路联合仿真模型,选取以导通电流和导通压降为模型交互信息,实现器件开关信息和宏观物理信息交互作用的器件瞬态特性分析。在此基础上,分析功率器件芯片处均温(壳温)、芯片上表面均温(结温)、导通压降、芯片电阻、焊料层最大位移。结果表明,所构建模型能够有效反映器件开关特性和宏观场间的交互,为器件数字孪生模型奠定基础。

关键词： 功率栅驱动电路   延迟时间   死区时间控制  

摘要： 基于2μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路,并内置了死区时间控制电路,该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件。工作电压范围为5~35 V,传输上升延迟时间不大于25 ns,下降延迟时间不大于32 ns,上升、下降建立时间不超过12 ns,工作电流不超过45 mA。

关键词： FC-MMC   混合器件拓扑   改进调制策略   SiC MOSFET   Si IGBT   损耗优化  

摘要： 降低模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)子模块电容电压波动对提高MMC功率密度,实现MMC轻型化具有重要意义。在降低MMC子模块电容电压波动的方案中,飞跨电容MMC(flying-capacitor MMC,FC-MMC)以其良好的性能得到了广泛的关注。基于传统FC-MMC方案,提出了一种采用Si IGBT与SiC MOSFET混合器件的FC-MMC拓扑,该拓扑每个桥臂包括两个SiC子模块及多个Si子模块,减少了SiC功率器件的使用量。进而提出了相应的调制策略,将大部分开关动作转移到SiC子模块,充分利用了SiC MOSFET开关损耗低和Si IGBT导通损耗低的优势,在不过多增加成本的情况下,降低了FC-MMC的总损耗。通过实验和损耗分析验证了所提方案的有效性和可行性。