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关键词： 辨析题   解题过程   欧姆定律   动力臂   滑轮组   电阻器   新题型  

摘要： 随着素质教育的不断推进和中考命题改革的不断深入,近年来各省市的物理考题也紧跟时代步伐,出现了这样一类新的题型"辨析题"."辨析题"是问题建立在一定的情境下,给出学生错误的解题过程,让同学们分析正确与否或完善与否,从中发现学生解决问题的思维方式和思维能力,从中判断学生思维的严密性和批判性.这符合新课程改革中考试内容改革的方向,注重培养人的优秀的思维品质,为学生的终生发展打基础.正因为如此,所以这类题型近年来成

关键词： 欧姆定律   电流表  

关键词： 超结   击穿电压   特征导通电阻   漂移区   MOSFET   超结器件  

摘要： 本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性。以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和结构对其品质因数的影响。同时提出了对超结效应的全新电场理论阐释,并使用超结器件交错漂移区中的横向场分布情况予以证实。此外,文章还简要讨论了超结器件的边缘端接。在过去10年中,建立在超结概念基础上的

关键词： 物理教学   多学科整合   正比例函数   初中物理   滑动变阻器   物理规律   演示实验   对称法   欧姆定律   电流表   物理现象   匀速直线运动  

摘要： 一、自然科学与物理教学的融合'数理是一家'。学生在解物理题时,不得不动用数学工具,因此他们在数学和物理的彼此联系这一点上已有相当的感性认识,但缺乏系统性。教师可将物理中的数学方法予以归类,常见的有:平均值法、对称法、极值法、

关键词： 欧姆定律   教学中   欧姆定理   激发学生   物理学家   学习情感  

摘要： 物理是学生认为最难学好的一门课程,特别是进入高中阶段,物理课程越来越难,有的同学对物理课程的学习茫然不知所措,久而久之,成绩一落千丈,看见物理就怕.学生之所以怕学物理,除智力因素外,缺乏对科学的积极的情感也是十分重要的原

关键词： 初中物理   电压表   探究性实验   物理实验   电流表   欧姆定律   滑动变阻器  

摘要： 在《全日制义务教育物理课程标准》(实验稿)中,明确指出:科学探究既是学生的学习目标,又是重要的教学方式之一;科学探究的形式是多种多样的,其中要素有:提出问题、猜想与假设、制定计划与设计实验、进行实验与收集证据、分析与论证、评估、交流

关键词： 策略性知识   程序性   陈述性知识   旋转面   空气质量   凸透镜成像规律   欧姆定律   圆柱形   串联电路   风力发电机   诊断研究  

摘要： 梅耶(R·E·Mayer)在综合了加涅和安德森知识观和技能观的基础上,认为知识包括以下三种类型:陈述性知识、程序性知识和策略性知识.实践表明,学习者无法解决问题,必定是这三类知识中的一种或多种知识的缺乏.正确诊断出学生存在的知识缺欠,可为有的放矢制定补救措施奠定坚实的基础,提高补救的针对性.本文将对初中生物理学科三种知识缺欠的诊断策略进

关键词： 电源   转换器   DC   电话   www   变换器   仪表   电信   双路输出   稳压电源   稳压器   轻负载   同步控制器   输出电流   输入电压   直流/直流   MOSFET   输出范围   同步降压   突发模式   交错式   大功率   开关控制器  

摘要： 双路输出同步控制器ADP1850是同步DC/DC开关控制器,它可以轻松配置为双路输出或交错式两相控制器,支持众多大电流、高效率应用。其提供宽的输入电压范围(2.75～20V),并且很容易针对双路

关键词： 欧姆定律   平均额定电压   标幺制   标幺值   归算  

摘要： 笔者在教学过程中,发现学生难以掌握采用标幺制法计算多电压等级电力系统的短路电流,而其对电力系统专业课的学习乃至以后的工作仍然很重要。以应用欧姆定律求多电压等级电力系统短路电流为目的,从求其短路回路总阻抗不需要进行电压归算为突破口,详细讨论了平均额定电压、标幺制法等概念;推导了多电压等级电力系统短路电流计算的欧姆定律的标幺值形式和电气元件阻抗标幺值的简单算法。

关键词： high power devices   SiC   GaN   MOSFET   JFET   BJT   IGBT   Schottky   on-state loss   switch loss  

摘要： Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very high critical electric field capability. From a power device perspective the high critical field strength can be used to design switching devices with much lower losses than conventional silicon based devices both for on-state losses and reduced switching losses. This paper will review the current state of the art in active switching device performance for both SiC and GaN devices. SiC material quality and epitaxy processes have greatly improved and degradation free 100 mm wafers are readily available. This is encouraging since also bipolar devices now are attractive with good long term stability. SiC wafers still have a too high cost to be fully cost effcient. However, the SiC wafer roadmap looks very favorable as volume production takes off. For GaN materials the main application area is geared towards the lower power rating level up to 1 kV on mostly lateral FET designs. The cost advantage is interesting for GaN when grown on Si substrates to bring down costs.