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关键词： 短路保护   短路故障   电力系统   安全工作区   反馈控制   电力用户   功率回路   检测电路  

摘要： 基于IR2125S和MOSFET安全工作区的短路保护电路,采用功率回路检测电路判断功率回路状态并实时进行反馈控制,电路体积小,保护速度快,可广泛应用于低压DC28 V至高压DC270 V的需要短路保护的功率回路中,具有良好的精准性、实时性和安全性。电力系统中出现短路故障时,会破坏整个电力系统的稳定运行,对电力用户造成影响,发生严重情况时,还会危及人身和设备的安全。

关键词： MOSFET   EMC   PWM   降额   额定值   结壳热阻   导热橡胶  

摘要： 为确保现代红外探测器组件在极端热真空环境下的正常应用,现阶段对红外探测器组件中的斯特林制冷机驱动控制器提出了更高的指标要求。本文介绍了恶劣高温环境下功率元器件选型和相关降额设计,PCB板布局布线设计,最后提出了功率元器件散热设计及工程应用的整改措施解决方案,阐述了高温环境下功率元器件选型与散热设计的重要性。经上述设计与整改,提高了斯特林制冷机驱动控制器高温环境下的应用能力,使得红外探测器组件可以顺利工作在最恶劣的热真空环境下。也为其它类似产品在恶劣高温环境下功率元器件的选型与工程应用设计提供了理论数据与技术支持。

关键词： 新高考   中学物理   初高中教学衔接   欧姆定律  

摘要： “欧姆定律”是初中和高中电学板块的重点内容,但两阶段欧姆定律的教学存在着一定的差异。在教学实践中,可针对差异采用项目式教学,实现由初中到高中的有效衔接和自然过渡,以应对新高考选科模式带来的变化。

关键词： 齐次定理   叠加定理   电路  

摘要： 针对两类特定的电路分析问题,给出了基于齐次定理和叠加定理的两个推论。在单一激励线性电路中响应比例与对应激励比例相等。在多个激励的线性电路中,响应差值比例与对应激励差值比例相等。通过举例说明了推论在电路分析中的应用。在合适的条件下利用这两个推论,对电路的分析可达到事半功倍的效果。

关键词： 像增强器   选通电路   MOSFET   高重频  

摘要： 就距离选通技术对阴极选通信号要求重复频率高、边沿速度快、脉冲宽度小,提出了一种利用分阶段、多级加速工作的阴极高重频选通电路。通过将RC电路与高速门电路组合构成的时间偏置电路单元相互级联产生不同时序的逻辑脉冲,分别控制中间级驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产生3个阶段性的驱动信号,中间级驱动的输出作为输出级MOSFET的栅极输入,控制其通断过程的加速与保持。利用软件仿真以及板级测试的方式进行了验证,试验结果表明,提出的选通电路可将输出脉冲的边沿时间由μs级提升至2 ns,可提供+50 V/−200 V的阴极关闭/开启电压,实现0~350 kHz的重复频率,0~100%的占空比,3.7 ns的最小脉冲宽度,脉冲输出延时时间抖动在0.1 ns左右。对于提升高速高压选通电源的最小脉冲宽度性能、最高工作重复频率以及降低器件功率损耗具有重要的指导意义。

关键词： 主干知识   高考物理   欧姆定律   学业水平   电流表   欧姆表   作业设计   分层教学  

摘要： 欧姆表的改装涉及部分电路的欧姆定律、闭合电路的欧姆定律、串并联电路等主干知识,综合性强。特别是以电流表的改装为基础,涉及电流表的扩程、且电流与电阻为非线性关系的试题,对学生的分析推理能力要求更高,学生理解困难,教师教学缺乏系统性,教学效果较差。本文以2022年湖南省高考物理第14题为例,设计了改装原理初感、扩大电流表量程、两种倍率转换的渐进式作业。

关键词： 台区线损   反窃查违   共零   三线电流法   基尔霍夫电流定律  

摘要： 台区指一台或一组变压器的供电范围或区域,而台区线损管理是供电公司堵漏增收、降本增效的重要措施,也是评价一个单位经营管理水平的重要标尺,加强低压台区线损管理,减少跑冒滴漏,提升企业效益,是建设现代化新型能源企业的重要需求。本文针对反窃查违工作中的检查盲点、难点问题,提出了单相电能表的零火地三线电流的综合判别方法和基于基尔霍夫电流定律的三相四线电能表四线电流的综合判断方法,从而提高工作人员反窃查违理论知识储备,指导现场工作的进行。

关键词： 并网逆变器   功率模块   频率条件   储能系统   拓扑结构   成本效益   全集成   MOSFET  

摘要： 本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合,实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块,适用于高度紧凑型、高效率1500-V^网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下,可以实现输出功率达到200kW以上。此外,相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着,该功率模块适用于储能系统等新兴应用。

关键词： 高中物理   课堂教学   深度学习   教学实例  

摘要： 深度学习是学生围绕特定主题,全身心投入其中,体验成功,进行有意义学习的过程。在高中物理教学中,教师引导学生进行深度学习,是帮助学生深入到物理规律本质,提升物理素养的重要方法。本文以《闭合回路的欧姆定律》教学为例,探讨了基于深度学习的高中物理教学方法。

关键词： breakdown voltage   specific on-resistance   silicon carbide   switching energy loss   super-junction-shield(SS)   trench gate MOSFET   grounded(G)   ungrounded(NG)  

摘要： A 4H-SiC trench gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(UMOSFET)with semi-super-junction shiel-ded structure(SS-UMOS)is proposed and compared with conventional trench MOSFET(CT-UMOS)in this *** advantage of the proposed structure is given by comprehensive study of the mechanism of the local semi-super-junction structure at the bottom of the trench *** particular,the influence of the bias condition of the p-pillar at the bottom of the trench on the static and dynamic performances of the device is compared and *** on-resistance of SS-UMOS with grounded(G)and ungrounded(NG)p-pillar is reduced by 52%(G)and 71%(NG)compared to CT-UMOS,***,gate ox-ide in the GSS-UMOS is fully protected by the p-shield layer as well as semi-super-junction structure under the trench and p-base ***,a reduced electric-field of 2 MV/cm can be achieved at the corner of the p-shield ***,the quasi-intrinsic protective layer cannot be formed in NGSS-UMOS due to the charge storage effect in the floating p-pillar,resulting in a large electric field of 2.7 MV/cm at the gate oxide ***,the total switching loss of GSS-UMOS is 1.95 mJ/cm2 and is reduced by 18%compared with *** the contrary,the NGSS-UMOS has the slowest overall switching speed due to the weakened shielding effect of the p-pillar and the largest gate-to-drain capacitance among the *** proposed GSS-UMOS plays an important role in high-voltage and high-frequency applications,and will provide a valuable idea for device design and circuit applications.