课程文献中心 更多>>

关键词： Y形网络   Δ形网络   等效变换   推理记忆法  

摘要： 提出了电阻Y形网络和Δ形网络相互等效变换式的推理记忆法。具体推理步骤有量纲推理、电路结构类比推理和公平原则推理三个方面。特别在电路结构类比推理中指出电阻Y形网络和Δ形网络与简单电阻串联网络和并联网络具有对应相似性,有助于学生联想记忆。

关键词： 串扰问题   栅源极电压   栅极阻抗   有源米勒箝位   三级关断电平驱动技术  

摘要： 针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采用有源米勒箝位和三级关断串扰抑制电路。其中,减小栅极阻抗可减小感应压降,抑制栅源极过压;有源米勒箝位技术使栅源极电压串扰波形幅值限制在箝位电压范围;利用三级关断串扰抑制电路技术,显著抑制了栅源极电压的正向抬升和负向峰值,最后通过试验仿真验证了3种方法的有效性。

关键词： 中美教材比较   初中物理   欧姆定律  

摘要： 本文以美国主流教材《科学探索者》(以下简称美版教材)和我国沪教版教材的“欧姆定律”一节教学内容作为研究对象,分别从结构安排、主要内容、栏目设置、学生实验、公式表达形式、例题、习题等方面进行比较,并从大单元视角和科学素养视角探寻其中异同,以期为广大教师的教学提供借鉴。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)桥式整流器   控制线路   PC电源   效率等级  

摘要： 在电源输入端将传统的二极管桥式整流器改为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)桥式整流器及相应的控制线路,可以大幅减少传统二极管桥式整流的导通损耗,且控制线路简单、稳定可靠性高。通过实测数据对比,在一款2000 W的大功率PC电源中,整机效率有所提高,能够轻松实现钛金牌效率的要求。

关键词： 4H-SiC   双注入MOSFET(DIMOSFET)   界面陷阱   准静态电容-电压(C-V)特性   可动离子  

摘要： 为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。

关键词： 欧姆定律   逻辑关系   线性元件   纯电阻元件   电解液  

摘要： 欧姆定律是电学中的基本实验定律之一,但在教学中存在一些普遍性的认知偏差。欧姆定律的表述为“电流与电压成正比”,而表述为“电流与电阻成反比”是有条件的;教学中存在“循环验证”和“逻辑颠倒”的问题;明确区分欧姆定律和电阻的定义式,欧姆定律的适用条件是金属导体和电解液等线性元件,而不是纯电阻元件。从不同角度探讨欧姆定律的表述和适用条件,以期澄清认识上的迷惑。

关键词： 《课程标准》   第一轮复习   抓住重点   重难点   欧姆定律   基础训练   中考命题   深度与广度  

摘要： 第一轮复习:基础训练重点:吃透课标,厘清教材中考物理复习的第一阶段应避免急于求成,要利用好《课程标准》和教材两个重要的抓手,以基础为主,将复习重点放在“温故”上。一、吃透课标《课程标准》是中考命题的依据,全面复习时应将《课程标准》要求转化为考生的学习目标,做到有的放矢,重点突出。对于《课程标准》要求较高的知识,要保证足够的复习时间,保证深度与广度,例如通过实验理解密度、通过实验理解压强和理解欧姆定律等。对于《课程标准》无要求的知识,点到为止即可,确保在第一轮复习时抓住重点,节约复习时间,巩固基础知识。

关键词： MOSFET   heterojunction   threshold voltage  

摘要： Ga_(2)O_(3)is difficult to achieve p-type doping,which further hinders the development of Ga_(2)O_(3)-based power devices and is not conducive to the development of new devices with high power density and low power *** paper expounds aβ-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC heterojunction lateral metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(HJFET),which can make better use of the characteristics of PN junction by adding p-doped SiC in the channel *** with the conventional devices,the threshold voltage of the heterojunction metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(MOSFET)is greatly improved,and normally-off operation is realized,showing a positive threshold voltage of 0.82 ***,the off-state breakdown voltage of the device is up to 1817 V,and the maximum transconductance is 15.3 mS/*** optimal PFOM is obtained by simulating the thickness,length and doping of the SiC in each region of the epitaxial *** structure provides a feasible idea for high performanceβ-Ga_(2)O_(3)MOSFET.

关键词： 无刷直流电机   SiC MOSFET   转矩脉动   开关频率  

摘要： 水下航行器高速电机具有高速、大功率、多挡位可调等特点,为了减小水下航行器有限空间内的高速无刷直流电机(BLDCM)转矩脉动,分析了水下航行器高速电机对高开关频率的需求,对BLDCM转矩脉动进行了数学分析,得到BLDCM的转矩脉动与开关频率及占空比等的关系。利用SiC MOSFET开关频率高的特点来提高逆变器开关频率,从而降低高速电机转矩脉动,同时SiC MOSFET又有开关损耗小的优点,与使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,SiC MOSFET在提高开关频率的同时可以减少开关损耗。最后通过仿真和试验验证了SiC MOSFET在较高开关频率时对高速BLDCM转矩脉动抑制的效果,为宽禁带半导体器件在水下航行器高速BLDCM的应用提供参考。

关键词： BCT PD-SOI MOSFET   小信号等效电路   射频诱导效应   S参数  

摘要： 为了精确模拟高漏源电压(V_(DS))条件下体接触(Body Contact,BCT)部分耗尽型(Partial Depletion,PD)绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)MOSFET器件的异常射频诱导效应,建立了一个基于碰撞电离和寄生BJT机理的RL网络模型。首先分析了SCBE模型的体区输出导纳参数,并利用该参数的解析式推导出一种电阻与电感串联的网络拓扑;然后基于直接提取法准确提取RL网络模型的参数;最后,通过仿真得出S21、S22参数分别在史密斯圆图的下半圆和上半圆按顺时针旋转的现象,同时在0.01~20 GHz范围内模型模拟的S参数与实测的S参数的相对误差为2.1%,验证了RL网络模型的有效性和准确性。