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关键词： 脉冲   MOSFET   纳秒   电源   占空比  

摘要： 根据微细电化学加工的工艺特点,采用FPGA和MOSFET设计了双MOSFET的电化学加工纳秒级脉冲电源。该脉冲电源可以提供脉宽和脉间以及占空比可调的纳秒级脉冲,输出脉宽最小可达40 ns,提高了加工过程的稳定性和加工极限能力;并利用阳极腐蚀结合湿印章的"电化学湿印章技术"实现了微细电化学加工,获得了较高的分辨率。

关键词： 功率MOSFET   N沟道   家族   导通电阻   电流等级   Inc   器件   封装  

摘要： 日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新丞件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30－600mΩ，将最高电流等级扩大为6－105A。

关键词： 晶体管   叠加定理   直流通路   交流通路  

摘要： 针对教学实践中,学生对晶体管放大电路的静态分析和动态分析较为困惑的问题,笔者从叠加定理出发,将直流通路,交流通路与对电路应用叠加定理进行分析时分电路的画法联系起来,使得模拟电路中出现的这一新知识,更易理解。

关键词： EMCCD   FPGA   驱动电路   MOSFET  

摘要： 提供了一种针对电子倍增cCD（EMCCD）驱动电路的设计方案。通过FPGA编程产生符合EMCCD时序要求的信号波形，采用EL7457高速M0sFET驱动芯片对FPGA输出信号进行电平转换以满足EMccD驱动电压要求，并由分立的推挽放大电路驱动高电压信号，输出电压20～50V可调，像素读出频率达5MHz。实验结果表明，该驱动电路能够使EMCCD正常工作输出有效信号。

关键词： MOS   γ辐射   总剂量辐射   陷阱电荷   TCAD   仿真模型  

摘要： 研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真。

关键词： 基尔霍夫定律   基尔霍夫电压定律   基尔霍夫电流定律   电路理论   教学   计算电路   非线性电路   交流电路  

摘要： 一、基本分析 1、定律的作用 基尔霍夫定律是电路理论中最基本、重要的定律之一，包括基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL），概括了电路中电流、电压所遵循的基本规律，是分析、计算电路的最基本、最普遍的方法，可用来分析、计算直流和交流电路，以及含有电子元件的非线性电路，且仅与电路的连接方式有关，与构成电路的元器件的性质无关。基尔霍夫定律既是本课程的重点，也是学习后续相关课程的重要基础，学好本节内容至关重要。

关键词： MOSFET驱动优化   动态电源  

摘要： 合理的栅极驱动方式是功率MOSFET稳定可靠工作的前提。理想的栅极驱动电路应满足di/dt和du/dt小、开关速度快且开关损耗低等要求,但这些要求彼此之间存在冲突:驱动功率过小,将使其开关过程缓慢,增加开关损耗;驱动功率过大,将导致di/dt和du/dt过大,以至于产生严重的电磁干扰,影响系统的稳定运行。本文详细分析了MOSFET的导通过程,提出了基于动态电源的优化驱动方式。在专用驱动芯片的基础上,设计了辅助驱动系统,并做了详细地分析计算,实现了双电源驱动和驱动电阻的动态调节。最后将该驱动方式应用于开关磁阻电机控制系统中,验证了其合理性和正确性。

关键词： 支路电流法   MATLAB   求解  

摘要： 支路电流法是电路分析中最基本的分析方法,因方程数较多,求解比较繁琐。利用MATLAB强大的矩阵计算功能,可以快速地解出支路电流未知量,使得教师和学生从复杂的求解工作中解放出来,专注于电路的分析和讨论,改善了课堂教学效果。

关键词： 通信系统   工业电源   MOSFET   DC   DC转换器   内阻   AC   DC   同步整流   逆变器  

摘要： AON6250是一款150VMOSFET，为众多追求极致效率的设备提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC／DC转换器原边开关、AC／DC及DC／DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。