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关键词： 断路器   回路电阻   冲击大电流   均压电容   引线电感  

摘要： 提出了一种峰值达1000A以上的冲击大电流检测回路电阻的方法,该方法能够精确地测量断路器的回路电阻。通过实验室的模拟试验,研究了基于超级电容器产生千安级冲击大电流的实现方法,并验证了微欧级小电阻的测量精度,通过EMTP-ATP仿真分析计算可知,均压电容和引线电感对测试的最终结果无影响。

关键词： 栅极驱动器   驱动IC   国际整流器公司   IR   SOT-23   MOSFET   驱动能力   IGBT  

摘要： 国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出采用SOT-23—5L高精密封装的IRS44273I低侧栅极驱动IC，能够有效提供高驱动能力。IRS44273I．易于使用，为IGBT及MOSFET栅极驱动器掳供简便的解决方案，可以在最小的电路板上，提供典型1．5A拉电流和灌电流能力、快速开关性能及集威式欠压锁定保护功能。

关键词： MOSFET器件   安森美半导体   锂离子电池   RoHS指令   电脑应用   智能手机   组成部分   电路开关  

摘要： 安森美半导体（ONSemiconductOF）推m两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电／放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时问延至最长。这两款器件符合RoHS指令，适合于单节及双节锂离子电池应用，提供领先业界的导通阻抗（RDS（on））性能水平，使用平面栅格阵列（LGA）结构，

关键词： 微电子   芯片   MOSFET   能效标准   控制回路   负载条件   准谐振   能源  

摘要： 杭州士兰微电子近期推出了满足能源之星6级能效标准的SD696X系列芯片，该系列芯片内置高压MOSFET及QR（准谐振）＋PWM＋PFM控制回路，具有多种高效的工作模式，在不同负载条件下均可实现最优效率，满足能源之星LEVEL6（EPS2．0）的效率要求。

关键词： 叠加定理   线性电路   电压   电流   功率  

摘要： 叠加定理在使用中一般只局限于简单的直流电路的电压和电流计算,以及非正弦周期电流电路的电压电流的计算。全面阐明了在线性直流电路、正弦交流电路和非正弦周期电流电路中,叠加定理能否适用计算电压、电流和功率,以及不适用计算的原因。

关键词： power MOSFET   low-k dielectric trench   reliability   enhanced dielectric field  

摘要： A novel silicon-on-insulator（SOI） MOSFET with a variable low-k dielectric trench（LDT MOSFET） is proposed and its performance and characteristics are *** trench in the drift region between drain and source is filled with low-k dielectric to extend the effective drift *** OFF state,the low-k dielectric trench（LDT） can sustain high voltage and enhance the dielectric field due to the accumulation of ionized charges. At the same time,the vertical dielectric field in the buried oxide can also be enhanced by these ionized charges. Additionally,ON-state analysis of LDT MOSFET demonstrates excellent forward characteristics,such as low gateto -drain charge density（〈 0.6 nC/mm^2） and a robust safe operating area（0-84 V）.

关键词： 欧姆定律   电阻   物理教学   学习目标  

摘要： 本文以初中物理＂欧姆定律电阻＂第一课时为例,详细阐述学习目标的确立。

关键词： trench   SOI   breakdown  

摘要： A novel silicon-on-insulator(SOI)trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)with a reduced specific on-resistance(R_(on,sp))is *** features an oxide-filled trench and a non-depleted embedded p-type island(p-SOI).The oxide trench folds the drift region into a U-shape,resulting in a reduction in cell pitch and R_(on,sp).The non-depleted p-island is employed to further reduce R_(on,sp) by increasing the optimized doping concentration of the drift region without deteriorating the breakdown voltage(BV).The simulation results show that the p-SOI decreases the R_(on,sp) to 10.2 mΩ·cm^(2) from 17.4 mΩ·cm^(2) of the conventional SOI MOSFET at the same BV.

关键词： MOSFET   晶体管   封装技术   开关控制   针脚   源极   电源  

摘要： ST推出采用新封装技术的MDmeshV超结MOSFET晶体管，TO247-44针封装提供一个开关控制专用直接源极针脚，而传统封装是开关和电源共用一个针脚。增加的针脚能够提高开关能效，