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关键词： 功率金属氧化物半导体场效应晶体管   负偏置温度不稳定性   反应扩散模型  

摘要： 通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系,并且在不同栅压应力下,实验结果中均可观察到平台阶段的出现.基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究,通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段,并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因.

关键词： 数字化教学   DISLab   闭合电路的规律  

摘要： 用数字化实验器材做物理实验,不但具有传统实验客观、实在的特点,而且还具有快速、高效、简单、明了等物理教师渴求的特点,本文介绍了利用DISLab实验器材开展＂闭合电路的欧姆定律＂数字化教学的全过程,包括实验器材的布置、实验过程的操作步骤、实验变量的设置和实验规律的获取.

关键词： 槽栅   SOI   MOSFET   比导通电阻  

摘要： 提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V击穿电压下,该结构的比导通电阻为4.6mΩ.cm2,与不带P型埋层的结构相比,在达到同样耐压的情况下,比导通电阻降低了19%。

关键词： 非对称Halo   异质栅   应变Si   短沟道效应  

摘要： 为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构,栅极由不同功函数的两种材料组成.考虑新器件结构特点和应变的影响,修正了平带电压和内建电势.为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型.模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响,考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响.研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力,抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应,为新器件物理参数设计提供了重要参考.

关键词： InGaAs   MOSFET   反型沟道电子迁移率   散射机理  

摘要： 通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模型分析表明,在低至中等有效电场下,电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响;而在强场下,电子迁移率则取决于界面粗糙度散射.降低界面态密度,减小Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙度,适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高InGaAs nMOSFETs反型沟道电子迁移率的主要途径.

关键词： 铜丝键合   MOSFET   金键合   失效分析  

摘要： 由于铜丝键合可以替代金键合,价格又便宜,正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品,但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(FA)技术。在本文中,我们将讨论一些专门为使用铜丝技术的元器件而开发的新型失效分析技术和工序。我们会将解释为什么铜丝的处理方式和金丝不一样,并且以功率MOSFET器件为例,循序渐进地了解失效分析的过程,保存对失效器件进行有效分析所需要的所有证据。

关键词： 低导通电阻   系列产品   八代   东芝公司   门极  

摘要： 东芝公司(Corporation)专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器的30V电压功率MOSFET系列产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产品已于6月底投入量产。

关键词： MOSFET器件   安森美半导体   电池使用时间   电脑应用   智能手机   组成部分   电路开关   放电保护  

摘要： 近日,安森美半导体推出2款新的MOSFET器件EFC6601R和EFC6602R,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。

关键词： 中国科学家   晶体管   浮栅   《科学》杂志   微电子器件   MOSFET   复旦大学   研究成果  

摘要： 复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。8月9日,美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文,标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。