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关键词： DC   DC转换器   降压转换器   同步整流   高可靠性   MOSFET   肖特基二极管   工业应用   电压范围  

摘要： MAX17503内置两个MOSFET开关，无须使用外部肖特基二极管，与其他工业应用高压DC／DC转换器相比，热耗降低50％，具有更高效率。器件输入电压范围为4．5～60V，输出电流可达2．5A。MAX17503可节省50％的占用空间，元件数量减少75％。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   阈值电压   测量涨落   Savitzky-Golay滤波器  

摘要： MOS(Matel-Oxide-Semiconductor)器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素(噪声和测量错误),使阈值电压提取过程变得不稳定.本文采用Savitzky-Golay低通滤波算法,求导运算和滤波过程同时进行,有效地抑制了测量数据中的涨落.再结合目标曲线峰值附近局域匹配系数判据,阈值电压提取过程就可以稳定且自动地完成,这为MOSFET(MOS Field-Effect Transistor)特性分析及集成电路设计工作带来很大方便.

关键词： 降压转换器   MOSFET   肖特基二极管   DC   DC   Maxim   同步整流   电压范围   内置  

摘要： Maxim推出同步整流DC／DC降压转换器MAX17503，能够在较宽的工业电压范围内提供更高效率。MAX17503内置两个MOSFET开关，无需使用外部肖特基二极管，

关键词： MOSFET   金属氧化物半导体   垂直扩散   频率范围   高频率   大功率   经设计   高电压  

摘要： Microsemi推出高频率垂直扩散金属氧化物半导体（VDMOS）MOSFET产鼎系列，两款更大功率、更高电压（V）VRF2944和VRF3933器件经设计在2MHz-60MHz的工、№、科学和医疗（ISM）频率范围运作，

关键词： 亚90   nm沟道MOSFET   二维电势分布   耗尽层厚度   阈值电压   半解析模型  

摘要： 本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.

关键词： 结温   功耗   金属氧化物场效应晶体管   绝缘双栅极型动率管  

摘要： 目前,开关管MOSFET和IGBT是固态发射机常用的功率放大器,但是选择MOSFET还是IGBT,还是要根据实际需要。论文对额定功率值相同的MOSFET和IGBT进行对比分析,不仅从器件的构造与特征、电性能参数、温度效应等方面考虑,而且介绍了一种计算总功耗、可使用开关频率和结温的方法。计算结果表明:IGBT的总功耗略小于MOSFET,IGBT优于MOSFET。

关键词： 异质多晶SiGe栅   应变Si   NMOSFET   表面势   沟道电流  

摘要： 结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.

关键词： 欧姆定律   电阻   记录电流   电压表   综合计算   滑动变阻器   电流表   题型   基本规律   定时  

摘要： 欧姆定律反映了电流、电压和电阻三者的数量关系,是电学重要的基本规律之一.与之相关的题型有填空、选择、实验、作图、综合计算题等.下面从几个简单的例题出发,揭开欧姆定律神秘的面纱例1.某同学在探究"电流跟电压、电阻的关系"时,根据收集到的数据画出了如图所示的一个图像.下列结论与图像相符的是()A.电阻一定时,电流随着电压的增大而增大B.电阻一定时,电压随着电流的增大而增大C.电压一定时,电流随着电阻的增大而减小D.电压一定时。

关键词： 电流有效值   正弦   公式   交变电流   人教版  

摘要： 在人教版选修1一l课本第3章第3节“交变电流”中。

关键词： 功率MOSFET   P沟道   封装  

摘要： Vishay推出采用超小PowerPAKSC．70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率。