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关键词： 闸流管   触发器   双脉冲   MOSFET  

摘要： 重氢闸流管开关在高压大电流快脉冲技术领域仍扮演着重要角色,闸流管的触发线路是决定闸流管开关性能的关键因素之一。除提高触发脉冲(G2)的幅度和上升速率外,采用双脉冲触发技术也可有效地改善闸流管开关的时间特性。从通用性、可靠性和可维护性的角度出发,研制了一种集成的全固态双脉冲闸流管触发器,并在BEPCⅡ运行中投入使用。通过测试,闸流管在该触发器的驱动下,时间抖动典型值<1ns。3年多的运行实践表明,触发器的故障率极低,具有很高的可靠性。

关键词： 电阻定律   水管漏水点   基尔霍夫电压定律  

摘要： 提出电阻法测量自来水管漏水点实验方案,其原理为:沿水管铺设两根相互平行、与管道同长的相同电阻丝,电阻丝与水管间放置浸泡过NaCl饱和溶液后晾干的纱布。电阻丝两端都设置电压一定的电源,某点水管泄漏,漏水点处纱布中的NaCl晶体溶解,在平行电阻丝间形成导电盐桥,同时测量电阻丝两端电压及电流,可消除漏水处盐桥电阻对于测量结果影响,计算漏水点到电阻丝端点阻值,并进一步根据电阻定律计算漏水点到电阻丝一端距离。利用上述实验方案,对长度为2 m的水管不同漏水点位置进行了实验测量。结果显示,漏水点定位最大误差小于8 cm,测量结果较为准确,从而证明上述测量法测量结果准确,测量原理及方案可行。

关键词： MOSFET   ZVS   DC-DC   IBC  

摘要： 通过本文的分析来优化中压和高压功率MOSFET在各种隔离式转换器拓扑使用时的死区时间,能够帮助工程师发现各种器件技术的优点,甚至使那些过时的设计方案也能达到更好的性能。本文网络版地址:http://***/article/184600.

关键词： 电压表   电流表   电路分析   并联电路   滑动变阻器   串联电路   欧姆定律   示数   状态改变   电压变化  

摘要： 电路分析题是当滑动变阻器连入电路中时,电路中的电阻大小改变,或当电路中开关通断状态改变时,引起电路中电流表和电压表的示数变化的一类题目.在中考中经常以选择题形式出现.[破解思路]1.去掉电表(即将电压表去掉,将电流表看做"导线"),分析电路为"串联电路"还是"并联电路".2.观察电表的测量对象(即电压表并联在哪段电路的两端,电压表测量的就是对应的那段电路两端的电压;电流表与哪个用电器串联,电流表测量的就是通过该用电器的电流).

关键词： MOSFETs   capacitance   dispersion  

摘要： We comparatively study two representative ballistic transport models of nanowire metal-oxide-semiconductor field effect transistors,*** Natori model and the Jiménez *** limitations and applicability of both the models are *** the Jiménez model is extended to include atomic dispersion relations and is compared with the Natori model from the aspects of ballistic current and quantum *** is found that the Jiménez model can produce similar results compared with the more complex Natori model even at very small nanowire dimensions.

关键词： 中国科学家   晶体管   浮栅   微电子器件   MOSFET   复旦大学   研究成果   《科学》  

摘要： 复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

关键词： SOI   P-WellMOSFET   H栅   SentaurusTCAD  

摘要： 绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE(Sentaurus Structure Editor)工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构,并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压(Vth=1.104V)和饱和电流(Idsat=3.121E-4A)。

关键词： 模型   测试   MOSFET   SPICE  

摘要： 器件模型作为Foundry跟设计公司接口的最基本桥梁,需要熟悉器件、工艺、物理、EDA等多方面的专业要求[1],设计公司依据一个高精度的器件模型,针对确定的器件和工艺进行设计,可以保证设计电路产品的成品率和可靠性,提高工艺容宽,降低成本。随着加工工艺的不断进步,工艺建模更是必不可少。现在模型参数提取已经进入了45 nm时代,工艺模型则需要专业的建模公司来完成,因为这不仅需要专业的模型提取软件,亦需要昂贵的品类繁多的测试设备,当然更需要专业的建模技术人员。建立完整可靠和统一高效的SPICE模型是将先进的工艺制程迅速推向客户的关键。

关键词： 功率MOSFET   工作原理   结构   高压   结型   击穿电压   平面型   epi  

摘要： 目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型（Super Junction）两种常用的结构。早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,

关键词： 功率MOSFET   电动助力转向系统   高功率密度   国际整流器公司   成本   尺寸   车用   IR  

摘要： 全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布推出AUIRF8736M2DirectFET2功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括电动助力转向系统、刹车系统和水泵等。