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关键词： 金属氧化层半导体场效晶体管   击穿电压   比导通电阻  

摘要： 研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)。利用埋于整个界面的漏n^+层缩短开态时载流子在高电阻率n^-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾。详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响。器件1为50~70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ·cm^2的低比导通电阻。

关键词： MOSFET   电子束   偏转扫描  

摘要： 研制了一台基于MOSFET的电子束偏转扫描电源,分析了该电源工作的等效电路、拓扑电路结构、驱动电路的工作原理。检测电路输出的驱动波形、电流波形以及采用该电源进行多束流焊接的效果。实验结果表明:该电路能够输出多种驱动波形,高频均达到了100 kHz;可输出5 kHz正弦波电流,采用约3 kHz三台阶阶梯波电流驱动偏转线圈,实现了三束流焊接的效果。

关键词： 开关电源控制器   功率管   Viper12A   离线式   MOSFET   自启动电路   待机功耗   高耐压  

摘要： APS012内置730V高耐压MOSFET功率管及自启动电路，可与Viper12A直接互换，但系统待机功耗略低于Viper12A。

关键词： 栅极驱动   过压保护   USB   低压启动   p型功率管   软启动  

摘要： 为p型功率管的USB保护芯片设计了一款栅极驱动电路。针对VBUS电压过高,不能及时断开输入,导致芯片内部损坏的问题,使用一个npn管在栅极驱动电路内部实现了过压保护且有迟滞功能。在0.5μm BCD工艺下的仿真结果显示:该驱动电路在1.1 V的低压下就可以正常工作,而且在启动过程中输出电压平滑上升,无过冲;该驱动电路可以根据需求调节过压保护的门限和迟滞,使芯片更加安全可靠且该驱动电路结构简单。

关键词： LED驱动器   PWM调光   MOSFET  

摘要： 安森美半导体提供DC-DC低功率LED照明应用的多款LED驱动器,涵盖升压、降压以及升降压等不同拓扑结构。本文重点介绍NCL30160和NCL30161两款产品的关键特性及应用设计要点。

关键词： MOSFET驱动器   半导体公司   电压范围   栅极驱动   二极管   半桥  

摘要： 麦瑞半导体公司推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和宽广的可编程栅极驱动电压范围（5．5V-6V）等特点。

关键词： 嵌入式系统   电子元件   电子器件   电容   电感   闪存模块   安全元件   MOSFET   电子冷却  

摘要： 电子元器件是嵌入式系统高效运行的基本保证。介绍了贴片电容和功率电感、NAND闪存模块和安全元件、MOSFET功率元件和冷却技术在嵌入式系统中的应用,报道分析了这类元器件技术的最新动态。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管   多晶硅   器件  

摘要： 增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺寸的不断缩小,自对准工艺的器件结构发生了变化,其器件的不均匀性效应越来越大地被凸现出来。文章以0.13μm的逻辑工艺为例,阐述了工艺中的器件不均匀性效应以及通过调整多晶硅的制程参数(温度)的方式予以解决的实例。

关键词： MOSFET   阈值电压   漏极电流   匹配   单位匹配原理   共质心版图  

摘要： 模拟集成电路的设计中，器件的匹配性在很大程度上决定了电路的性能与精度。在CMOS版图的匹配性设计中，必须考虑元器件本身和寄生效应等因素对匹配的影响。最基本的版图匹配原则是使器件靠近，匹配器件的周围器件相同（包括连线等），并保持器件的方向一致。通过分析影响晶体管参数的工艺及几何因素，为消除其对晶体管匹配性的影响，建议采用单位匹配原理和共质心版图设计相结合的方法来进行模拟CMOS电路的匹配性设计。

关键词： 场效应管   失效分析   改善措施  

摘要： 阐述了MOSFET产品的应用前景,说明了其封装工艺流程及注意事项,通过对MOSFET电路常见失效现象的分析验证,探讨MOSFET产品的失效机理及其影响,对相应的失效现象制定合理的失效分析方案,确保有效查找失效的具体原因,并对失效原因从设计、工艺和材料选用等方面提出改善措施。