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关键词： MOSFET   split gate   dummy gate   turn-off   and reverse recovery  

摘要： A power MOSFET with integrated split gate and dummy gate(SD-MOS) is proposed and demonstrated by the TCAD *** split gate is surrounded by the source and shielded by the dummy ***,the coupling area between the split gate and the drain electrode is reduced,thus the gate-to-drain charge(Q_(GD)),reverse transfer capacitance(C_(RSS)) and turn-off loss(E_(off)) are significantly ***,the MOS-channel diode is controlled by the dummy gate with ultra-thin gate oxide t_(ox),which can be turned on before the parasitic P-base/N-drift diode at the reverse conduction,then the majority carriers are injected to the N-drift to attenuate the minority ***,the reverse recovery charge(Q_(RR)),time(T_(RR)) and peak current(I_(RRM)) are effectively reduced at the reverse freewheeling ***,the specific on-resistance(R_(on,sp)) and breakdown voltage(BV) are also studied to evaluate the static properties of the proposed *** simulation results show that the Q_(GD) of 6 nC/cm^(2),the C_(RSS) of 1.1 pF/cm^(2) at the V_(DS) of 150 V,the QRR of 1.2 μC/cm^(2) and the R_(on,sp) of 8.4 mΩ·cm^(2) are obtained,thus the figures of merit(FOM) including Q_(GD) ×R_(on,sp) of50 nC·mΩ,E_(off) × R_(on,sp) of 0.59 mJ·mΩ and the Q_(RR) × R_(on,sp) of 10.1 μC·mΩ are achieved for the proposed SD-MOS.

关键词： 肖特基场效应晶体管   肖特基势垒高度   金属功函数  

摘要： 在传统场效应晶体管的基础上,针对SB-MOSFET对金属功函数敏感的问题,设计了势垒高度对SB-MOSFET性能影响的实验并加以验证。实验中通过调整金属功函数、金属费米能级与半导体钉扎位置,实现势垒高度的改变。通过器件模拟和电学特性仿真,验证了势垒高度对器件转移特性的影响,并通过能带和电子浓度仿真对实验结论展开分析。实验表明,势垒高度增大,正向导通电流变小,反向泄漏电流不变,在此结论基础上进一步探讨SB-MOSFET避免离子注入等问题,有助于提高界面态质量,为MOSFET研究和大规模器件开发提供了新思路。

关键词： 固态断路器   缓冲电容   损耗  

摘要： 在大多数研究中,缓冲电容对设备损耗的影响仅局限于关断过程,固态断路器的故障导通过程及重合闸开通过程受缓冲电容影响被长期忽略。针对这一问题,基于SiC MOSFET在固态断路器动作过程中的暂态过程分析,对故障导通过程、关断过程及开通的器件损耗进行了分析计算,并得出了缓冲电容对于各个阶段的损耗影响:当缓冲电容增大时,器件的故障导通损耗及关断损耗有所减小,但是其开通损耗将会显著增加。因此,基于SiC MOSFET的固态断路器缓冲电容存在最佳设计值,通过理论公式计算可得,当缓冲电容为0.389μF时,其理论损耗最小,通过实验测量可得,当缓冲电容为0.36μF时,其器件的总体损耗最小,实验值与理论计算结果接近,证明了理论分析的准确性。

关键词： 滑动变阻器   中考物理   欧姆定律   动态电路   初中物理学习   电流电压   串并联   电功率  

摘要： 动态电路问题是初中物理学习过程的一个难点,也是每年中考物理的热点之一。研究动态电路问题需要利用欧姆定律和串并联电流电压规律,有时也会用到电功率的知识,同时要求考生对电表、滑动变阻器的使用要非常熟练。接下来让我们走进考点,揭开动态电路神秘的“面纱”。

关键词： 项目化   欧姆定律   项目设计  

摘要： 以“制作简易水位计”作为主题以任务驱动的形式展开,让学生在自制水位计的过程中,从水位计的工作原理入手,小组讨论、教师引导,完成任务的过程中涉及的“电流、电压、电阻”的相关知识,知道欧姆定律,并利用欧姆定律测出水位计所需材料的电阻值。在制作水位计的过程中,学生能够通过合作、交流、改进获取本单元涉及的相关问题,最终形成和发展核心概念,经历科学探究过程,在实际问题中获得知识,并实现知识的迁移。

关键词： 核心素养   情境创设   科学素养  

摘要： 初中物理课程的主要教学目标是促进学生物理核心素养的养成和发展。以课标统领教学,结合教材内容和物理学科的特点,在物理教学中把握恰当的时机,融合各种资源以凸显物理课程的育人价值,设计出符合新时代要求的教学活动,从而全面提升学生的核心素养。

关键词： MOSFET   Threshold Voltage   Subthreshold Slope   Leakage Current   TCAD  

摘要： With the need to improvement of speed of operation and the demand of low power MOSFET size scales down, in this paper, a 50 nm gate length n-type doped channel MOS (NMOS) is simulated using ATLAS packages of Silvaco TCAD Tool so as to observe various electrical parameters at this gate length. The parameters under investigation are the threshold voltage, subthreshold slope, on-state current, leakage current and drain induced barrier lowering (DIBL) by varying channel doping concentration, drain and source doping concentration and gate oxide thickness.

关键词： SiC薄膜   功率器件   制备工艺   MOSFET   IGBT  

摘要： 第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注,SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。从SiC材料性质出发,归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺,回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展,讨论了SiC MOSFET和IGBT器件的结构设计优化和性能评估,最后指出SiC器件面临的挑战及发展趋势。

关键词： LCL并网逆变器   虚拟同步发电机   非理想电网   并网电流质量   电流改善控制策略  

摘要： 并网逆变器作为连接可再生能源发电、微电网等大电网的重要接口设备,其网侧并网电流的质量与电网能否稳定运行密切相关。而基于虚拟同步发电机控制的电压源型逆变器连接到非理想电网时,并网电流会产生严重的畸变,并且采用LCL型滤波器的并网逆变器会给系统带来谐振,从而造成并网电流振荡。通过对近年来谐振抑制控制方法以及并网电流质量改善的控制策略文献的梳理,总结出三个研究重点:如何消除LCL滤波器造成的并网电流振荡;如何消除畸变电网造成的并网电流畸变;如何消除不平衡电网造成的负序电流分量。同时对文献中所提到的改进控制策略进行全面总结分析,对各种控制策略改善效果进行比较,对三相并网逆变器输出电流波形实现正弦化提出了展望。

关键词： 电阻测量   欧姆定律   闭合电路欧姆定律   串并联电路特点   新教材   新课标  

摘要： 研究2022年高考实验题中有关电阻测量的部分,发现题中实验原理的本质都是对欧姆定律、闭合电路欧姆定律、串并联电路特点的理解与运用。结合新教材(人教版)与新课标进行分析,探讨高考的考查方向与新教材、新课标的一致性。